元器件鉴定检验工作程序和常用可靠性试验方法-v6see

管理资料库主要内容鉴定检验基本流程直接检验监督检验二次检验常用可靠性检验方法介绍管理资料库一、鉴定检验基本流程管理资料库直接检验直接检验申请资料：协议书检验申请单关键原材料清单产品实物照片（正面、侧面、背面（3张）)产品结构图筛选合格的工艺记录鉴定检验样品管理资料库监督检验协议书军用电子元器件产品鉴定检验申请表检验纲要和检验流程卡产品实物照片3张（正面、背面、侧面全貌和标志要清晰）产品结构图批次的工艺和筛选记录鉴定检验日程安排表封存的样品母体及专用工装夹具申请监督检验所需资料：管理资料库监督检验•检验纲要•样品对照表•检验流程卡•检验记录（包括外协）•检测仪器计量证书（包括外协）•关键原材料清单•首末次会议记录•保密协议监督检验结束后交付的资料管理资料库二次检验用户参与二次检验方案签订检验服务合同结果不合格申请二次检验整改：失效分析报告纠正措施报告验证试验报告单项加倍加严、单组加倍加严全项新鉴定批完成首次检测管理资料库监督检验重点要素鉴定检验方案检验实施单位检验方法和流程使用的仪器设备清单检验周期外协项目质量等级要求检验项目、检验顺序和检验样品数量应符合详细规范中鉴定验程序的规定。检验纲要管理资料库监督检验重点要素•鉴定检验样品的抽样母体，X品（一个批次），X谱（三个连续批），一般为鉴定检验所需样品数的2倍，不包含规定数量的备份样品和追加样品；•不符合上述要求的应进行评审，并在检验纲要中予以说明；•检验样品由鉴定检验机构派人到研制方现场准备的母体中随机抽取，剩余样品封存。抽样管理资料库监督检验重点要素鉴定检验实施单位根据确认的检验纲要编制检验流程卡的内容应完整，流程清晰正确，具有可操作性。鉴定检验必须严格按照检验纲要和流程卡的要求进行。检验流程卡检测设备计量证书鉴定检验机构和检验实施单位应保证检验所需的仪器设备齐全，功能及精度满足标准要求并计量鉴定合格，检验在有效期内；管理资料库监督检验重点要素检验原始记录一般包括测试原始记录及试验原始记录，采用统一规范的格式具体要求如下：a)检验原始记录要求信息齐全、正确，至少应包含：检验样品信息、环境条件、所用仪器设备、检验项目、详细具体的试验测试）方法和条件、技术要求、检验结果等。检验原始记录一律用黑色墨水书写，数据清晰，计算正确并符合修约要求，数据及记录更改符合规定并盖章。c)检验原始记录须相关试验、测试、监督人员签名。d)检验原始记录按检验纲要分组顺序汇总装订成册，封面盖章，不编页码。检验记录管理资料库二、常用可靠性试验方法介绍管理资料库常用参考标准•总规范：•GJB597A－96半导体集成电路总规范•GJB33A－97半导体分立器件总规范•SJ20642-97半导体光电模块总规范•实验方法•GJB128A-97半导体分立器件试验方法•GJB548B－2005微电子试验方法和程序管理资料库可靠性试验的目的目的测试元器件在规定的时间内和规定的条件下，完成规定功能的能力．筛选（批次全检）质量一致性检验：（全检或抽检）A组：电参数测试（每批）B组：机械、环境试验（每批）C组：与芯片有关的检验（周期）D组：与封装有关的检验（周期）管理资料库筛选(GJB597A-96)•内部目检•温度循环（或热冲击）•恒定加速度•粒子碰撞噪声（PIND)•编序列号•中间电参数测试•老炼•电参数测试（规定PDA)•密封（粗检漏和细检漏）•最终电测试•外部目检管理资料库可靠性试验的分类（GJB548B)耐湿盐雾温度循环稳定性烘培热冲击稳态寿命高温寿命低温寿命老炼密封内部水气含量电离辐射试验物理尺寸恒定加速度可焊性外部目检内部目检键合强度芯片剪切强度随机振动扫频振动机械冲击粒子碰撞噪声环境试验（34项）机械试验（35项）管理资料库可靠性试验的分类内部目检及机械检查可焊性试验耐湿引线牢固性试验盐雾试验芯片剪切强度试验扫频振动内部水气试验内部目检与机械检验辐照试验稳态寿命密封外部目检内部目检（封帽前）老炼粒子碰撞噪声物理尺寸低气压试验高温寿命低温寿命温度循环破坏性试验非破坏性试验管理资料库温度试验•低温试验：检验在规定的低温条件下，器件满足工作或储存要求的适应能力。（低温工作测试在工作温度下限温度做试验，低温贮存在贮存温度下限做试验）。•高温试验：检验在规定的高温条件下，器件满足工作或储存要求的适应能力。（高温工作测试在工作温度上限温度做试验，高温贮存在贮存温度上限做试验）。管理资料库温度试验目的：测定器件承受极端高温和极端低温的能力，以及极端高低温变化对器件的影响所需设备：高低温实验箱实验方法：两箱法单箱法温度循环管理资料库温度试验计时：转换时间（≤1min)样品从一个极端温度转移到另一个极端温度所经历的时间保持时间（≥10min)样品到达极端温度（＜15min)后停留的时间循环次数：大于10次中断处理：由于电源或设备故障，允许中断试验，但是如果中断次数超过规定的循环总次数的10％时，必须重新开始。失效判据：外壳、引线、或封口有无缺陷或损坏，标志是否清晰，以及其他规定的参数是否合格。温度循环管理资料库温度试验目的：检验电子元器件在遇到温度剧变时其抵抗和适应能力的试验。转换时间小于10s.判据：主要检验衬底开裂、绝缘体位移、引线焊接、封装等缺陷。注意：必须在规定的冲击温度上下限温度点进行规定的冲击次数，属于非破坏性的检测，筛选时为100％检验，质量一致性检测时也可抽样检测。在筛选检测中，不合格品必须剔除。热冲击试验：管理资料库密封目的：确定具有空腔的电子器件封装的气密性，密封不良会导致环境氛侵入器件内部引起电性能不稳定或腐蚀开路所需设备：氦质谱细检漏（用于检查1Pa.cm3/s—10-4Pa.cm3/s的漏率）氟油或乙二醇粗检漏（用于检查大于1Pa.cm3/s的漏率）失效判据：细检：测定漏率粗检：从同一位置出来的一连串气泡或两个以上大气泡试验顺序：先细检后粗检试验过程需加压管理资料库耐湿•目的：用加速的方式评估元器件及所用材料在炎热高湿（典型热带环境）下抗退化效应的能力，本实验可以可靠的指出哪些元器件不可以在热带条件下使用。为破坏性试验。所需设备：温湿箱试验程序干燥－升温－保持－降温－升温－保持－降温循环10次低温子循环(至少5次）管理资料库耐湿•湿度控制：80％－100％•试验时间：10天左右•失效判据：标志脱落、褪色、模糊镀层腐蚀或封装零件腐蚀透引线脱落，折断或局部分离因腐蚀导致的引线之间或引线与外壳搭接管理资料库辐照试验：射线对物质的最基本作用是电离作用，电离作用与物质从射线吸收的能量有关对于定量的射线，物质质量越小，吸收越密集，影响越大。其关系式如下：射线剂量＝物质吸收能量/物质的质量。管理资料库辐照试验：目的：试验时，高能粒子进入器件，使其微观结构变化，产生附加电荷或电流甚至缺陷，导致器件参数退化、锁定、翻转或产生浪涌电流烧坏失效。通过各种辐照效应试验，可确定器件的致命损伤剂量、失效规律及失效机理，从而在材料、结构、工艺和线路上进行抗辐射的设计改进。试验方案要依据不同的产品和不同的试验目的，选择辐照的总剂量或剂量率及辐照时间，否则由于辐照过低或过量而得不到寻求的阈值或损坏样品。管理资料库辐照试验：•中子辐照试验在核反应堆中进行，测量半导体器件在中子环境的性能退化的敏感性，是一种破坏性试验，主要检测半导体器件关键参数和中子注入的关系•总剂量辐照试验总剂量辐照试验采用钴60放射源以稳态形式对器件进行辐照。为破坏性试验。主要用来判定低剂量率电离辐射对器件的作用。管理资料库辐照试验：试验程序和方法：•①按规范要求，选定辐照类型、剂量或剂量率及辐照时间。•②记录试验前器件相关电性能参数。•③进行辐照试验。•④测试辐照试验后器件的相关电性能参数。•⑤比对试验前后器件的相关电性能参数值，若值差超过允值为失效。管理资料库恒定加速度：•目的：检查在规定的离心加速度作用下的适应能力或评定其结构的牢靠性。为非破坏性检测，筛选时为100％检验，质量一致性检测时也可抽样检测。在筛选检测中，不合格必须剔除。所需设备：离心机合格判据：器件无损坏，标识清楚，其他参数测试管理资料库机械冲击：•目的：检查在规定的冲击条件下受到机械冲击时的适应性或评定其结构的牢靠性。为非破坏性检测，筛选时为100％检验，质量一致性检测时也可抽样检测。在筛选检测中，不合格必须剔除。有时规定要求在沖击中测试，也可按规定试验后进行外观观察和电测试后决定是否合格。•所需设备：冲击振动台（提供500g－30000g的冲击脉冲）合格判据：外壳，引线的损坏，标记的模糊或者其他附加的参数测试管理资料库机械振动试验振动疲劳试验：检查器件管壳、引线焊接、管芯键合、衬底等是否符合规定要求。电子产品易受影响的频率为50Hz—2000Hz。长期振动会使器件产生疲劳失效、引线断裂和结构损伤等。筛选时为100％检验，质量一致性检测时也可抽样检测。在筛选检测中，不合格必须剔除。随机振动试验：考核器件在随机激励下抵抗随机振动的能力。（试样在随机激励下产生随机振动，由试验设备显示出试样的响应功率谱密度。如果试样的响应功率谱密度大于规定的极限值，则试样不合格。）扫频振动试验：寻找被考核器件的各阶固有频率（也是共振频率）及在这个频率段的耐振能力。（有时规定要求在振动中测试，也可按规定试验后进行外观观察和电测试后决定是否合格。）管理资料库键合强度试验：目的：检查器件内引线的键合是否达到规定的要求。避免由于键合虚接（零克点）和键合强度低于规定要求而导致的失效。失效分析：我所主要产品的本试验失效的器件多为金丝颈缩点、引线损伤导致的不达标或通电熔断，可采取引线断面显微镜观察确定是机械损伤（断面凸凹不平）或电烧熔（断面为球面）来进行失效分析。对引线从芯片金属化层（铝）压焊点脱落的失效需进行电子探针X射线能谱色散分析来确定金铝固相反应形成的中间化合物成份和失效原因。对直接连金属化层从芯片上脱落的失效则需从金属化镀膜工艺去分析失效原因。