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1第二篇材料电子显微分析第八章电子光学基础第九章透射电子显微镜第十章电子衍射第十一章晶体薄膜衍衬成像分析第十二章高分辨透射电子显微术第十三章扫描电子显微镜第十四章电子背散射衍射分析技术第十五章电子探针显微分析第十六章其他显微结构分析方法2扫描电子显微镜的成像原理与透射电镜完全不同,不是利用电磁透镜聚焦成像,而是利用细聚焦电子束在样品表面扫描,用探测器接收被激发的各种物理信号调制成像目前,扫描电子显微镜二次电子像的分辨率已优于3nm,高性能的场发射枪扫描电子显微镜的分辨率已达到1nm左右,相应的放大倍数可高达30万倍与光学显微镜相比,扫描电子显微镜不仅图像分辨率高,而且景深大,因此在断口分析方面显示出十分明显的优势扫描电子显微镜开始发展于20世纪60年代,随其性能不断提高和功能逐渐完善,目前在一台扫描电镜上可同时实现组织形貌、微区成分和晶体结构的同位分析,现已成为材料科学等研究领域不可缺少的分析工具第十三章扫描电子显微镜3第十三章扫描电子显微镜本章主要内容第一节电子束与固体样品作用时产生的信号第二节扫描电子显微镜的构造和工作原理第三节扫描电子显微镜的主要性能第四节表面形貌衬度原理及其应用第五节原子序数衬度原理及其应用4第一节电子束与样品相互作用产生的信号样品对入射电子束的作用主要是散射,其中包括弹性散射和非弹性散射。这一过程产生的信号主要有,背散射电子、吸收电子和透射电子,还有韧致辐射(连续X射线)入射电子对样品的作用主要是原子电离,这一作用产生的信号主要有,二次电子、特征X射线和俄歇电子,此外还有阴极荧光等信号以下将分别介绍各种物理信号及其特点,以及所反映的样品性质和用途图13-1所示为电子束与样品作用产生的主要信号图13-1电子束与固体样品作用产生的信号5一、背散射电子被样品原子散射,散射角大于90而散射到样品表面以外的一部分入射电子称为背散射电子,包括弹性背散射电子和非弹性散射背散射电子产生于样品表层几百纳米的深度范围能量范围较宽,从几十到几万电子伏特产额随样品平均原子序数增大而增大,所以背散射电子像的衬度可反映对应样品位置的平均原子序数背散射电子像主要用于定性分析材料的成分分布和显示相的形状和分布第一节电子束与样品相互作用产生的信号6二、吸收电子入射电子进入样品后,经多次非弹性散射使其能量消耗殆尽,最后被样品吸收,这部分入射电子称吸收电子产生于样品表层约1微米的深度范围产额随样品平均原子序数增大而减小。因为,在入射电子束强度一定的情况下,对应背散射电子产额大的区域吸收电子就少,所以吸收电子像也可提供原子序数衬度吸收电子像主要也用于定性分析材料的成分分布和显示相的形状和分布第一节电子束与样品相互作用产生的信号7三、透射电子若入射电子能量很高,且样品很薄,则会有一部分电子穿过样品,这部分入射电子称透射电子透射电子中除了能量和入射电子相当的弹性散射电子外,还有不同能量损失的非弹性散射电子,其中有些电子的能量损失具有特征值,称为特征能量损失电子特征能量损失电子的能量与样品中元素的原子序数有对应关系,其强度随对应元素的含量增大而增大利用电子能量损失谱仪接收特征能量损失电子信号,可进行微区成分的定性和定量分析第一节电子束与样品相互作用产生的信号8四、二次电子在入射电子作用下,使样品原子的外层价电子或自由电子被击出样品表面,称为二次电子产生于样品表层5~10nm的深度范围能量较低,一般不超过50eV,大多数均小于10eV其产额对样品表面形貌非常敏感,因此二次电子像可提供表面形貌衬度二次电子像主要用于断口分析、显微组织分析和原始表面形貌观察等第一节电子束与样品相互作用产生的信号9电子信号强度的关系如果使样品接地,上述四种电子信号强度与入射电子强度(i0)之间应满足ib+is+ia+it=i0(13-1)式中,ib、is、ia和it分别为背散射电子、二次电子、吸收电子和透射电子信号强度。上式两端除以i0得+++=1(13-2)式中,、、和分别为背散射、发射、吸收和透射系数上述四个系数与样品质量厚度的关系如图13-2所示第一节电子束与样品相互作用产生的信号图13-2铜样品、、及与t的关系(入射电子能量E0=10keV)10五、特征X射线如前(第一章)所述,当入射电子能量足以使样品原子的内层电子击出时,原子处于能量较高的激发态,外层电子将向内层跃迁填补内层空位,发射特征X射线释放多余的能量产生于样品表层约1m的深度范围其能量或波长与样品中元素的原子序数有对应关系其强度随对应元素含量增多而增大特征X射线主要用于材料微区成分定性和定量分析第一节电子束与样品相互作用产生的信号11六、俄歇电子处于能量较高的激发态原子,外层电子将向内层跃迁填补内层空位时,不以发射特征X射线的形式释放多余的能量,而是向外发射外层的另一个电子,称为俄歇电子产生于样品表层约1nm的深度范围其能量与样品中元素的原子序数存在对应关系,能量较低,一般在50~1500eV范围内其强度随对应元素含量增多而增大俄歇电子主要用于材料极表层的成分定性和定量分析第一节电子束与样品相互作用产生的信号12第二节扫描电镜的构造和工作原理如图13-3所示,扫描电子显微镜由电子光学系统,信号收集和图像显示记录系统,真空系统三个基本部分组成图13-3扫描电子显微镜的结构原理图13一、电子光学系统(镜筒)1.电子枪扫描电镜中的电子枪与透射电镜基本相同,也有热发射和场发射两种,只是加速电压较低,一般最高为30kV2.电磁透镜扫描电镜中的电磁透镜并不用于聚焦成像,而均为聚光镜,它们的作用是把电子束斑尺寸逐级聚焦缩小,从电子枪的束斑50m缩小为几个纳米的电子束扫描电镜一般配有三个聚光镜,前两级聚光镜为强磁透镜;末级透镜是弱磁透镜,具有较长的焦距,习惯上称之为物镜。扫描电镜束斑尺寸约为3~5nm,场发射扫描电镜可小至1nm第二节扫描电镜的构造和工作原理14一、电子光学系统3.扫描线圈扫描线圈的作用是使电子束偏转,并在样品表面作有规则的扫描,两种方式见图13-4表面形貌分析时,采用光栅扫描方式,电子束在样品表面扫描出方形区域电子通道花样分析时,采用角光栅(摇摆)扫描方式扫描线圈同步控制电子束在样品表面的扫描和显像管的扫描图13-4电子束的扫描方式a)光栅扫描b)角光栅扫描第二节扫描电镜的构造和工作原理15一、电子光学系统4)样品室样品室位于镜筒的最下方,除了放置样品外,还要在合适位置安放各种信号探测器样品台是一个复杂而精密的组件,应能可靠地承载或夹持样品,并使样品能够实现平移、倾斜和旋转等动作,以便对样品上每一特定位置或特定方位进行分析新式扫描电镜的样品室相当于一个微型试验室,附有多种控制功能,如可使样品进行加热、冷却、拉伸、弯曲等试验样品室一般设置为高真空状态。目前有些扫描电镜,可根据分析需要,将样品室设置为低真空或环境真空第二节扫描电镜的构造和工作原理16二、信号收集和图像显示记录系统1)信号收集二次电子、背散射电子等信号,采用闪烁计数器检测。电子信号进入闪烁体后即引起电离,离子和自由电子复合后产生可见光,可见光信号进入光电倍增管,光信号放大又转化为电流信号输出,电流信号经视频放大器放大后成为调制信号2)图像显示样品上入射电子束和显像管中的电子同步扫描,荧光屏上每一像点的亮度,对应于样品相应位置的信号强度。因此若样品上各点的状态不同,接收到的信号强度也不同,对应于荧光屏上像点的亮度就不同,所以在荧光屏上显示出反映样品表面状态的图像第二节扫描电镜的构造和工作原理17三、真空系统为保证扫描电子显微镜正常工作,对镜筒内的真空度有一定要求一般情况下,若镜筒真空度达到1.3310-2~1.3310-3Pa,就可防止电子枪极间放电和样品污染,对于场发射枪则需要更高的真空度图13-5为扫描电子显微镜的实物照片图13-5S-3000N型扫描电镜外观图第二节扫描电镜的构造和工作原理18第三节扫描电子显微镜的主要性能一、分辨率扫描电镜的分辨率的高低和检测的信号种类有关,因为不同信号产生于样品的深度范围不同,见表13-1由表13-1可见,产生俄歇电子的样品深度最小,其次为二次电子,吸收电子和特征X射线产生的样品深度范围最大如图13-6,电子束在样品中一般扩展成一个滴状区域,其扩展区域深度和形状受加速电压和样品原子序数的影响,扩展区域随加速电压升高而增大,随样品原子序数增大而减小信号二次电子背散射电子吸收电子特征X射线俄歇电子深度范围5~1050~200100~1000100~10000.5~2表13-1各种信号来自样品表面的深度范围(nm)19一、分辨率下图所示为在不同加速电压下,电子束在样品中扩展区域的计算机模拟结果25kV15kV5kV加速电压对电子束的扩展区域的影响第三节扫描电子显微镜的主要性能20一、分辨率下图所示为加速电压一定时,电子束在不同样品中扩展区域的计算机模拟结果Ag47C6Fe26样品原子序数对电子束的扩展区域的影响第三节扫描电子显微镜的主要性能21第三节扫描电子显微镜的主要性能一、分辨率由图13-6可知,各种信号成像分辨率将随着信号产生的深度范围增大而下降。因为随着深度距离增大,电子束横向扩展范围也增大因电子的平均自由程很短,而二次电子的能量很低,较深范围产生的二次电子不能逸出表面;较深范围产生的俄歇电子因受样品非弹性散射而失去特征能量由于产生二次电子的样品区域小,因此二次电子图像分辨率高图13-6电子束的扩展区域22一、分辨率因产生背散射电子的深度范围较大,电子束在此深度的横向扩展范围也变大,所以背散射电子像的分辨率低于二次电子像;而产生吸收电子深度范围更大,因此相应的图像分辨率更低因二次电子像的分辨率最高,习惯用二次电子像分辨率作为扫描电镜分辨率指标特征X射线和俄歇电子用于成分分析,通常把产生这些信号的样品区域,称作为微区成分析的空间分辨率第三节扫描电子显微镜的主要性能图13-6电子束的扩展区域23一、分辨率如图13-7所示,通常采用真空蒸镀的金膜颗粒样品,测定扫描电镜的分辨率。在照片中测出颗粒的最小间距在处以放大倍数即为扫描电镜的图像分辨率如在照片中测出颗粒的最小间距0.30mm,照片的放大倍数为30万倍,则分辨率为1nm;二次电子像分辨率将随加速电压减小而下降图13-7二次电子像分辨率的测定第三节扫描电子显微镜的主要性能24二、放大倍数入射电子束在样品表面扫描的幅度为As,相应地在荧光屏上阴极射线同步扫描的幅度为Ac,Ac和As的比值即为扫描电镜放大倍数由于扫描电镜荧光屏尺寸固定不变,因此只需改变电子束在样品上的扫描区域的大小,即可改变放大倍数。如荧光屏宽度为Ac=100mm,电子束在样品上的扫描幅度As=0.05mm,则放大倍数为2000倍选用放大倍数的原则是,在能够分辨样品上最小的结构细节的前提下,应尽可能选用较低的放大倍数,以便观察较大的样品区域scAAM第三节扫描电子显微镜的主要性能25一、二次电子成像原理二次电子像中像点的亮度取决于对应样品位置二次电子的产额,而二次电子产额对样品微区表面的取向非常敏感,见图13-8。二次电子的产额取决于产生二次电子的样品体积图13-8二次电子成像原理第四节表面形貌衬度原理及其应用26第四节表面形貌衬度原理及其应用一、二次电子成像原理随微区表面法线相对于电子束方向间夹角增大,激发二次电子的有效深度增大,二次电子的产额随之增大由图13-8可见,=0时,二次电子产额最小;=45时,其产额增大;=60时,二次电子产额更大图13-8二次电子成像原理27一、二次电子成像原理根据上述原理,二次电子成像衬度如图13-9所示,图中B平面的倾斜程度最小,二次电子的产额最少,像亮度最低;C平面的倾斜程度最大,像亮度也最大而图像中像点的亮度最终取决于检测到的二次电子的多少。如图13-10,凸出于表面的尖角、颗粒等部位图像较亮;凹槽处图像较暗,因为虽然此处二次电子产额较大,但不易被接收图13-9二次电子成像衬度示意图第四节表面形貌衬度原理及其应用图13-10实际样品中二次电子的激发示意图a)凸出尖角b)小颗
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