晶硅太阳能电池技术研究

25%效率晶体硅基太阳能电池的最新进展2016-10-04摘要：综述了目前光电转换效率达到25%的单结非聚光晶体硅基太阳能电池研究的最新进展，阐述发射极钝化-背部局域扩散电池结构、叉指背接触结构、异质结结构和异质结背接触结构太阳能电池高效率的原因，并结合我国硅基光伏产业现状进行了发展趋势预测和技术需求分析。1引言在应对全球能源资源短缺、气候变暖和人类生态环境恶化的危机中，越来越多的国家开始实行“阳光计划”[1-2]，开发和应用无污染可再生的太阳能资源。其中尤以光伏发电的发展最为迅速，太阳能电池是光伏发电的核心，可以直接将太阳能转化为人类使用的电能。硅基太阳能电池作为第一代电池，目前依然是世界上产量和安装量最高的太阳能电池，其规模占所有光伏电池的90%以上，在未来一段较长的时间内依然是主要形式。因此，世界各主要国家一直未停止对硅基太阳能电池的研究、开发、应用和市场推广，考虑到晶硅太阳能电池作为新能源形式的重要地位，与其相关的国际贸易战争和技术革新将进一步延续。光电转换效率是衡量太阳能电池技术水平的关键指标，自1954年Bell实验室的Chapin等[3]报道效率达到6%的Si基pn结太阳能电池以来，围绕提升硅太阳能电池效率的努力未曾停止过。在过去60年里，在电池材料、结构、工艺、技术路线等方面的革新使得单结硅太阳能电池效率得到了极大提高并实现了产业化生产，如扩散、镀膜等经典半导体工艺的使用和改进是早期电池效率提升的主要原因，而电池结构和工艺流程如制绒工艺、光刻工艺、钝化发射级、钝化发射级背接触技术、钝化发射极背面局域扩散技术等的引入在20世纪八九十年代的电池效率提升中扮演了主要的角色。1999年，澳大利亚新南威尔士大学的钝化发射极背面局域扩散电池(PERL)效率达到了25%[4-5]，目前仍然是单晶硅电池效率的世界记录之一。此后的15年间，硅基太阳能电池市场迅速发展壮大，更多的研究围绕降低硅太阳能电池成本、优化相关材料性能、简化制造流程和实现大规模生产的高重复性开展工作，与之前纯粹追求最高效率不同，目前的硅电池研究需要同时兼顾成本和效率，更多的研究主体是企业带领的研究团队进行攻关以应对未来市场，因此技术路线的选择尤其重要。PERL电池虽然取得了效率上的成功，但是受限于成本和工艺复杂性，该技术未能成为产业电池的方案。2014年，现代太阳能电池诞生60周年的日子，硅基光伏取得了重要的突破，两种新结构的单结硅太阳能电池达到了25%效率。美国的sunpower公司产业线上大尺寸的叉指背接触结构的太阳能电池(IBC)效率达到了25%[6]，日本夏普公司研制的异质结背接触结构的太阳能电池(HBC)达到了25.1%[7]，紧随其后，松下公司将大尺寸的HBC电池效率做到了25.6%[8]，实际上这些公司进行的效率比赛也预示产业化中的高效率电池路线。本文探讨这些效率高达25%的大尺寸非聚光-单结硅基太阳能电池的新结构原理和技术路线，采用成本和效率两个衡量标准考量技术方案的应用前景.并对国内企业应对提升晶体硅电池转化效率给出建议。2硅基太阳能电池基础结构目前典型的硅基太阳能电池的横截面结构如图1所示，太阳光从电池正面入射，正面的电极会遮挡一部分光线，其余太阳光线经过电池减反射层实现最大程度的吸收，然后到达硅发射层与硅衬底形成的耗尽层区域，在耗尽层区域，能量超过硅禁带宽度的光子激发出的载流子，在内建电场的作用下实现分离，电子和空穴在这种分离的作用下分别被正面和背面的电极所吸收，就产生了光电流。硅基太阳能电池于1954年发明，最初主要应用于外太空作为供电的能源，在60年代美国和苏联太空竞赛背景下得到长足的发展，之后几十年一直处于实验室研究阶段，在90年代之后开始在商业应用上有所发展。在太阳能电池研究的几十年内，电池光电转换效率的逐步提高和生产成本的逐步降低是硅基太阳能电池得到民用的关键因素。在这其中，表面织构化、减反射层的制作，前表面钝化和铝背场结构等关键工艺的突破是其中的关键。表面织构化是通过制作表面机械结构增加电池对于光的吸收率，比较常见的是金字塔结构、倒金字塔结构和纳米微结构等，应用最广的织构化方法是湿法腐蚀[9]。效率较高的织构化为倒金字塔结构，入射到这个结构上的大多数光会在入射的第一个点上进入金字塔的侧壁，大多数光耦合进入电池，反射的光将朝下反射，至少多出一次机会进入电池，同时，倒金字塔结构对于电池背部反射回的光有抑制其逃逸的作用，因而得到广泛应用。减反射层是为了改善电池对于入射光的吸收率而制作的薄膜结构。基于光的波动理论，1/4波长厚度的减反射涂层对于对应波长有最大程度的增透作用[10]。对于实验室电池而言，最常用的减反射技术是生长一层薄的热氧化膜和通过蒸发ZnS和MgF2层生成双层减反射涂层。但是，现在几乎所有的光伏公司均采用了等离子增强化学气相沉积(PECVD)氢化氮化硅作为减反射结构，优点在于其优秀的折射率、极好的表面和体钝化性质。前表面钝化是通过镀薄膜结构减小电池表面复合的工艺，未经钝化的电池表面有大量表面态，光照激发的电子-空穴对在表面复合十分严重，对电池性能影响较大，前表面钝化就是通过淀积表面态较小的薄膜结构覆盖原表面的过程，一般减反射层就有表面钝化的作用。铝背场结构目前应用在大多数产业化电池中，通过丝印铝浆与硅在577℃温度下铝与硅形成共熔合金，铝硅烧融物再生长在电池背面形成P+/P结得到。铝背场能够在电极处形成良好的欧姆接触，而且有一定的吸杂作用。325%高效率硅基新结构太阳能电池发展现状目前硅基太阳能电池的种类很多，不考虑聚光情况，目前转换效率达到25%的高效率硅基太阳能电池主要有发射极PERL、叉指背接触IBC、异质结HBC等结构，下表总结了目前高效率的硅基太阳能电池，由于HBC电池技术的基础是带有本征非晶硅薄层的异质结太阳能电池(HIT)，下文也将简要介绍下HIT电池。3.1PERL太阳能电池澳大利亚的新南威尔士大学研制了PERL结构的硅太阳能电池，1999年在4cm2的P型FZ硅实现了25%的转换效率(1999年是24.7%，2009年太阳能光谱参照修正之后达到25%的效率)。PERL电池的特点是极好的单晶质量，在晶体硅正反双面均长了SiO2层，良好的钝化特性使得电池界面复合损失很低。金属电极通过10mm×10mm的小孔接触到电池，而且电极接触的半导体部分重掺杂，这种结构能够形成良好的欧姆接触从而减小串联电阻，而且可以抑制接触处载流子复合，被称为选择性点接触工艺[11]。另一个主要的特点是背面的Al电极层和SiO2层，这种组合对于入射到Si/SiO2界面角度在24.7°下的光线有高界面反射率。电池正面各向异性腐蚀形成的倒金字塔结构能够有效地减少入射光的反射，而且对于电池背面反射回的光有高的反射率。这样吸收的光线就能够很大程度上陷在电池内部，提高了电池的量子效率。此外，一层MgF2/ZnS双层结构覆盖在氧化层表面，使得表面反射率进一步降低。这些举措使得PERL电池的内量子效率显著提高，蓝光处内量子效率甚至达到了100%。PERL电池一直是高效硅基太阳能电池的代表[12-13]，但其复杂的光刻工艺以及对衬底晶格质量的高要求使得实现成本较高，因而一直没有实现规模生产。3.2IBC太阳能电池1975年，Schwartz和Lammert第一次提出了IBC结构[14-15]，IBC电池的显著特点在于没有正面电极，正负电极均位于电池背面，且正负电极呈现叉指状。当时提出的目的是为了解决由于高照明强度带来的电压饱和问题，而伴随这种结构而来的串联电阻的减小、栅线遮光的移除，对于取得高效率的光伏电池很有帮助，使得IBC电池一直被认为是取得高效率电池的一种有效途径。此外，IBC电池的背面叉指化电极结构有望降低电池片间组装成本，减少铝条焊接工艺。自从IBC结构被提出以后，一直是高效率太阳能电池的研究热点。2011年，ECN实验室利用丝网印刷硼源发射极及热扩散的方式制出了效率为19.1%的IBC电池[16]。2012年，欧洲IMEC实验室分别利用CVD沉积硼源和BBr3气态扩散两种方式制备IBC，发现BBr3气态扩散下有实验最高效率，达到了23.3%[16]。2013年，德国的ISFH实验室研究了IBC电池的背部钝化，比较了SiO2基极电极处钝化与全背场Al2O3钝化的效果，发现SiO2钝化有较高的开路电压，但是填充因子偏小，转化效率大于全背场Al2O3钝化制作的电池，达到了23.1%[17]。目前最高效率的IBC太阳能电池由美国的Sunpower公司保持。2014年，Sunpower公司成功刷新了IBC电池的记录，达到了25.0%的电池效率。Sunpower公司的IBC电池结构如图3所示，采用了N型硅片作为衬底，前表面是为了减反射采用的制绒、SiO2钝化及前表面场优化的扩散层，背表面是叉指状的N+和P+扩散及栅线用于收集电池背部产生的光生载流子。Sunpower一直致力于高效率的太阳能电池，其IBC电池的产业线效率早就超过了20%[18]，是目前商用高效硅太阳能电池的代表。其取得高效率的关键在于局部背接触减少了接触复合损失，正面栅线的移除大大减少了电池效率中的光学损失，背面的金属化增加了背面反射以及较低的串联电阻。2011年，Sunpower等[19]在N+与P+之间采用制绒二氧化硅层做了隔离，并且在背表面做了更优的钝化，使得IBC电池工艺线效率达到了23.6%。2014年，Sunpower[20]继续在原有基础上改进，减小了发射极的复合和背部光学损失，首次做出了电池效率达到25%的IBC电池，接近了Swanson在2005年提出的实际单结太阳能电池极限效率——26%。Sunpower公司分析了25%效率的IBC电池后发现，电池效率的主要损失在于发射极复合和背部光学损失，同时，常州天合公司分析的IBC电池效率的主要损失同样在于光学损失和复合损失[21]。因此，IBC电池下一步提升的空间在于背部减反射和更高效的钝化。对于硅基太阳能电池，HIT电池一直是高效钝化的代表。3.3HIT电池HIT太阳能电池起源于Hamakawa等[19]设计的a-Si/c-Si堆叠太阳能电池,与单晶、非晶硅太阳能电池相比,其具有低温工艺,高的稳定性等优点，HIT太阳能电池的电池效率记录由日本的松下公司(原本是三洋公司，但是三洋公司被松下公司收购)保持，松下公司2013年在面积101.8cm2，98mm厚的N型Cz硅上制成了24.7%的HIT电池[22]。松下公司的HIT电池结构如图所示，一层本征非晶硅和P型非晶硅淀积在随机制绒的N型Cz硅上，形成一个PN异质结，本征非晶硅和N型非晶硅淀积在另外一面形成一个背表面场结构，接着两面同时镀上非晶硅、透明导电氧化层和电极，就形成了HIT太阳能电池。HIT电池有很多优势：将本征非晶硅层插入P型(或者N型)非晶硅和晶体硅的工艺能够形成优秀的钝化；200℃以下的低温工艺能够最大程度上保证晶体硅质量不衰减；与热扩散电池相比，HIT电池有更好的温度系数和开路电压。3.4HBC电池HBC结构由日本的夏普公司提出，是背接触IBC电池与硅基异质结HIT电池的良好结合。由于没有正面栅线遮光，电池有高的短路电流；由于有高质量的氢化非晶硅钝化，电池有高的开路电压。HBC结构结合两种电池的优点，于2014年成功地在N型Cz硅上制作了效率为25.1%的太阳能电池。HBC电池的结构如图5所示。为了获得高的开路电压，需要尽可能的减少异质结面载流子的复合。公司采用了与HIT电池氢化非晶硅类似的方法实现了a-Si:H的结晶控制；为了获得高的短路电流，电极采用了全背面结构的制作。利用HIT电池的优点，所有工艺都在200℃下制作完成，因此HBC电池摒弃了背面扩散掺杂的方式分别采用氢化结晶i/p及i/n非晶硅及光刻腐蚀的技术，完成了局部高掺杂。夏普公司并不是HBC效率的保持者，目前HBC电池效率最高记录已由日本松下公司改写，他们在143.7cm2的N型Cz硅上，实现了电池效率25.6%，也是目前单结硅基太阳能电池的最新记录。松下HBC电池的结构如图