《催化剂与催化作用》第五章-金属氧化物和金属硫化物催化剂及其催化作用2

1第五章过渡金属氧化物和硫化物催化剂及其催化作用10主要内容过渡金属氧(硫)化物催化物的应用及类型1金属氧(硫)化物中的缺陷及半导体性质2半导体催化的化学吸附与电子催化理论3过渡金属氧化物催化剂的氧化——还原机理4过渡金属氧化物中晶体场的影响5过渡金属氧化物催化剂典型案例剖析6115.1.1金属氧化物和硫化物概述金属氧化物复合氧化物；固溶体、杂多酸、混晶等金属氧化物催化剂的应用：氧化还原型催化反应过程金属氧化物催化作用和功能主催化剂、助催化剂、载体等催化剂分类：1）过渡金属氧化物，2）金属氧化物，3）原态为金属，但其表面吸附氧形成氧化层。125.1.2.过渡金属氧(硫)化物催化剂的应用及类型A.过渡金属氧(硫)化物催化物的应用及其特点a.过渡金属氧(硫)化物催化物的应用过渡金属氧化物催化剂的工业应用131415I.金属氧化物催化剂主要是VB－VIII族和IB，IIB族元素氧化物II.催化剂多由两种或多种氧化物组成III.氧化物具有半导体特性故为半导体催化剂IV.这些氧化物应用于氧化还原反应与过渡金属电子特性有关。16b.过渡金属氧(硫)化物催化物的电子特性I.过渡金属氧化物中金属阳离子的d电子层容易得到或失去，具有较强氧化还原性II.过渡金属氧化物具有半导体特性。III.其中金属氧化物中的金属离子内层轨道保留原子轨道特性，与外来轨道相遇时，可重新组合成新轨道，利于化学吸附IV.与过渡金属催化剂相比，金属氧化物催化剂耐热、抗毒、光敏。热敏、杂质敏感，适于调变。17B.过渡金属氧(硫)化物催化物的结构类型a.M2O型和MO型氧化物I.M2O型：Cu2O，CO加H2制甲醇Ag2O金属配位数为直线型2配位（sp杂化），O是配位数为四面体的4配位（sp3杂化）18II.MO型：NaCl型：以离子键为主，金属与氧原子配位数均是6，为正八面体结构。典型例子：TiO、VO、MnO、FeO、CoO。属立方晶系，低温下偏离理想结构变为三方或四方。纤维锌矿型：金属离子与氧为四面体型结构，四个M2+-O2-不一定等价。典型例子：ZnO、PdO、PtO、CuO、AgO、NbO。19b.M2O3型：C-M2O3型：与萤石结构(CaF2)类似,取走其中1/4的O2-。M3+配位数是6。典型例子：Mn2O3、Sc2O3、Y2O3、-Bi2O3(右图).刚玉型：氧原子为六方密堆积，2/3八面体间隙被金属原子填充。M3+配位数是6，O2-配位数是4。典型例子：Fe2O3、V2O3、Cr2O3、Rh2O3、Ti2O3M20c.MO2型：萤石型：r(M4+)/r(O2-)较大，例子：ZrO2、HfO2、CeO2、ThO2、VO2。金红石型：r(M4+)/r(O2-)其次，例子：TiO2、VO2、CrO2、MoO2、WO2、MnO2等。硅石型：r(M4+)/r(O2-)最小，21d.M2O5型和MO3型：I.M2O5型：V2O5，层状结构，V5+被六个O2-包围但实际只有5个，成扭曲三角双锥22II.MO3型：WO3、MoO3、ReO3。MO3型形成6配位的八面体，常用作选择氧化催化剂，具有层状结构。23过渡金属氧(硫)化物催化物的应用及类型1金属氧(硫)化物中的缺陷及半导体性质2半导体催化的化学吸附与电子催化理论3过渡金属氧化物催化剂的氧化——还原机理4过渡金属氧化物中晶体场的影响5过渡金属氧化物催化剂典型案例剖析624金属催化剂的能带理论共有化能带不能保持原有单个能级，而是根据所含原子数分裂成和原子数相同的相互接近的能级255.2.1.半导体能带结构和类型满带：凡是能被电子完全充满的能带；导带：凡是能带没有完全被电子充满的；空带：根本没有填充电子的能带；禁带：在导带（空带）和满带之间没有能级不能填充电子这个区间叫禁带。半导体的禁带宽度一般在0.2-3eV。26A.半导体的能带结构:半导体能带不迭加，形成分立的带：满带、空带→导带、禁带(能量宽度为Eg)。5.2.1.半导体能带结构和类型3S能带与2P能带之间有一个间隙，其中没有任何能级，故电子不能进入此区，称之为禁带；27导体、绝缘体、半导体的能带的结构28P型半导体：含有易于接受电子的杂质，半导体满带中的电子输入杂质中而产生空穴，该杂质叫受主杂质。半导体分类：本征半导体：不含杂质，具有理想的完整的晶体结构，有电子和空穴例如Si、Ge、PbS、Fe3O4等。N型半导体：含有能供给电子的杂质，此杂质的电子输入空带成为自由电子，空带变成导带。该杂质叫施主杂质。29导体本征半导体n-型半导体p-型半导体绝缘体各种固体的能带结构30当金属氧化物引入杂质离子或原子。杂质是以原子、离子或集团分布在金属氧化物晶体中，存在于晶格表面或晶格交界处。这些杂质可引起半导体禁带中出现杂质能级。金属氧化物的非化学计量产生N型、P型半导体。金属氧(硫)化物中的缺陷非化学计量化合物具有半导体特性315.2.2.n型和p型半导体生成A.n型半导体的生成a.含有过量金属原子的非化学计量化合物如：氧化锌中含过量锌ZnO→Zn+0.5O2，ZnO+H2→Zn+H2O32b.用高价离子取代晶格中的正离子c.通过向氧化物晶格间隙掺入电负性较小的杂质如：ZnO中掺入Li，以生成Zn+，Li+33a.氧化物中正离子缺位的非化学计量化合物b.用低价正离子取代晶格中的正离子c.向晶格中掺入电负性较大的间隙原子B.p型半导体的生成345.2.3.杂质对半导体催化剂费米能级Ef、逸出功和电导率的影响A.Ef与电子的逸出功φ。Ef费米能级是半导体中电子的平均位能。φ逸出功是指把电子从半导体中拉出所需要的最低能量。逸出功是克服电子平均势能所需的能量。35半导体的逸出功φ大小顺序为：n型半导体本征半导体p型半导体不同导体的逸出功和费米能级36B.杂质对半导体催化剂的影响1、n型半导体A）加入施主型杂质，EF↗Φ↘导电率↗B）加入受主杂质，EF↘Φ↗导电率↘2、p型半导体A）加入施主型杂质EF↗Φ↘导电率↘B）加入受主型杂质EF↘Φ↗导电率↗37A.半导体的能带结构:半导体能带不迭加，形成分立的带：满带、空带→导带、禁带(能量宽度为Eg)。满带：凡是能被子电子完全充满的能带；导带：凡是能带没有完全被电子充满的；空带：根本没有填充电子的能带；禁带：在导带（空带）和满带之间没有能级不能填充电子这个区间叫禁带。半导体的禁带宽度一般在0.2-3eV。内容回顾：38金属的Eg为零，绝缘体的Eg很大(5~10eV)，各种半导体的Eg居于金属和绝缘体之间(0.2~3eV)。Fermi能级Ef。Ef越高电子逸出越易。本征半导体，Ef在禁带中间；n-型半导体，Ef在施主能级与导带之间；p-型半导体，Ef在受主能级与满带之间39B、半导体分类：n-型半导体ZnO；施主能级―提供电子的附加能级(靠近导带)p-型半导体NiO；受主能级―空穴产生的附加能级(靠近满带)。40n型半导体生成条件A）非化学计量比化合物中含有过量的金属原子或低价离子可生成n型半导体。B）氧缺位C）高价离子取代晶格中的正离子D）引入电负性小的原子。P型半导体生成条件A）非化学计量比氧化物中出现正离子缺位。B）用低价正电离子取代晶格中正离子。C）向晶格掺入电负性大的间隙原子。41C.杂质对半导体催化剂的影响1、n型半导体A）加入施主型杂质，EF↗Φ↘导电率↗B）加入受主杂质，EF↘Φ↗导电率↘2、p型半导体A）加入施主型杂质EF↗Φ↘导电率↘B）加入受主型杂质EF↘Φ↗导电率↗42过渡金属氧(硫)化物催化物的应用及类型1金属氧(硫)化物中的缺陷及半导体性质2半导体催化的化学吸附与电子催化理论3过渡金属氧化物催化剂的氧化——还原机理4过渡金属氧化物中晶体场的影响5过渡金属氧化物催化剂典型案例剖析6435.3.1.化学吸附A.受电子气体吸附（以O2为例）(1)n型半导体O2电负性大，容易夺导带电子，随氧压增大而使导带中自由电子减少，导电率下降。另一方面在表面形成的负电层不利于电子进一步转移，结果是氧在表面吸附是有限的。(2)p型半导体O2相当于受主杂质，可接受满带的电子增加满带空穴量，随氧压的增加导电率增大，由于满带中有大量电子，因此吸附可一直进行，表面吸附氧浓度较高44B.施电子气体吸附（以H2为例）对于H2来说，不论在n型还是p型氧化物上以正离子(H+)吸附于表面，在表面形成正电荷，起施主作用。Ef都增加，φ下降，导电率？？？45吸附气类型吸附物种吸附剂吸附位EFφ导电率受电子气体(O2)N型V2O5O2→O2-O-,O22-,O2-V4+→V5+负离子吸附在高价金属上↘↗↘P型Cu2OO2→O2-O-,O22-,O2-Cu+→Cu2+负离子吸附在高价金属上↘↗↗施电子气体(H2)N型ZnO1/2H2→H+Zn2+→Zn+正离子气体吸附在低价金属离子上↗↘↗P型NiO1/2H2→H+Ni3+→Ni2+正离子气体吸附在低价金属离子上↗↘↘46C.半导体催化剂的化学吸附键类型（1）弱吸附键自由电子或空穴没有参与吸附键形成，被吸附分子保持中性（2）受主吸附键（强n）吸附分子从半导体表面得到电子，以负离子态吸附（3）施主吸附键（强p）吸附分子将电子转移给半导体，以正离子态吸附475.3.2.氧化物催化剂的半导体机理A.电子机理A+BCA-B-施主键受主键ee48例：CO在NiO上氧化反应CO+1/2O2=CO2△H=272KJ/mol(1)O2在NiO上发生吸附时，电导率由10-11-1cm-1上升为10-7-1cm-1。(2)测得O2转为O-吸时量热法测得微分吸附热为41.8kJ/mol，(3)测得CO在NiO上微分吸附热是33.5kJ/mol，而在已经吸附了O2的催化剂表面微分吸附热是293kJ/mol。这表明CO与NiO吸附不是一般的化学吸附而是化学反应。49CO在NiO上氧化反应机理Ni2++1/2O2(g)Ni3++O-(吸)q吸=41.8kJ/molNi3++O-(吸)+CO(g)Ni2++CO2(吸)q吸=293kJ/molCO2(吸)CO2(g)q吸=-62.8kJ/mol1/2O2(g)+CO(g)CO2(g)H=272kJ/mol53过渡金属氧(硫)化物催化物的应用及类型1金属氧(硫)化物中的缺陷及半导体性质2半导体催化的化学吸附与电子催化理论3过渡金属氧化物催化剂的氧化——还原机理4过渡金属氧化物中晶体场的影响5过渡金属氧化物催化剂典型案例剖析6545.4.1.金属—氧键强度对催化反应的影响过渡金属氧化物的多相氧化反应是通过催化剂的反复氧化还原进行的。55顶端：△Hf(PdO)=1/2△Hf左边：金属-氧键吸附弱，难氧化右边：金属-氧键吸附强，难脱附575.4.2.氧化还原机理氧化物在催化烃类氧化反应中的机理说明起催化作用的不是气相中的氧，而是晶格中的氧58同位素标记法5960还原度与丙烯氧化转化率关系61过渡金属氧(硫)化物催化物的应用及类型1金属氧(硫)化物中的缺陷及半导体性质2半导体催化的化学吸附与电子催化理论3过渡金属氧化物催化剂的氧化——还原机理4过渡金属氧化物中晶体场的影响5过渡金属氧化物催化剂典型案例剖析662H2-D2交换反应第一个峰大多出现在电子构型为d3（Cr2O3，MnO2）处第二个峰大多出现在电子构型为d6~d7（Co3O4）处d0，d5，d10电子构型的氧化物(TiO2，Fe2O3，MnO，CuO）几乎在所有反应中都是活性最低的635.5.1.过渡金属氧化物晶体场稳定化能A.晶体场理论晶体中的中央离子与其周围配体的相互作用是纯粹的静电作用，由于静电作用不可能具有球形对称，中心离子的d轨道能级在配位体电场作用下，会分裂为几个能量不同的小组，即能量分裂6465B.晶体场稳定化能CFSE晶体场稳定化能：在晶体场作用下，d轨道发生能级分裂，电子进入分裂轨道后的总能量往往低于未分裂前的总能量，这个总能量的下降值称晶体场稳定化能66氧化物中过渡金属离子的10Dq值d电子数离子10Dq/kJd电子数离子10Dq/kJ0Sc2+05Mn2+92.11Ti3+209.3Fe3