计算专题-晶胞的计算

第1页（共3页）晶胞的计算二、常见的晶胞计算题：晶胞密度=m(晶胞)/V(晶胞)空间利用率=[V(球总体积)/V(晶胞体积)]×100%【注】1m＝10dm＝102cm＝103mm＝106um＝109nm＝1012pm①简单立方堆积：假设球的半径为rcm，则该堆积方式的空间利用率为：②体心立方堆积：假设球的半径为rcm，则该堆积方式的空间利用率为：③面心立方最密堆积：假设球的半径为rcm，则该堆积方式的空间利用率为：再假设该金属的摩尔质量为Mg/mol，NA为阿伏伽德罗常数的数值，试计算该晶胞的密度：总结】必须掌握的常见晶胞及晶体结构分子晶体：干冰、冰晶胞图形、晶胞组成特点；原子晶体：金刚石（晶体硅）、二氧化硅晶胞组成特点、边长（体积、密度、原子最近距离）的计算方式；金属晶体：四种堆积方式的名称、图形、代表金属、边长（体积、密度、原子最近距离）的计算方式；离子晶体：NaCl、CsCl、CaF2晶胞图形、晶胞组成、边长（体积、密度、原子最近距离）的计算方式。【练习】中学化学教材中展示了NaCl晶体结构，它向三维空间延伸得到完美晶体。NiO(氧化镍)晶体的结构与NaCl相同，Ni2+与最临近O2-的核间距离为acm，计算NiO晶体的密度(已知NiO的摩尔质量为74.7g/mol)。(2)天然和绝大部分人工制备的晶体都存在各种缺陷，例如在某氧化镍晶体中就存在如图所示的缺陷：一个Ni2+空缺，另有两个Ni2+被两个Ni3+所取代。其结果为晶体仍呈电中性，但化合物中Ni和O的比值却发生了变化。某氧化镍样品组成为Ni0.97O，试计算该晶体中Ni3+与Ni2+的离子个数之比。第二类：晶胞灵活变形及计算【例1：2012年新课标·37】【化学——选修3物质结构与性质】(15分)VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题：甲乙丙第2页（共3页）（1）S单质的常见形式为S8，其环状结构如下图所示，S原子采用的轨道杂化方式是；（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为；（3）Se原子序数为，其核外M层电子的排布式为；（4）H2Se的酸性比H2S(填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型为，SO32离子的立体构型为；（5）H2SeO3的K1和K2分别为2.7×103和2.5×108，H2SeO4第一步几乎完全电离，K2为1.2×10－2，请根据结构与性质的关系解释：①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因：；②H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因：；（6）ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如下图所示，其晶胞边长为540.0pm，密度为(列式并计算)，a位置S2离子与b位置Zn2+离子之间的距离为pm(列式表示)。【答案】（1）sp3（2）O＞S＞Se（3）34；3s23p63d10（4）强；平面三角形；三角锥形（5）①第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子；②H2SeO3和H2SeO4可表示为(HO)2SeO和(HO)2SeO2。H2SeO3中Se为+4价，而H2SeO4中Se为+6价，正电性更高，使得Se—O—H中的O原子更向Se偏移，更易电离出H+。（6）12311034(6532)gmol6.0210mol4.1(540.010cm)；270.01cos10928或135.0210928sin2或1353【例2：⑤设在下图晶胞中Zn的半径的r1cm，其相对原子质量为M1，X的半径为r2cm，其相对原子质量为M2，则该晶胞的密度为g/cm3。（写出含有字母的表达式）。【例3：已知NaCl晶体的晶胞如左图所示：若将NaCl晶胞中的所有Cl—离子去掉，并将Na+离子全部换为碳原子，再在其中的4个“小立方体”中心各放置一个碳原子，且这4个“小立方体”不相邻。位于“小立方体”中的碳原子与最近的4个碳原子以单键相连，由此表示碳的一种晶体的晶胞（已C—C键的键长为acm，NA表示阿伏加德罗常数），则该晶胞中含有个碳原子，该晶体的密度是g/cm3。第3页（共3页）【例4六方氮化硼在高温高压下，可以转化为立方氮化硼，其结构与金刚石相似，硬度与金刚石相当，晶胞边长为361.5pm。立方氮化硼晶胞中含有个氮原子、个硼原子、立方氮化硼的密度是g/cm3(只要求列算式，不必计算出数值。阿伏加德罗常数为NA)。【答案】4425×4(361.5×10－10)3×NA