CMOS工艺流程

工艺集成集成电路中的隔离•MOS集成电路中的隔离–增加场区二氧化硅的厚度（局部场氧化）–侧墙掩膜隔离•双极集成电路中的隔离–结隔离MOS集成电路中的隔离–MOSFET本身自隔离–产生寄生场效应晶体管–抑制方法——防止开启•提高寄生场效应晶体管的阈值电压–增加场区二氧化硅的厚度（局部场氧化）–增大氧化层下沟道的掺杂浓度，即形成沟道阻挡层增加场区二氧化硅的厚度双极集成电路隔离•主要介绍0.18µm的CMOS集成电路硅工艺的主要步骤。这有助于对半导体制造有一个更好的了解。CMOS制作步骤•CMOS反相器由两个晶体管构成，一个nCMOS和一个pCMOS。1.双阱工艺•在硅衬底上形成的、掺杂类型与硅衬底相反的区域称阱（well）。阱通常是通过注入或扩散工艺形成，掺杂为n型称为n阱，掺杂为p型称为p阱,而在同一硅片上形成n阱和p阱的称为双阱（twin-well）。2.浅槽隔离工艺•浅槽隔离STI是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。•分为三步：槽刻蚀、氧化物填充、氧化物平坦化3.多晶硅栅结构4.轻掺杂漏注入工艺源、漏注入工艺n+源/漏注入工艺P+源/漏注入工艺7.接触孔的形成8.局部互连工艺9.通孔1和钨塞1的形成10.第一层金属（金属1）互连的形成通孔2的形成钨塞2的形成12.第二层金属互连的形成13.制作第三层金属直到制作压点和合金