EMI各频段抑制措施

这两天搜索了大量关于EMI方面的主题，整理一下大致的关于不同频段干扰原因及抑制办法：1MHZ以内----以差模干扰为主，增大X电容就可解决1MHZ---5MHZ---差模共模混合，采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决；5M---以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的，在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减（diudiu2006）；对于25--30MHZ不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器。30---50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起，可以用增大MOS驱动电阻，RCD缓冲电路采用1N4007慢管，VCC供电电压用1N4007慢管来解决。100---200MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起，可以在整流管上串磁珠对于NO-Y电路来说，以上方式可能不管用。