与IC有关部分笔试、面试题目的答案举例

1近年招聘会上与IC有关部分笔试、面试题目的答案举例21、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。3单片微型计算机(简称单片机)有时也称为微控制器MCU(microcontrolunit)。当然，与MPU相比，MCU上的CPU的功能比较简单，存储器的容量也很有限。MCU已被广泛应用于各种家用电器产品以及工业控制。用得最多的是4位和8位MCU。4什么是MCU？MCU(MicroControllerUnit)，又称单片微型计算机(SingleChipMicrocomputer)，是指随着大规模集成电路的出现及其发展，将计算机的CPU、RAM、ROM、定时数器和多种I/O接口集成在一片芯片上，形成芯片级的计算机。5设计方法上从CISC结构演变到RISC结构通常将采用英特尔处理器的服务器称为IA(IntelArchitecture)架构服务器，由于该架构服务器采用了开放式体系，并且实现了工业标准化技术和得到国内外大量软硬件供应商的支持，在大批量生产的基础上，以其极高的性能价格比而在全球范围内，尤其在我国得到广泛的应用。2000年国内IA架构服务器供应商前三位是惠普、IBM、浪潮。6（1）CISC指令集CISC指令集，也称为复杂指令集，英文名是CISC，（ComplexInstructionSetComputer的缩写）。在CISC微处理器中，程序的各条指令是按顺序串行执行的，每条指令中的各个操作也是按顺序串行执行的。顺序执行的优点是控制简单，但计算机各部分的利用率不高，执行速度慢。7（2）RISC指令集lRISC是英文“ReducedInstructionSetComputing”的缩写，中文意思是“精简指令集”。它是在CISC指令系统基础上发展起来的，有人对CISC机进行测试表明，各种指令的使用频度相当悬殊，最常使用的是一些比较简单的指令，它们仅占指令总数的20％，但在程序中出现的频度却占80％。复杂的指令系统必然增加微处理器的复杂性，使处理器的研制时间长，成本高。并且复杂指令需要复杂的操作，必然会降低计算机的速度。8基于上述原因，20世纪80年代RISC型CPU诞生了，相对于CISC型CPU,RISC型CPU不仅精简了指令系统，还采用了一种叫做“超标量和超流水线结构”，大大增加了并行处理能力。RISC指令集是高性能CPU的发展方向。它与传统的CISC(复杂指令集)相对。相比而言，RISC的指令格式统一，种类比较少，寻址方式也比复杂指令集少。当然处理速度就提高很多了。目前在中高档服务器中普遍采用这一指令系统的CPU，特别是高档服务器全都采用RISC指令系统的CPU。RISC指令系统更加适合高档服务器的操作系统UNIX，现在Linux也属于类似UNIX的操作系统。RISC型CPU与Intel和AMD的CPU在软件和硬件上都不兼容。92、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与门阵列等其它ASIC(ApplicationSpecificIC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点。10从ASIC的发展看，它的主要特点不单纯在其本身的专用性，其更深的含义在于用户直接参与集成电路的设计。由于ASIC是系统设计的一部分，它要求系统设计者直接参与芯片电路设计。ASIC可以是专为某一类特定应用而设计的集成电路，称为标准专用电路(ASSP-ApplicationSpecificStandardProduct)，也可以是专为某一用户的特定应用而设计的集成电路，称为定制专用电路。11FPGA(FieldProgrammableGateArray)是可编程ASIC。FPGA兼顾了PLD和门阵列两者的优点：–具有门阵列电路那样的单元阵列结构，但单元与门阵列不同，每个单元包含了PLA、若干寄存器和多路开关。–又象PLD那样，用户可以通过编程，任意设定每个单元的内部电路结构以及单元之间的连线􀂾基本特征：不需要定制式掩膜层，通过可编程实现组合逻辑和时序逻辑123、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？13什么是OTP？(OTP--一次性可编程/可编程的一次性烧录)OTP（OneTimeProgrammable）是MCU的一种存储器类型。MCU按其存储器类型可分为掩膜片--MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASHROM等类型。MASKROM的MCU价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不变的应用场合；FALSHROM的MCU程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途；14OTPROM的MCU价格介于前两者之间，同时又拥有一次性可编程能力，适合既要求一定灵活性，又要求低成本的应用场合，尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。15A1A0Y1Y2Y3Y4十进制0001101100000001010010010149熔丝型开关反熔丝型开关000000111001用高压将PLICE介质击穿。熔丝断开为1PLICE（可编程逻辑互连电路单元）16在反熔丝PROM中，各连接点放的不是熔丝，而是一种PLICE编程单元，如图所示。未编程时纵线和横线间是不通的，编程时对需要连接处加上高压使其中PLICE（可编程逻辑互连电路单元）介质击穿而短路，从而达到该点逻辑连接的目的。反熔丝编程示意图(a)反熔丝编程阵列结构(b)PLICE编程元件1718194、如何了解代工公司的情况？了解一家IC代工公司(foundry)最直接和简便的方法，是认真浏览该代工公司的技术发展路线图20华润上华科技有限公司CSMC技术发展路线21华润上华科技有限公司CSMC技术发展路线（续）22什么是eFlach？嵌入（embed）式系统是指操作系统和功能软件集成于计算机硬件系统之中。简单的说就是系统的应用软件与系统的硬件一体化，具有软件代码小，高度自动化，响应速度快等特点。特别适合于要求实时的和多任务的体系。嵌入式系统不一定就是单片机。嵌入式系统主要是将软件系统固化集成到硬件系统（如放到FLASH）中。嵌入式资讯网Page.23和舰科技(苏州)有限公司RoadmapRtnCompleteProcessPortfolioforCustomersAvailableNow200620070.35/0.3µm3.3V/12V0.35/0.3µm3.3V/18V0.35µm3.3V/12V,18VembeddedOTP0.25µm2.5V/+-16V0.35µm3.3VCIS0.15µm1.5V/+-16V0.18µmpixelsize3.2µm0.5/0.45µm3.3V/5V0.35/0.3µm3.3V/5V0.25µm2.5V/3.3V0.18µm1.8V/3.3V0.35/0.3µm3.3V/5V0.25µm2.5V/3.3V,5V0.18µm1.8V/3.3V0.5µmOTP5V/12V0.35µmFLASH5V/10.5V0.25µmFLASH5V/9V0.25µme-EEPROM2.5V/3.3V0.15µm1.2V/3.3V0.15µm1.5V/3.3V0.13µmCu1.2V/3.3V0.18µmFlash1.8V/3.3V0.13µme-Flash1.2V/3.3V2008LogicMixModeNVMHi-VoltageCIS0.35µm3.3V/13.5V0.18µme-Flash1.8V/3.3V0.18µmRFCMOS0.13µmFlash1.2V/3.3V0.13µmAl0.13µmAl1.2V/+-16V0.18µm1.8V/+-16V0.13µmAl1.2V/3.3V0.13µmCu1.2V/3.3V和舰科技(苏州)有限公司Roadmap24什么是NVM？只读存储器(ReadOnlyMemory，ROM)它又称固定存储器。ROM是把数据固定地存储起来，然后按给定地址进行读出，但不象RAM那样可以随时快速写入和修改，只能读出。它在停电后照样能长期保存数据，所以又被称为不挥发存储器(NonvolatileMemory)。25大陆、台湾Foundry技术演进19941997199920022005大陆3μm0.8μm0.35μm0.18μm0.13μm台湾0.35μm0.25μm0.18μm0.13μm0.09μm2621世纪头10年将面临如何进行0.1μm级电路的设计和制造问题。生产工艺从微米级(micro-M)（3μm、2μm［1985年］、1.5μm、1μm［1989年］）、亚微米级（submicro-SM）（0.7μm、0.5μm［1993年］）发展到深亚微米（deepsubmicro-DSM）（0.35μm［1997年］、0.25μm、0.18μm［2001年］、0.13μm），超深亚微米或亚0.1μm［2005年］（verydeepsubmicro-VDSM）。275、有几种IC版图文件格式？GDSII–GraphicalDesignSystemII–二进制格式–用来备份、导入、导出版图，以及提交给Foundry流片CIF–CaltechIntermediateFormat–文本格式EDIF–ElectronicDesignInterchangeFormat–文本格式–EDIF格式也用于描述线路图、网表、符号等其他数据286、描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目）29晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体管、电容器、逻辑门等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室/超净间（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沉积，最後进行显影、蚀刻及离子注入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。30前部工序的主要工艺晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）1.图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上2.掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等3.制膜：制作各种材料的薄膜31集成电路工艺图形转换：光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀掺杂：离子注入退火扩散制膜：氧化：干氧氧化、湿氧氧化等CVD：APCVD、LPCVD、PECVDPVD：蒸发、溅射32后部封装、测试（在另外厂房）（1）背面减薄（2）划片、掰片（3）粘片（4）压焊：金丝球焊（5）切筋（6）整形（7）封装（8）沾锡：保证管脚的电学接触（9）老化（10）成测，筛选（11）打字、包装33后工序–划片–封装–测试–老化–筛选辅助工序超净厂房技术超纯水、高纯气体制备技术光刻掩膜版制备技术材料准备技术347、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面试题目）35集成电路的基本制造工艺流程1.双极集成电路的基本制造工艺2.CMOS集成电路工艺3.Bi-CMOS集成电路工艺361.)双极集成电路中元件的形成过程和元件结构由典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺制作的集成电路中的晶体管的剖面图如下图所示，它基本上由表面图形(由光刻掩模决定)和杂质浓度分布决定。ALSiO2BPP+P-SUBN+ECN+