提高共模抑制比的方法

提高共模抑制比KCMR的方法1、采用电路完全对称的差动运算放大电路：运放为理想：4342RRRVVVI14342124342214342111RRRRVVRVRRRVRVViRRRRVVRVViiiIIOIOFIIIIFI对共模信号:VI1=VI2=VCM由上式得4341212)1(RRRRRRRVVACMOC∴只要电路完全对称，即：R1=R3R2=R4则AC=0对差模信号：VI1=-VI2=1/2VI∴)1(211243412RRRRRRRVVAIOd当R1=R3,R2=R4时，12RRAd故共模抑制比：CdCMRAAKlg20实际上电阻不可能完全匹配，存在一定的误差δ。2、提高差动运算放大器的输入阻抗：对于实际电路中，R1≠R3当只有共模信号加入时，运放电路V+与V-之间有一定的差值，即有部分的共模信号转化为差模信号。提高输入阻抗就相对减小了R1、R3的影响，可以改善上述KCMR的损失，有利于KCMR的提高。3、适当提高共模抑制级闭环增益（差动放大器的闭环增益）A1A2A3A4V1RV2RVoαRβR差动放大器A3为共模抑制级A3开环放大倍数为A0，则012)(AVRRRVVVRRRVOOO0120)11(11AVVAVO∵α≈β)(1)(11112000120VVAAAVVAVo闭环差模放大倍数：00121AAVVVAod0120)11(11AVVAVo闭环共模放大倍数：（V1=V2=VCM）00)11(11AAVVACMoc)1(lg20)11)(1(lg20lg20cdCMRAAK4、用共模干扰电压驱动引线屏蔽层。心电引线采用屏蔽线，引线屏蔽层与芯线之间存在电容Cs1、Cs2，每米分布电容约200~300pF，3米长的屏蔽线在50Hz电压下容抗仅几兆欧（Cj1），其分流作用使输入阻抗降低，且当R1Cs1≠R2Cs2时，Cs1、Cs2的分流作用是不均衡的，一部分共模信号转化为差摸信号，使放大器KCMR大大下降。若不将屏蔽层接地，而取放大器反馈共模电压来驱动引线屏蔽层时，使Cs1、Cs2对共模信号不产生分流作用。5、右腿驱动技术：取出心电放大器的共模电压经驱动放大器倒相放大，通过限流电阻加到右脚电极，形成以人体为相加点的共模电压并联负反馈。