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1练习一1、D,2、C,3、C,4、203QaD,5、jyaqy2/322042,(j为y方向单位矢量),2/a,6、30220824RqddRRqd,从O点指向缺口中心点.练习二1、A2、A3、120qq,123201(qq)49qR,4.22(r)La5、解:设杆的左端为坐标原点O,x轴沿直杆方向.带电直杆的电荷线密度为=q/L,在x处取一电荷元dq=dx=qdx/L,它在P点的场强:204ddxdLqE204dxdLLxq总场强为LxdLxLqE020)(d4-dLdq04方向沿x轴正向,即杆的延长线方向.6解:如图在圆上取RddldddRlq,它在O点产生场强大小为20π4ddRRE方向沿半径向外则dsinπ4sindd0REExdcosπ4)cos(dd0REEy积分RREx000π2dsinπ40dcosπ400REy∴REEx0π2,方向沿x轴正向.练习三PLddqx(L+d-x)dExO21、C2、D3、0,0Rr4、-3/(20),-/(20),3/(20)5、解:由对称分析知,平板外两侧场强大小处处相等、方向垂直于平面且背离平面.设场强大小为E.作一柱形高斯面垂直于平面.其底面大小为S,如图所示.按高斯定理0/dqSES,即012SESd得到012Ed(板外两侧)(2)过平板内一点作一正交柱形高斯面,底面为S.设该处场强为E,如图所示.按高斯定理有022xSSE得到xE0(-d/2≤x≤d/2)6解:(1)球在O点产生电场010E,球在O点产生电场'dπ4π3430320OOrE'd3303OOr∴O点电场'd33030OOrE;(2)在O产生电场'dπ4d3430301OOE03'OO球在O产生电场002E∴O点电场003E'OOESxESSbE3练习四1、C2、D3、C,4、-eq/(60R)5、解:01E1Rr203132031323)(4)(34rRrrRrE21RrR20313220313233)(4)(34rRRrRRE2Rr2R32rErEddURR212RdrrRRdrrRrRR203132203133)(3)(21)(221220RR6、解:设x轴沿细线方向,原点在球心处,在x处取线元dx,其上电荷为xqdd,该线元在带电球面的电场中所受电场力为:dF=qdx/(40x2)整个细线所受电场力为:lrrlqxxqFlrr000204d400方向沿x正方向.电荷元在球面电荷电场中具有电势能:dW=(qdx)/(40x)整个线电荷在电场中具有电势能:0000ln4d400rlrqxxqWlrr练习五1、D2、A3、C4.r0,5解:设极板上分别带电量+q和-q;金属片与A板距离为d1,与B板距离为d2;金属片与A板间场强为)/(01SqEORxr0r0+ldxx4金属板与B板间场强为)/(02SqE金属片内部场强为0'E则两极板间的电势差为dEdEUUBA21))](/([210ddSq))](/([0tdSq由此得)/()/(0tdSUUqCBA因C值仅与d、t有关,与d1、d2无关,故金属片的安放位置对电容无影响.6解:(l)根据有介质时的高斯定理:iqsdD可得两圆柱间电位移的大小为)2/(rD场强大小为rDErr002两圆柱间电势差21210122RRrRRrdrrdEU1200ln2221RRrdrrRRr电容12012ln2RRLUQCr)/ln(2120RRLr.(2)电场能量rRRLCQW012224)/ln(2练习六1.20d4alI,平行z轴负向2.R2c3.03(1)226IR4.)313(R2IB0πμ5.134200aevBT.242102.92evaaTePm2mA6.)11(4120RRI,垂直纸面向外,2/122210)11(4RRI,12arctgRR7、解:因为金属片无限长,所以圆柱轴线上任一点P的磁感应强度方向都在圆柱截面上,取坐标如图所示,取宽为ld的一无限长直电流lRIIdd,在轴上P点产生Bd与R垂直,大小为5RIRRRIRIB20002d2d2ddRIBBx202dcoscosddRIBBy202dsin)2cos(dd∴520202221037.6)]2sin(2[sin22dcosRIRIRIBxT0)2dsin(2220RIBy练习七1.)(120II,)(120II2.320I3.2204RIh4.02Ir05、解:(1)对r~r+dr段,电荷dq=dr,旋转形成圆电流.则rdqId22d它在O点的磁感强度rrrIBd42dd000baarrBBd4d000abaln40方向垂直纸面向内.rrIrpmd21dd22baammrrppd21d26/])[(33aba方向垂直纸面向内.6、解:在圆柱体内部与导体中心轴线相距为r处的磁感强度的大小,由安培环路定律可得:)(220RrrRIB因而,穿过导体内画斜线部分平面的磁通1为SBSBdd1rrRIRd202040I在圆形导体外,与导体中心轴线相距r处的磁感强度大小为)(20RrrIB因而,穿过导体外画斜线部分平面的磁通2为SBd2rrIRRd2202ln20I6穿过整个矩形平面的磁通量2140I2ln20I练习八1、A2.)/(cos2eBmv,)/(sineBmv3.)2(RlBI4.(1)402.510BnITmABH2000(2)mAILNH20001.05rBHHT5.解:在直线电流2I上任意取一个小电流元dlI2,此电流元到长直线的距离为x,无限长直线电流1I在小电流元处产生的磁感应强度xIB210021021060cos22dxxIIdlxIIdFabIIdxxIIFbaln60cos221002106.解:(1)ISPmBPMm沿OO方向,大小为221033.443BlIISBMmN(2)磁力功)(12IA∵01Bl2243∴221033.443BlIAJ练习九1、D,2、C,3、0.40V、0.5m2/s,4、5×10-4Wb75、解:在矩形回路中取一小面元ds,面元处:2IBx一个矩形回路的磁通量为:ln22dadIlIdadBdSldxxd由法拉第电磁感应定律,N匝回路中的感应电动势为:0lncos2NIlddaNtdtd6、解:abcd回路中的磁通量22212160cosdklvtlvktBlvtSBm由法拉第电磁感应定律klvttmdd其沿abcd方向顺时针方向.练习十1、A2、BnR2、0,3、tBR/dd212,4、28/104.0sm顺时针5、解:在长直导线中取一小线元,小线元中的感应电动势为:dllvIdllIvldBvd2180cos90sin200整个直导线中dLdvIldlvILddln2200杆的右端电势低6、解:∵bcabactBRBRttabdd43]43[dddd21tabdd2tBRBRtdd12π]12π[dd22∴tBRRacdd]12π43[22∵0ddtB∴0ac即从ca的方向也可由楞次定律判定。练习十一81、C,2、BHHBWm21212122,3、(4)、(2)、(1)4、位移电流,涡旋电场001C5、解:设直导线中通有自下而上的电流I,它通过矩形线圈的磁通链数为:sSdBNadaNIlldrrINbdaln22互感为:adaNlIMln26、解:在Rr时,无限长圆柱体内部的20π2RIrB∴磁场能量密度4222002π82RrIBwm取一小体积元rrVdπ2d(∵体元长度1l)则导线单位长度上储能RRmIRrrIrrwW00204320π16π4dd2练习十二1~3.ABD;4.en)1(2,4×103nm;5.解:1)由dDkx得dDx22则nm600m100.60.12102.0100.627332Ddx2)mm0.3221xdDxxxkk6.解:1)由dDkx得m11.01055010222020941010dDxxx2)设零级明纹将移到原来的第k级明纹处,则有0)(1212neerrkrrken)1(796.610550106.6)158.1()1(96enk练习十三1~3ACC;4、0.64mm;95.解:由反射加强的条件可知:kne22则212kne,计算可得:k=1时,λ1=3000nm,k=2时,λ2=1000nm,k=3时,λ3=600nm,k=4时,λ4=428.6nm,k=5时,λ5=333.3nm,即在可见光范围内波长为600nm和428.6nm的反射光有最大限度的增强。6.解:1)由明环公式可得:nm5004)152()1030.0(2)12(2222Rkr,2)由明环公式可得:5.50211054)1000.1(217222Rrk,即在OA范围内可观察到50个明环。练习十四1~2CB;3.3.0mm;4.4,1级,暗纹;5.解:1)mm47.1104.0105890.1391afx2)由单缝衍射明纹公式212sinka,及tanfx可得:mm68.3252512xafx6.解:由单缝衍射暗纹公式kasin,及tanfx可得:affx3sin33,则两侧第三级暗纹之间的距离为afxx623故)nm(5004.06100.81015.0633fxa练习十五1~3DBA;4.1级;5.解:1)单缝衍射0sina和tanfx得:afffx2sin2tan2000,代入数据得:cm61021060012590x;2)由光栅衍射主极大方程kdsin得sindk,又m10520010152d,0,则5.2102105sin550adaddk,10k只能取2,故在单缝衍射中央明纹宽度内有0、±1、±2共5条主极大谱线。6.解:1)由光栅衍射主极大方程kbasin)(得:m104.25.010600
本文标题:大学物理学习指导下答案详解(朱善华)
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