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模拟电子技术试卷一电子技术测验试卷一一、填空题:将正确的答案填入空格中。(本大题分15小题,每小题2分,共30分)1、在P型半导体中,___kx_______是多数载流子,___zydz_______是少数载流子。2、下图所示电路中,设二极管导通时正向电压为0.7V,则二极管处于__________状态,电流ID=__________。3、振荡器的振幅平衡条件为__________,而起振时,则要求__________。4、两个电流放大系数分别为1和2的BJT复合,其复合管的值约为__________。5、一个由NPN型BJT组成的共射极组态的基本交流放大电路,如果其静态工作点偏低,则随着输入电压的增加,输出将首先出现__________失真;如果静态工作点偏高,则随着输入电压的增加,输出将首先出现__________失真。6、在低频段,当放大电路增益下降到中频增益的__________倍时,所对应的频率称为下限频率。7、放大电路对不同频率的信号具有不同的增益而引起的输出波形失真称为____________________。8、理想运算放大器的差模输入电阻等于__________,开环增益等于__________。9、差动放大电路的共模抑制比定义为______________________________(用文字或数学式子描述均可);在电路理想对称情况下,双端输出差动放大电路的共模抑制比等于__________。10、单相桥式整流电路,若其输入交流电压有效值为10V,则整流后的输出电压平均值等于__________。11、如下图(a)所示电路的输入vi为正弦交流电压,其输出vo的波形如下图(b)所示,则可知功放管__________工作不正常。2kΩ10V5V3kΩDID+VCCT1模拟电子技术试卷一12、下图所示放大电路中引入的反馈组态是____________________。该反馈能稳定电路的输出电__________。13、根据相位平衡条件判断下图所示电路是否可能振荡,答:__________。14、场效应管是__________控制器件。BJT是__________控制器件。15、下图是N沟道JFET的转移特性曲线,可知其饱和漏极电流IDSS=__________。二、单项选择题:将每小题中唯一正确的选项填在括号内。(本大题分10小题,每小题2分,共20分)1、当NPN型BJT的VCEVBE且VBE0.5V时,则BJT工作在()。A、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区321-4-2iD(mA)VGS(V)0t2vo(b)vo+-RLR1vi+-ioC1C2RERB2RB1VCCCL1L2模拟电子技术试卷一2、某负反馈放大电路框图如下所示,则电路的增益ioFXXA为()。A、100B、10C、90D、0.093、电路如下所示,A为理想运放,若要满足振荡的相应条件,其正确的接法是()。A、1与3相接,2与4相接B、1与4相接,2与3相接C、1与3相接,2与5相接D、2与3相接,1与5相接4、下图所示电路,二个稳压管的正向导通压降均为0.7V,稳定电压均为5.3V。图中A为理想运算放大器,所用电源电压为12V。若vi=0.5V,则输出电压vo=()。A、12VB、12VC、6VD、6V5、乙类双电源互补对称功率放大电路中,出现交越失真的原因是()。A、两个BJT不对称B、输入信号过大C、输出信号过大D、两个BJT的发射结偏置为零6、BJT放大电路增益在高频段下降的主要原因是()。A、耦合电容的影响B、滤波电感的影响C、BJT的结电容的影响D、滤波电容的影响A=100XoF=0.09Xi5-+R1RCCRR21234vo+-ARvi+-模拟电子技术试卷一7、下图所示电路实现()运算。A、积分B、对数C、微分D、反对数8、若希望抑制500Hz以下的信号,应采用()类型的滤波电路。A、低通B、带通C、带阻D、高通9、下列电路中,能实现交流放大的是()。A、(a)图B、(b)图C、(c)图D、(d)图10、差动放大电路中所谓共模信号是指两个输入信号电压()。A.大小相等、极性相反B.大小相等、极性相同C.大小不等、极性相同D.大小不等、极性相反三、电路如图所示,设=100,rbb’0,VBE=0.7V,C1、C2足够大,求:1.静态工作点2.画出简化H参数小信号等效电路3.中频电压放大倍数VAViCRVO+-+12V(a)+12V(c)(d)(b)+-vovi++-+12V++++-vovi++-+++-vovi++-++12V++-vovi++-模拟电子技术试卷一4.输入电阻和输出电阻(本大题12分)四、负反馈放大电路如图所示,1.问图中经Rf构成的级间反馈是属于何种类型负反馈?2.若电路满足深反馈条件,试写出闭环电压放大倍数SoVSVVA的表达式。(本大题10分)++-++-+Rb251kΩViVoC1C2CeRe2RCRL24kΩRb1Re12kΩ6kΩ2.2kΩ100ΩT++-vovs++-+VCCRfRC1Re1C1C2T1T2RC2Re212模拟电子技术试卷一五、写出图示电路中vO与vi1与vi2的关系式。(本大题10分)六、用理想运放和BJT组成的稳压电路如图示,要求:1.标出电路中运放两个输入端的极性vo-+3R2-+vi1vi2R2R4R3R1R131模拟电子技术试卷一2.设BJT的VBE0V,计算本电路的输出电压VO3.若运放最大输出电流为10mA,BJT的=200,求输出最大电流IOmax4.当负载RL减小(即IO增加)时,试说明稳压过程(本大题8分)七、在下图所示的差分式放大电路中,设两个BJT完全对称,VBE=0.7V,rbb’=200,2kΩRL3kΩ200Ω6V12VTVo+-模拟电子技术试卷一=50,要求:1.估算T1管的静态值IC1、IB1、VCE12.求双端输入、单端输出(从T2管的集电极输出)时的差模电压增益AVD2=i2i12vvvo3.双端输入时的差模输入电阻rid(本大题10分)RC1vi1T1+12VRC2RET2-12Vvi210kΩ10kΩvo210kΩ10kΩ10kΩ模拟电子技术试卷一模电试卷一答案一、填空题(15小题,每小题2分,共30分)1、空穴,自由电子2、导通,2.75mA3、|AF|=1,|AF|14、β1β25、截止,饱和6、0.707(或21)7、频率失真(线性失真)8、∞,∞9、|Ad/Ac|,∞10、9V11、T112、电流串联负反馈,流13、能14、电压,电流15、3mA二、单选题(10小题,每小题2分,共20分)1、B2、B3、A4、C5、D6、C7、C8、D9、B10、B三、(12分)解:1、2、3、VRRIRIVVmAIImAIImAIImARRVIVVRRRVeeECCCCEEECBCEBeeBEccbbbB15.6)2.21.0(37.1235.112)()37.1(35.1.9.26137.122001007.084.37.084.3125124242121212或8.1137.65.1501.05127.16250)1(||27.1126837.126)501(30010KkKRrRRVVAKrebeCCiVbe+-ViVo+-Rb2IbRCRLrbeIbRb1模拟电子技术试卷一4、5、出现饱和失真和截止失真(说出一个得一分)四、(10分)解:1、是电压并联负反馈2、五、(10分)解:对于第2个运放:根据得:六、(8分)解:1、上“+”下“-”KRRKRCrRRRCoebebbi258.437.6||32.16]1[||||1121sfsovsfifofssiiRRVVAIIRVIRVIu//0得根据11111110134)311()1(iiifvvRRvRRvi1222123oooNipvRRRvvvvvobooLoooVVVVIRAmAmAIVVV)(22000200101010635max)(441212212iiooooiNpvvvvRRvvvvv模拟电子技术试卷一2、3、4、七、(10分)解:1、静态时,vi1=vi2=02、3、KKrRrbebid1.5)526.210(2)(2VVKIIVmAIImAmAIVIKIEcCEBCBKBB712102101256.02.11502.110112.010512107.01201210)1(27.0101111111120)526.210(210501010526.257.02651200)(222VDbCbebebCVDAKRKRKrrRRA
本文标题:电子技术基础试题
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