300mm硅单晶（送审稿）doc-中国有色金属标准质量信

ICSGB/T中华人民共和国国家标准GB/T-200X300mm硅单晶300mmMonocrystallinesilicon（非等效）（送审稿）（本稿完成日期：2009.11.10）××××-××-××发布××××-××-××实施国家质量技术监督局发布GB/T-200XII前言本标准的指标参照了国外有关标准，结合我国300mm硅单晶的研制和生产情况，并考虑国际上硅材料的生产及微电子产业的发展和现状进行制订而成的。本标准应与GB/T和GB/T配套使用。本标准由全国半导体材料与设备标准化委员会提出；本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司参加起草单位：万向硅峰、宁波立立本标准主要起草人：孙燕、卢立延、张果虎。本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。GB/T-200X3300mm硅单晶1范围本标准规定了直径300mm的P100，电阻率0.5-20Ω.cm规格的硅单晶必要的相关性术语、技术要求、试验方法，检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于由直拉制备的硅单晶，产品将进一步加工成抛光片，主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13微米技术需求的300mm硅单晶抛光片。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注明年代的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1552硅锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T11073硅片径向电阻率变化的测试方法GB/T12962硅单晶GB/T12964硅单晶抛光片GB/T14140硅片直径测量方法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法SEMIM1.15-0302直径300mm硅单晶抛光片规格（切口）YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法3术语3.1下列术语适用于本标准。使用本方法的术语见GB/T14264半导体材料术语。4牌号硅单晶的牌号表示：按GB/T14844规定。GB/T-200X45要求5.1直径及其允许误差5.1.1滚圆加工后的硅单晶的直径及其允许偏差应符合表1的规定，或按供需双方协商要求提供。表1硅单晶的直径及其允许偏差项目指标直径及允许偏差mm301±0.35.1.2其他用户要求及未滚圆硅单晶的直径和允许偏差由供需双方商定。5.2电阻率5.2.1直拉硅单晶的电阻率范围和径向电阻率变化应符合表2的规定。5.2.2径向电阻率变化如要求按照其它方案进行，由供需双方商定。表2直拉硅单晶的电学性能参数项目导电类型/晶向掺杂元素电阻率范围aΩ.cm径向电阻率变化b％指标P100硼0.5-20≤105.3晶向5.3.1硅单晶晶向为100。5.3.2直拉硅单晶晶向偏离度不大于1。5.4定位面位置硅单晶的定位面位置及其技术要求应符合GB/T12964的规定。5.5氧含量5.5.1直拉硅单晶的间隙氧含量应不大于0.72×1018atoms/cm3。氧含量的径向变化具体指标按需方要求提供。5.6碳含量a所有电阻率范围的数值是在硅单晶断面使用直排四探针测量的数值。b.径向电阻率变化是在规定端面或硅片上使用直排四探针测定的数值。按GB/T11073的B方案测量和按公式RV=（a-c）/a×100%计算。其中：c—硅片中心点处测得的两次电阻率的平均值。a—硅片距边缘6mm处，90间隔4点测得的电阻率的平均值。GB/T-200X55.6.1直拉硅单晶的碳含量应不大于2×1016atoms/cm3,或由供需双方商定提供。5.7晶体完整性5.7.1硅单晶的位错密度应不大于10个/cm3，即无位错。5.7.2硅单晶应无星形结构、六角网络、漩涡、孔洞和裂纹。5.7.3硅单晶的晶体完整性的其他要求由供需双方商定。5.8金属含量5.8.1硅单晶的体金属含量（Fe）应不大于5×1010atoms/cm3。或由供需双方商定提供。5.9晶锭应做标示以区分头尾。6试验方法6.1硅单晶导电类型测量按GB/T1550进行6.2硅单晶的电阻率四探针法测量按GB/T1552进行。6.3硅单晶的径向电阻率变化测量按GB/T11073进行。6.4硅单晶的晶向及晶向偏离度测量按GB/T1555进行。6.5硅单晶的晶体完整性检验按GB/T1554进行。6.6硅单晶的直径测量按GB/T14140进行。6.7硅单晶的氧含量按GB/T1557进行。6.8硅单晶的碳含量按GB/T1558进行。6.9硅单晶的体金属含量（Fe）按YS/T679进行。7检验规则7.1检查和验收7.1.1产品应由供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。7.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准（或订货合同）的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。7.2组批硅单晶以批的形式提交验收，每批应由同一牌号，相同规格的硅单晶锭组成。7.3检验项目7.3.1每根单晶锭抽检的项目有：导电类型，晶向，晶向偏离，电阻率范围及其允许偏差，径向电阻率变化，位错密度。GB/T-200X67.3.2供需双方协商的检验项目有：晶体完整性、金属杂质沾污、氧、碳含量等。7.4抽样验收7.4.1每批产品随机抽取20%的试样，5-9根晶锭抽取2个试样，5根晶锭以下抽取一个试样。7.4.2取样位置规定：7.4.2.1检验单晶的氧含量，应在晶锭的头部切取试样。7.4.2.2检验单晶的碳含量，应在晶锭的尾部切取试样。7.4.2.3检验单晶的其他参数，可在晶锭的任意一端切取试样。对整根单晶锭的检验项目，不切取试样。7.5检验结果的判定7.5.1导电类型、晶向、外形尺寸3项实行全检，若有一项不合格，则该单晶锭为不合格。除去不合格的单晶锭后，余下的单晶锭参加抽样检验其他项目。7.5.2除7.5.1所列的全检项目外，抽取试样的，有1个试样不合格，则该批产品不合格。8标志、包装、运输和贮存8.1包装、标志8.1.1硅单晶用聚苯烯（泡沫）逐锭包装，然后将经过包装的晶锭装入包装箱内，并装满填充物，防止晶锭松动。8.1.2包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等标识，并标明：A．需方名称，地点；B．产品名称，牌号；C．产品件数及重量（毛重/净重）；D．供方名称。8.2运输、贮存8.2.1产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。8.2.2产品应贮存在清洁、干燥的环境中。8.2.3每批产品应有质量证明书，写明：A．供方名称；B．产品名称及规格、牌号；C．产品批号；D．产品净重及单晶根数；GB/T-200X7E．各项参数检验结果和检验部门的印记；F．出厂日期。