制绒原理及影响因素

太阳能高科技（新余）有限公司制绒原理及影响因素向华斌2011.9.22主要内容一、制绒目的及原理二、影响反应速度的各种因素三、rena设备与捷佳创设备的比较第一部分制绒目的1、去除多晶硅片表面的机械损伤层和氧化层;2、去除表面油污及金属离子；3、使硅片表面形成更加明显的凹凸面效果，增加光在电池片表面的折射次数,增加对光的吸收制绒原理反应试剂HNO3HF附加剂氧化剂SiO2NO溶解SiO2络合物H2SiF6降低反应速率对比制绒与去psg制绒槽药液，浓H2SO4的作用水和冰醋酸硅片的酸腐蚀由两步组成，第一步为硅的氧化过程第二步氧化物的溶解过程总反应当气泡在表面附着足够长的时间并使被遮盖和未被遮盖区域的腐蚀产生相当的差别，就会产生凸凹不平的表面HNO3横向腐蚀，HF纵向腐蚀形成腐蚀坑原理反应速度影响因素硅片表面质量溶液温度搅拌化学品浓度添加剂反应速率制绒槽长度：2.12m，单面腐蚀4-4.5um1、Rena滚轮速度1.45m/min（八道）反应速率2.7-3.1um/min2、捷佳创滚轮速度1.95m/min（五道）反应速度3.6-4.2um/min化学品浓度化学药品浓度HF:49%HNO3:69%HNO3HFDI-WATER使用配方500g/L62g/L246L52L182L5:1:312℃0.6L0.4L0.05L原配方400g/L120g/L197L101L182L2:1:28℃0.28L0.42L0LHNO3HFDI-WATERrena24652182捷佳创24060180反应速度曲线硅片表面质量•多晶硅制绒反应的发生点为晶体表面的缺陷点，如果过分完整的表面反而无法制绒—水之清则无鱼•对比单晶—大颗粒—正常片温度40℃30℃10℃8℃搅拌•当溶液中有扰动时，富氢氟酸体系中，反应速度减小。这是因为，扰动降低了氧化过程中的中间产物在硅片表面的浓度，降低氧化反应速度。富硝酸体系中，扰动将会增大硅片腐蚀的饱和电流。增加刻蚀速度，这是因为，扰动降低HF的传质阻，降低HF的扩散梯度，减少扩散层厚度。Rena与捷佳创比较•制冷方式•补液方式•液体循环方式初始配液及补液方式HFHNO3RENA0.4L/100片0.6L/100片捷佳创0.3L/130片0.22L/130片制冷机热量制冷方式•rena•捷佳创制绒槽副槽制冷机制绒槽副槽制冷机储液罐对比Rena捷佳创1.容积大小与流速的区别，易由于厂务原因造成补液超时制绒副槽对比•rena•捷佳创溢流管排液管排液管溢流管绿色智慧超越奉献