全控型器件

全控型器件GTO、GTR和电力MOSFET、IGBT各自的优缺点，应用场合及其所属类型。器件GTO(门极可关断晶体管)GTR(电力晶体管)电力MOSFET(电力场效应晶体管)IGBT(绝缘栅双极型晶体管)优点电压、电流容量很大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低开关速度快，开关损耗小，工作频率高，门极输入阻抗高，热稳定性好，需要的驱动功率小，驱动电路简单，没有二次击穿问题开关速度高,开关损耗小,通态压降较低,电压、电流容量较高，门极输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单缺点电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂.开关频率低开关速度低,电流驱动型,需要驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题电流容量小,耐压低,通态损耗较大,一般适用于高频小功率场合开关速度不及电力MOSFET，电压、电流容量不及GTO应用场合主要用于中等容量的牵引驱动中在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域所属类型是晶体管的一种派生器件，可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断，属于全控型器件是一种电流控制的双极双结电力电子器件是一种电压控制型单极晶体管，是通过栅极电压来控制漏极电流的绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件