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当前位置:首页 > 高等教育 > 工学 > 北大集成电路原理与设计之三:集成电路设计实习课件04-1数字系统设计-前端
2011-2012AllrightsreservedInstituteofMicroelectronicsPekingUniversity集成电路设计实习VLSIDesignLabs单元实验四数字系统设计-前端InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page2实验目的及时间安排掌握数字系统的半定制设计方法完成16位加法器的RTL级电路设计和仿真完成16位加法器的门级电路设计和仿真完成逻辑综合设计时间:1次课设计数据和上机指导在lab4.tar文件中InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page3内容安排前端设计:RTL逻辑仿真、逻辑综合、门级网表仿真后端设计:自动布局布线和版图验证标准单元库:SMIC0.35um工艺库,库文件已经放在实验的lib文件夹中,为数字半定制设计中使用的SMIC0.35um工艺标准单元库,包括支持逻辑仿真、逻辑综合、自动布局布线和版图验证的设计文件本实验使用Cadence公司的EDA工具完成InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page4实验过程在登陆根目录下解压lab4.tar文件,进入产生的lab4目录,分别在仿真sim、综合syn、布局布线layout和版图验证lvs目录下完成本单元的实验内容,其余文件夹为仿真、综合相应库文件目录分别完成16位加法器的RTL级和门级设计,理解不同设计方法的特点对完成的设计进行逻辑仿真验证功能的正确性对验证正确的设计进行逻辑综合,观察不同约束条件下,综合器生成的不同设计对综合后的门级网表进行逻辑仿真,验证其正确性,并观察其门级时序输出RTL设计的门级网表用于后端设计InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page5Cell-basedASIC设计流程基于标准单元的半定制设计流程InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page6前端设计1——16bit加法器的RTL设计设计要求:电路完成带进位的2个16位二进制数的加法操作,输出16位的‘和信号’以及1位的‘进位输出信号’端口定义如下表用硬件描述语言进行设计输入,推荐使用verilog语言完成RTL级仿真,逻辑综合和门级仿真InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计前端设计1——文件管理lab4src:verilog源文件sim:仿真工作目录syn:逻辑综合目录layout:后端版图工作目录netlist:综合得到的网表文件lib:库文件目录lvs:版图验证目录lef:后端库目录Page7InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计在根目录下键入cds3进入lab4/src目录在src目录下,编写16位加法器设计文件adder.v以及测试文件adder_tb.v,本实验测试文件已经给出,不需要编写了进入lab4/sim目录,编写run.f,内容如下:../src/adder.v../src/adder_tb.v-y和-v命令是包含单元库的命令本实验已经给出run.f文件,大家只需要打开看看,读懂里面命令的意思Page8RTL设计——第一步:逻辑仿真InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计RTL设计——第一步:逻辑仿真对完成的verilog设计进行逻辑仿真,验证语法及设计的逻辑功能使用Cadence公司的VerilogXL仿真器在当前目录下,在命令窗口启动Verilog-XL仿真器,进行仿真输入verilog-frun.f命令InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计观察波形需要在测试文件中开启波形记录的命令,大家可以打开测试文件看看:$shm_open目录:在当前目录lab4/sim下命令行键入:simvision&命令,启动波形观察工具Page10RTL设计——第一步:波形观察InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计RTL设计——第一步:波形观察观察波形,验证仿真结果,通过波形检查器检测逻辑结果InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page12通过波形检查逻辑功能InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page13RTL设计——第二步:逻辑综合综合单元库:simc0.35um工艺对于逻辑仿真验证正确的RTL级加法器代码,进行逻辑综合,将其映射到标准单元库,生成门级网表重新打开一个命令窗口,在根目录下键入soc52进入lab4/syn目录,其中的my.tcl文件为综合命令的脚本文件,本实验已经给出,大家打开阅读,可以根据需要修改;smic35os142_typ.lib文件(已经放置到实验目录的lib文件夹中)是单元库的逻辑综合模型,3.3v电压,typical工艺corner;在syn路径下,键入rc命令启动RTLCompiler综合器;在命令窗口中输入sourcemy.tcl启动其中的综合命令。下面给出my.tcl中综合命令的说明:InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page14逻辑综合:读入单元库Shell命令中使用的是tcl语法,根据提供的my.tcl中的例子,可以写出自己的tcl命令利用set_attributelib_search_pathfull_path_of_technology_library_directory/指定综合用的库文件目录。利用set_attributelibrarytechnology_library来指定综合的库文件(利用文本编辑器打开库文件lib,观察文件中的内容,了解库中的单元种类,熟悉综合库的结构)逻辑综合就是要把RTL设计映射到该标准单元库中InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page15逻辑综合:读入RTL设计利用set_attributehdl_search_pathfull_path_of_technology_library_directory/指定设计的源代码文件目录。利用read_hdlhdl_file_names读入16位加法器的RTL设计文件。进行时序约束之前用elaboratetop_level_design_name将顶层设计转换为与工艺无关的逻辑拓扑。InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page16逻辑综合:时序约束参考tcl文件,对加法器设计施加约束条件,以便在逻辑综合过程中产生满足设计要求的门级设计可以先将16位加法器的时序约束设为15ns,即要求逻辑综合生成一个在15ns内可以完成16位加法的设计。需要添加虚拟时钟:define_clock–nameclk–period15000(系统默认的时间单位为ps)(时钟周期减去inputdelay和outputdelay就是要求综合器完成的设计的关键路径延迟时间约束)定义输入输出外部延时:external_delay-clockclk–inputspecify_input_external_delay_on_clockexternal_delay-clockclk–outputspecify_output_external_delay_on_clockInstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page17逻辑综合:综合采用命令:synthesize–to_mapped进行综合。综合成功后需要查看综合的结果报告。InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page18逻辑综合:综合结果报告逻辑综合完成后,采用tcl命令,生成综合器对完成的设计报告。报告包括时序,面积等,重点观察时序报告,考察生成的设计的速度采用命令:reporttimingspecify_timing_report_file_namereportareaspecify_area_report_file_name生成时序及面积报告。察看设计的关键路径InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page19逻辑综合:严格约束从时序报告中可以发现,由于施加的设计约束时钟周期比较宽松,为15ns,生成的设计有较大的富余,即报告中slack为正重新进行构建设计,收紧设计约束条件中的时钟周期,进行逻辑优化,可以发现随着时序约束的严格,综合器进行优化的时间增加察看设计报告,观察时序报告中的slack情况,并观察面积较之前的变化通常情况下,为了获得更快的设计,需要更大的面积直到slack为负值,说明生成的设计已经达到优化的极限InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page20逻辑综合:输出网表采用命令write–mappedspecify_netlist_name导出网表。观察生成的网表,可以发现由于RTLCompiler综合器中采用的是串行加法器的算法,综合后的设计为一个16位的串行加法器另外write_sdcspecify_constraint_name命令是到处约束条件,在后端版图时用到InstituteofMicroelectronics,PekingUniversityCopyright©2011-2012集成电路设计实习-单元实验四数字系统设计Page21RTL设计——第三步:门级网表仿真对逻辑综合器生成的门级16位加法器的网表进行逻辑仿真使用RTL仿真中相同的te
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