模电第一章课后习题答案

1第一章半导体基础知识自测题一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3VUO6≈－2V四、UO1＝6VUO2＝5V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、V2VmA6.2μA26VCCCCCEBCbBEBBBRIUIIRUIUO＝UCE＝2V。2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以k4.45VμA6.28mA86.2VBBEBBbCBcCESCCCIURIIRUI七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。习题1.1（1）AC（2）A（3）C（4）A1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。1.3ui和uo的波形如图所示。ttuuOOio/V/V101021.4ui和uo的波形如图所示。1.5uo的波形如图所示。1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。1.9（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故V33.3ILLOURRRU当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。（2）RUUI)(ZIDZ29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大tuOi/V53-3tuOO/V3.7-3.7tuOI1/V30.3tuOI2/V30.3tuOO/V3.713而损坏。1.10（1）S闭合。（2）。，700)V(233)V(DminDmaxDmaxDminIURIUR1.11波形如图所示。1.1260℃时ICBO≈32μA。1.13选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。1.141.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe1.16当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为V9umA3μA60CCQOBQCQbBEQBBBQRIVIIRUVICC，，当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为tu0I/V63tu0O1/V3tu0O2/V31.01mA5mA(a)(b)4BECCQOBQCQbBEQBBBQmA8Aμ160URIVuIIRUVICC＜，，1.17取UCES＝UBE，若管子饱和，则管子饱和。，所以，100CbCbCBECCbBECCRRRRRUVRUV1.18当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为mA24μA480BCbBEIBIIRUuICCCCCCECVRIVU＜1.19（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T会损坏。（e）可能1.20根据方程2GS(th)GSDSSD)1(UuIi逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。1.211.22过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。1.23uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。1.24（a）可能（b）不能（c）不能（d）可能