信息产业技术标准论坛

海峡两岸信息产业技术标准论坛半导体照明术语对照表2009年2月海峡两岸半导体照明术语对照表2序号大陆术语英文定义台湾地区术语一、基本术语1-01半导体semiconductor两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝缘体之间的一种材料，这种材料中的载流子浓度随外部条件改变而变化。半導體1-02半导体器件semiconductordevice其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件。半導體元件1-03[半导体]二极管(semiconductor)diode具有非对称的电压电流特性的两引出端半导体器件。(半導體)二極體1-04发光二极管；LEDlight-emittingdiode当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。發光二極體1-05固态照明solidstatelighting采用固体发光材料，如发光二极管（LED）、场致发光（EL）、有机发光（OLED）等作为光源的照明方式。固態照明1-06半导体照明semiconductorlighting采用LED作为光源的照明方式。半導體照明1-07衬底substrate用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单晶片。基板1-08外延片epitaxialwafer用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。磊晶片1-09发光二极管芯片light-emittingdiodechip具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片。發光二極體晶片(粒)1-10LED模块LEDmodule由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元。LED模組1-12LED组件LEDdiscreteness由LED或LED模块和电子元器件组合在一起，具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元。LED元組件1-13内量子效率innerquantumefficiency有源区产生的光子数与所注入有源区的电子-空穴对数之比。內部量子效率1-14出光效率lightextractionefficiency逸出LED结构的光子数与有源区产生的光子数之比。出光效率1-15注入效率Injectionefficiency注入LED的电子-空穴对数与注入有源区的电子-空穴对数之比。注入效率1-16外量子效率outerquantumefficiency逸出LED结构的光子数与注入LED的电子-空穴对数之比，等于内量子效率与出光效率和注入效率的乘积。外部量子效率二、LED类型2-01单色光LEDmonochromaticlightLED发出单一颜色光的LED，有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等。單色LED海峡两岸半导体照明术语对照表3序号大陆术语英文定义台湾地区术语2-02白光LEDwhitelightLED用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的LED。白光LED2-03直插式LED；DIPLEDDualIn-linePackageLED带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的LED。砲彈型封裝LED2-04贴片式LED；SMDLEDSurfaceMountedDevicesLED正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的LED。表面封裝型LED2-05小功率LEDlowpowerLED单芯片工作电流在100mA（含100mA）以下的发光二极管。小功率LED2-06功率LEDpowerLED工作电流在100mA以上的发光二极管。高功率LED2-07LED数码管LEDnixietube采用LED显示数字或字符的器件或模块。LED尼士管2-08LED显示器LEDdisplayer采用LED显示数字、符号或图形的器件或模块。LED顯示器2-09LED背光源LEDbacklight采用LED作光源，为被动显示提供光源的LED器件或模块。LED背光源三、外延（工艺）3-01外延epitaxy用气相、液相或分子束等方法在衬底上生长单晶材料的工艺。在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料，称同质外延；在衬底上生长与衬底组分不同的单晶材料，称异质外延。磊晶3-02量子阱quantumwell组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成载流子势垒或势阱，并且具有量子效应的材料结构。量子井3-03单量子阱singlequantumwell只有一个量子阱的材料结构。單層量子井3-04多量子阱multi-quantumwell包含多个单量子阱的材料结构。多層量子井3-05金属有机化学汽相沉积；MOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经热分解合成反应外延生长单晶材料的方法。有機金屬化合物半導體磊晶技術3-06超晶格superlattice两种（或两种以上）组分（或导电类型）不同、厚度极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期材料结构，其薄层厚度远大于材料的晶格常数，但接近于或小于电子的平均自由程（或其德布洛意波长）。超晶格3-07异质结heterogeneousstructure由两种或两种以上不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。異質接面3-08单异质结singleheterojunction由两种不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。單異質接面3-09双异质结doubleheterojunction包含两个异质结的异质结构。雙異質接面3-10图形化衬底graphicalsubstrate在外延生长前，采用蚀刻的方法，在表面形成一定图案的衬底。圖形化基板海峡两岸半导体照明术语对照表4序号大陆术语英文定义台湾地区术语四、芯片（工艺）4-01湿法蚀刻wetetching将晶片浸没于化学溶液中，通过化学反应去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。濕式蝕刻4-02干法蚀刻dryetching将晶片置于等离子气体中，通过气体放电去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。乾式蝕刻4-03曝光exposure利用光学的方法，对涂布在晶片表面的光刻胶进行光化学反应的过程。曝光4-04烘胶baking在一定的温度下，使光刻胶固化的过程。烘烤4-05蒸镀evaporation将原材料通过某种方法变成蒸汽，使其在真空状态下沉积在待镀材料表面。蒸鍍4-06激光剥离laserlift-off利用激光照射在芯片上，使外延层和衬底界面处熔化，从而将二种材料分离的方法。雷射剝離4-07欧姆接触ohmiccontact电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触。歐姆接觸4-08氧化铟锡电极IndiumTinOxideelectrodeITO蒸镀在芯片表面的一种化学成分为氧化铟锡的透明导电膜，以形成欧姆接触，有利于电流扩展及透光。氧化銦錫電極4-09衬底转移；金属键合substratetransfermetalbonding芯片制造将外延材料的外延层键合到其它衬底材料上并将原来的衬底去除的方法。基板黏合4-10金属反射层reflectivemetalelectrode在LED芯片表面蒸镀一层金属，形成一种可提高外量子效率的光反射层。金屬反射層4-11同侧电极结构lateralelectrodestructureP、N电极在芯片的上面，使部分电流横向流过外延层的一种电极结构。同側電極結構4-12垂直电极结构verticalelectrodestructureP、N电极分别在芯片的上下二端，使电流垂直流过外延层的一种电极结构。垂直電極結構4-13承载基板supportsubstrate芯片制造用来承载外延层或芯片，并提供电极接触的一种材料。承載基板4-14表面粗化surfaceroughening在LED外延片或芯片表面形成可以提高芯片出光效率和外量子效率的粗糙表面结构。表面粗化4-15正装芯片normalchip发光二极管芯片电极在出光面上，衬底材料与支架焊接在一起的一种芯片结构。傳統晶片4-16倒装芯片flipchip发光二极管芯片电极倒扣焊接在承载基板上，形成一种芯片衬底（或靠原衬底面）朝上、引出电极在承载基板上的芯片结构。覆晶晶片4-17芯片分选chipsorting按不同参数（例如电压、电流、波长、光强等）对芯片进行分档测试选择。晶片分級4-18内陷电极recessedelectrode电极镶嵌在LED芯片外延层刻槽中。嵌入電極4-19互补电极complementaryelectrode在LED芯片垂直结构中，为避免底部所发光被顶部N电极吸收，在N电极正下方电极区互補電極海峡两岸半导体照明术语对照表5序号大陆术语英文定义台湾地区术语域制作一个高阻层，使电流分布在N电极投影以外的互补区域。4-20N面出光lightextractionfromNside发光二极管有源区发出的光从LED芯片的N面取出。N極出光4-21侧面钝化lateralpassivation在LED芯片侧面镀上保护层，使芯片避免沾污、保护芯片稳定性和可靠性。側面鈍化五、封装5-01支架；框架leadframe提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组零件。支架5-02点胶coat在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。點膠5-03装架dieattachment(diebond)将LED芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的PCB或LED支架相应的位置上。固晶5-04烧结sinter通过高温加热，使银胶固化。固化5-05引线键合；压焊wirebonding为了形成欧姆接触用金属引线连接LED芯片电极与支架（框架）的引出端。打線5-06LED封装LEDpackage将LED芯片和焊线包封起来，并提供电连接、出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺寸。LED封裝5-07灌封embedding采用模条灌装成型的封装方式。嵌入5-08塑封moulding采用模压成型的封装方式。模具成型5-09点胶封装coatingpackage采用点胶成型的封装方式，也称软包封。點膠封裝5-10热沉heatsink与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金属或其它材料的导热体。散熱片5-12共晶焊eutecticbonding在LED芯片与支架或热沉中间放置一种合金焊料（例如金或铅锡等），通过加温加压使之共熔的一种焊接方法。共金結合5-13透明介质transparentmedium无色透明的一种导电或非导电的胶状材料。透明介質5-14固化cure通过高温加热，使封装环氧固化。固化5-15切筋dam-barcut切断LED支架的连筋。切腳5-16气泡airbladderLED封装体内存在的任何局部空隙。氣泡5-17黑点stain外来异物在LED封装体中所形成的点状体。黑點5-18划痕nickLED封装体表面上的机械划伤、压伤和外界杂质所引起的无序凹坑。刮痕5-19变色discolorationLED封装体及支架镀层上的任何颜色变化。變色六、光度量术语6-01可见光visiblelight能直接引起视觉的光学辐射。其波长范围一般在380－780nm。可見光6-02辐射通量；radiantflux以辐射形式发射、传播或接收的功率，单位輻射通量;輻射海峡两岸半导体照明术语对照表6序号大陆术语英文定义台湾地区术语辐射功率Фe；Ф；Pradiantpower为W。功率6-03光通量Фv；Фluminousflux从辐射通量eΦ导出的量，该量是根据辐射对CIE标准光度观测者的作用来评价的。对于明视觉：m830e360d(()dd=∫vΦλ)ΦλλλvK式中:ed(dΦλ)λ是辐射通量的光谱分布；是光谱光视效率。()λv单位为lm注1：Km值(明视觉)和Km’值(暗视觉)参见GB/T2900.65-2004定义845-01-56。注2：LED的光通量通常以它们所属种类的组来表示。光通量6-04总光通量Фtotalluminousflux总光通量是在光源立体角4π范围内累积的光通量之和。dIΩΩ=∫Φ式中I为发光强度；Ω为光源立体角范围。總