IGBT驱动保护实验分析-concept315

一、保护实验电路如下所示：分析：当IGBT开始导通时，measuring不输出，三极管截止，1.4mA电流源向CA电容充电，CA电容通过DM两个二极管及IGBT到EX端构成回路，CA电容上的电压由IGBT饱和压降决定，次电压有源箝位住了比较器的+极；当IGBT开始关断时，measuring迅速输出电流导致三极管开通，CA电容通过三极管与工作地构成回路放电，比较器+极强制拉地；比较器—极通过150UA的电流源与RTHX有源箝位，提供一个比较电平，当正极电压高于比较电压后，比较器输出过电流信号。二、UCE饱和压降的测量实测饱和压降波形如下所示：根据图形及实际负载情况分析：（1）、正半周期时，V4管常开，V1管由驱动脉冲以1KHZ的频率开通和关断（2）、V1管和V2管交替导通，避开死区时间，V2管开通之后与V4管构成续流回路（3）、负半周期时，V2管常开，V3管由驱动脉冲以1KHZ的频率开通和关断（4）、V3管和V4管交替导通，避开死区时间，V4管开通之后与V2管构成续流回路（5）、由于负载为电感，在导通时会产生反电动势，在导通关断瞬间，会产生LDi/Dt的尖峰电压，对Uce产生影响（6）、以正半周期为例进行分析：在正半周期的第一个脉冲开通时刻，由于负载电流为负，此时通过反向续流二极管导通，所以此时Uce电压等于续流二极管的管压降，当负载电流过零点后，电流通过IGBT导通，当负载电流最大时，Uce等于IGBT的饱和压降