模拟电子技术基础习题

模拟电子技术基础习题第一章半导体二极管及其应用电路第二章半导体三极管及其放大电路第三章场效应晶体管及其放大电路第四章集成运算放大器第六章运放应用电路第七章功率放大电路第八章波形发生和变换电路第九章直流稳压电源第五章负反馈放大电路第十章晶闸管及其应用第十一章～第二十一章应用篇第一章半导体二极管及其应用电路一、填空：1．半导体是导电能力介于_______和_______之间的物质。2．利用半导体的_______特性，制成杂质半导体；利用半导体的_______特性,制成光敏电阻，利用半导体的_______特性,制成热敏电阻。3．PN结加正向电压时_______，加反向电压时_______，这种特性称为PN结的_______特性。4．PN结正向偏置时P区的电位_______N区的电位。导体绝缘体掺杂光敏热敏单向导电截止高于导通5．二极管正向导通的最小电压称为______电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______电压.6．二极管最主要的特性是，使用时应考虑的两个主要参数是和_。7．在常温下，硅二极管的死区电压约_______V，导通后在较大电流下的正向压降约_______V。死区单向导电击穿最大整流电流最大反向工作电压0.50.78．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流的正向压降约为_______V。9．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的_______性能越好。10．稳压管工作在伏安特性的________区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压_______。0.1V0.3单向导电反向击穿基本不变11．理想二极管正向电阻为________，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个_______。12．当温度升高时，二极管的正向特性曲线将________，反向特性曲线将_______。13．当温度升高时，二极管的正向电压降_______，反向击穿电压________，反向电流________。0无穷大开关左移下移减小减小增大14.整流电路的作用是________，核心元器件是_______。15.滤波电路的作用是________，滤波电路包含有_______元件。16.单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大的是_______，整流效果好的是_______。17.在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反接，则________，如果任意一只二极管脱焊，则_______。将交流电变成脉动的直流电二极管降低输出直流电中的脉动成分储能单相半波单相桥式电源短路成为半波整流二、选择题：1.二极管的导通条件是()。A.B.死区电压C.击穿电压。2.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加10％，它的电流()。A.基本不变B.增加10％C.增加10％以上3.硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增大10％，它的电流()。A.基本不变B.增加10％C.增加10％以上4.用万用表的档和档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为和，则与的关系为()。A.B.C.0DUDUDU100RKR11R2R1R2R21RR21RR21RR5.当温度为时，二极管的导通电压为0.7V，若其他参数不变，当温度升高到时，二极管的导通电压将()。A.等于0.7VB.小于0.7VC.大于0.7V6.如图所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、VD3的工作状态为()。A.VD1导通，VD2、VD3截止B.VD2导通，VD1、VD3截止C.VD3导通，VD1、VD2截止C20C408.电路如图所示,VD1～VD3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_______。A.BB.CC.A7.在图示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V，VDZ2的稳定电压为15V，输出电压等于()。A．15VB．9VC．24VOU9．理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承受的最大反向电压为_______。A．小于B.等于C.大于，小于D.等于10．单相桥式整流电容滤波电路，当满足（3～5）时，负载电阻上的平均电压为_______。A.1.1U2B.0.9U2C.1.2U2D.0.45U222U22U22U222U222UCRL2T11．所示电路图中，（忽略导通压降）用示波器观察的波形正确的是_______。)(sin10Vtuiou12.有三个整流电路A、B、C，变压器副边电压，负载电压的波形如图所示，符合该波形的电路是_______。三、判断题1.在二极管的反向截至区，反向电流随反向电压增大而增大。（）2.如果稳压管工作电流则管子可能被损坏。（）3.指针式万用表的红表笔（正端）接二极管的正极，黑表笔（负端）接二极管的负极，测得的是二极管的正向电阻。（）4.桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同，都只有负载电流的一半。（）5.当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路的输入电压相同时，它们的输出电压波形相同，每个二级管承受的反向电压相同。（）×××√×四、分析计算：1.判断下列电路中二极管的工作状态。VD1导通，VD2截止VD截止2.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压。截止0VOU导通+11.3V截止+6V导通+0.7V导通-12.7V3.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压。OUVUO7.0导通VDVDVDVDVD4321导通　　　截止，截止，导通，VUO3.74.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压。OUVDVD21　　　3.5导通截止，OVUVD　　　3.11导通OVU5.电路如图所示，设，，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。VE6)(sinVtui121ou5.电路如图所示，设，，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。VE6)(sinVtui122ou5.电路如图所示，设，，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。VE6)(sinVtui123ou6．图示电路中，已知2CW5的参数如下：稳定电压，最大稳定电流，若流经电压表V的电流可忽略不计。求：1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？3)开关S合上，且输入电压由原来30V上升到33V时，此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？VUZ12mAIZM20V：12VA1：12mAA2：6mAIZ：12mAV：12VA1：14mAA2：6mA7．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示(V)试求：（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；（2）正常工作时，Uo=？（3）若电容脱焊，Uo=？（4）若RL开路，Uo=？（5）若其中一个二极管开路，Uo=？tusin210212V9V14V10V8.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示，(V)试求：（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；（2）正常工作时，Uo=？（3）若电容脱焊，Uo=？（4）若RL开路，Uo=？（5）若其中一个二极管开路，Uo=？tusin220228V18V24V20V第二章半导体三极管一、填充题1.三极管从结构上看可以分成＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两种类型。2.晶体三极管工作时有＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿两种载流子参与导电，因此三极管又称为＿＿＿＿＿＿晶体管。3.设晶体管的压降不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则=____。若基极电流增大至25μA，集电极电流相应地增大至2.6mA，则=____。CEU100120NPNPNP自由电子空穴双极型4.三极管的电流放大作用是指三极管的＿＿＿＿＿电流约是＿＿＿＿＿电流的倍，即利用＿＿＿＿＿电流，就可实现对＿＿＿＿＿电流的控制。5.某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，穿透电流Iceo=0则其集电极电流等于____，电流放大系数β等于____。6.当三极管工作在＿＿＿＿区时，关系式IC≈βIB才成立，发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。7.当三极管工作在＿＿＿＿区时，IC≈0；发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿偏置。集电极基极基极集电极0.98mA49放大正向反向截止零或反向反向8.当三极管工作在＿＿＿＿区时，UCE≈0。发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，＿＿＿＿极和＿＿＿＿极电位差等于＿＿＿＿。10.当PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，UBE等于＿＿＿＿。11.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为,试判断三极管的类型是＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。VVVVVV5.1,2.1,4321集电饱和正向发射基0.7V正向发射发射集电-0.3VPNP锗12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为，,三个电极分别1为＿＿＿＿＿＿，2为＿＿＿＿＿＿，3为＿＿＿＿＿＿。13.温度升高时，三极管的电流放大倍数β将＿＿＿＿；穿透电流ICEO将＿＿＿＿；发射极电压UBE将＿＿＿＿。14.温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将____移，输出特性曲线将____移，而且输出特性曲线之间隔将变____。VVVVVV5.1,2.1,4321CEB增大增大减小左上宽15.查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写在下表中16.某放大电路，当输入电压为10mV时，输出电压为7V，当输入电压为15mV时，输出电压为6.5V。则该电路的电压增益为＿＿＿＿＿＿。17.直流放大器能放大＿＿＿＿＿＿，交流放大器能放大＿＿＿＿＿＿。－100交直流信号交流信号3AD30C3DD15D3DG805018.当静态工作点设置偏低时，会引起＿＿＿＿失真，单级共射放大电路输出电流波形的＿＿＿半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调＿＿＿。19.当静态工作点设置偏高时，会引起＿＿＿＿失真，单级共射放大电路输出电压波形的＿＿＿半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调＿＿＿。20.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响最大的是＿＿＿＿＿＿。21.三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是电路，与相位相同是电路。截止负小饱和负大温度引起的参数变化共射放大共基和共集放大22.三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流放大的是＿＿＿＿＿＿电路，有电流放大无电压放大的是＿＿＿＿＿＿电路，既有电压放大又有电流放大的是＿＿＿＿＿电路。23.分压偏置的共射极放大电路中的作用是＿＿＿＿＿＿。24.多级放大电路常见的耦合方式有＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿。共基极共集电极共射极稳定靜态工作点直接阻容变压器25.直接耦合放大电路既能放大＿＿＿＿＿＿信号，又能放大＿＿＿＿＿信号，但它存在零漂的问题，常采用＿＿＿＿放大电路来抑制零漂。26.多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益变＿＿＿＿，通频带变＿＿＿＿。直流交流差动大窄二、选择题1．当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于()。A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿2．当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于()。A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿3.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、2.3V和2V，则该三极管的类型为（）。A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型5.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和12V，则该三极管的类型为（）。A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型6.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.7V和-6V，