IGBT绝缘栅双极晶体管发展简述

IGBT绝缘栅双极晶体管发展简述作者：王树振，SHANWei，宋玲玲，WANGShu-zhen，SHANWei，SONGLing-ling作者单位：刊名：微处理机英文刊名：MICROPROCESSORS年，卷(期)：2008，29(2)被引用次数：0次参考文献(3条)1.吴波;穆新华IGBT与MOSFET并联技术在DC-DC变换器上的应用1998(01)2.华伟功率MOS器件的结构与性能[期刊论文]-通信电源技术2001(03)3.李恩玲;周如培IGBT的发展现状及应用1998(03)相似文献(10条)1.会议论文王蓉.钱梦亮.谢刚.曹奎.李泽宏一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件2008提出了一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件。仿真结果表明，该结构器件具有比阳极短路IGBT和局域寿命控制IGBT更优的正向压降和关断时间的折中关系，且反向阻断特性好。2.学位论文何进由SDB及AS技术实现IGBT的研究1999具有MOS栅控能力和双极晶体管大电流传输性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)是21世纪最理想的功率半导体开关之一。该文在回顾功率器件的发展历史、分析IGBT器件和SDB技术及终端技术研究现状及存在问题的基础上，对由SDB及AS技术实现IGBT功率器件进行较为系统的研究，完成小面积缓变正斜角端的PT型IGBT和基由AS结构的大面积阳极短路型IGBT两类器件的成功流片。该文的主要内容为功率器件用SDB硅片的界面电特性和界面超薄二氧化硅层的稳定性;SDB用硅片亲水处理的微观机理及其表征;理想扩散结击穿电压的解析计算和斜角终端技术;IGBT的数值分析和稳、瞬态解析;PT型IGBT的分析和优化理论;阳极短路型IGBT的数值模拟和解析模型的发展;以上两类IGBT的优化工艺和流片实验等专题性工作。3.期刊论文华伟新型功率MOS器件的结构与性能特点-半导体技术2001,26(7)电力电子器件的结构决定其性能，而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理，分析比较了近十年来10种实用的具有新结构的功率MOS器件的结构与性能特点。4.期刊论文翁寿松.WENGShou-song注入增强门极晶体管的结构与电特性-电子元器件应用2002,4(12)介绍东芝公司推出的4.5kV注入增强门极晶体管(IEGT)的结构和电特性.5.学位论文李莹绝缘栅双极晶体管技术研究2006近些年来，随着我国经济的持续快速发展，能源消耗日趋紧张，特别是电力消耗日趋加大。因此，大力发展新型电力电子器件的设计制造以及模块的开发和应用就成为一项重要课题。绝缘栅双极晶体管(InsulateGateBipolarFransistor，IGBT)作为新型电力电子器件是整机系统提高性能指标和节能指标的首选产品。IGBT是采用大规模集成电路技术和功率器件技术制造。IGBT是一种具有MOS电压控制和双极导通调制相结合的器件。它具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。它是可用于需要高压、大电流和高速应用领域的非常理想的功率器件，优于其他功率器件，用途十分广泛。目前，国内IGBT产品主要依赖进口。国外IGBT产品已大量生产，而国内IGBT仍处于研制阶段。与国外相比，我国的IGBT制造工艺技术至少落后十年，IGBT的国产化问题刻不容缓。本文首先对IGBT的工作原理进行了简述，通过对国外目前正在流行的多种结构IGBT的分析研究，认为IGBT的技术发展趋势是NPl7-Trench．IGBT技术，并选择挖槽工艺技术、亚微米微细加工技术、透明集电极技术、薄单晶硅片技术以及平面终端结构技术为主要研究专题。通过挖槽工艺技术研究，减小IGBT的元胞尺寸、提高元胞密度，减小IGBT的导通电阻，从而提高IGBT的电流密度；通过亚微米微细加工技术研究，使IGBT的元胞尺寸进一步缩小，提高元胞密度；通过透明集电极技术研究，减小IGBT的关断时间，提高开关速度；通过薄单晶硅片技术研究，采用先进的减薄技术，使IGBT的性能得到进一步提高；通过平面终端结构技术研究，采用有效的终端结构，提高IGBT的耐压。通过上述深入研究，完成了相关工艺试验，取得了较好的工艺成果，对于今后新型电力电子器件的开发和应用奠定了坚实的基础。6.期刊论文周文定.亢宝位.ZHOUWen-ding.KANGBao-wei不断发展中的IGBT技术概述-中国集成电路2009,18(1)概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,TrenchIGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等.7.期刊论文周文定.亢宝位.ZHOUWen-ding.KANGBao-wei不断发展中的IGBT技术概述-电力电子技术2007,41(9)概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,TrenchIGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等.8.期刊论文金千男.杜国同功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点-吉林大学学报（信息科学版）2004,22(6)综合评述了VDMOSFET(VerticalDoubleDiffusedMOSFET)与IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trenchgate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点.新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减少原胞尺寸和增加沟道密度,具有大电流,高电压,开关频率高,高可靠性,低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的VDMOSFET和IGBT结构.9.学位论文吴智非平衡载流子隧穿抽出结构绝缘栅双极晶体管(IGBT)研究199610.期刊论文张景超.赵善麒.刘利峰.王晓宝.ZHANGJing-chao.ZHAOShan-qi.LIULi-feng.WANGXiao-bao绝缘栅双极晶体管的设计要点-电力电子技术2010,44(1)介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基本结构和工作原理;讨论了IGBT各关键参数和结构设计中需要考虑的主要问题;分析了IGBT设计中需要协调的几对矛盾参数的关系以及影响IGBT可靠性的关键因素.本文链接：授权使用：山东大学(sddx)，授权号：5fdfecea-0ea7-4d90-8703-9edf00b5b7c9下载时间：2011年5月10日