半导体二极管分类

半导体二极管整流管：整流管因为其正向工作电流较大，工艺上多采用面结型结构，结电容大，因此整流二极管工作频率一般小于3KHZ.例：2CZ31反向工作电压：50-800V正向电流：1A正向压降：0.8V反向电流：5UA瞬时电流：20A最高温度：150C例：2CZ56反向工作电压：100-2000V正向电流：3A正向压降：0.8V反向电流：20UA瞬时电流：65A最高温度：140C注：桥式整流器以此此类推。彩电用高频高压硅整流堆：例：2DGL20反向工作电压：20KV正向电流：5MA正向压降：40V反向电流：2UA反向恢复时间：1.2us检波二极管：一般检波二极管采用锗材料点接触型结构，要求正向压降小，检波效率高，结电容小，频率特性好，其外形一般采用玻璃封装EA结构。例：2AP9反向工作电压：10V正向电流：8MA反向峰值击穿电压：20V最大整流电流：5MA截止频率：〉100MHZ零偏压电容：《1PF检波效率：65%反向电流：《200UA例：2AP30C反向工作电压：〉10V正向电流：〉2MA反向峰值击穿电压：〉20V最大整流电流：〉5MA截止频率：〉400MHZ零偏压电容：《0.6PF反向电流：》50UA开关二极管：二极管从截止到导通称为开通时间，从开通到截止称为反向恢复时间，两者之和称为开关时间。开通时间较短，一般可以忽略，反向恢复时间较长，他反应了二极管的特性好坏，trr定义为从加反向偏压开始到反向电流下降到初始值的1/10所用的时间。2AK系列为点接触锗金键开关二极管，适于中速开关电路，2CK系列为平面硅二极管，适于高速开关电路。例：2CK70E(IN4148)反向工作电压：60V反向击穿电压：90V正向电流：10MA正向压降：0.8V零偏压电容：《4PF反向恢复时间：〈3ns额定功率：30mwFR151-158常用于高频整流，升压，有些厂家叫做快速恢复二极管。反向工作电压：100-1000V正向电流：1.5A正向压降：0.65V反向恢复时间：〈0.7ns反向电流：5ua阻尼二极管：主要应用于电视机行扫描中做阻尼和升压整流用，要求其承受较高的反向工作电压和峰值电流，且要求正向压降越小越好，因此他是一种特殊的高频高压整流二极管，也可看作是高反压开关二极管的一种。2CN2最高反向工作电压：400-800V正向电流：2A正向压降：1V反向恢复时间：〈2ns浪涌电流：50A最高结温：175C反向电流：5uaFR100-107最高反向工作电压：25-1000V正向电流：1A正向压降：1.3V反向恢复时间：〈0.85ns浪涌电流：50A最高结温：175C反向电流：5ua稳压二极管：稳压二极管的正向曲线与普通二极管相仿，但反向曲线比普通二极管低的多。其击穿点处，曲线弯折特别尖锐，反向电流剧增，但电压几乎保持不便，只要在外电路中设置限流措施，使稳压管始终保持在允许功耗内，就不会损坏管子，稳压管的反向击穿是可逆的，而普通二极管的击穿是不可逆的。稳压二极管多采用硅材料制成。由于稳压二极管的击穿机理上的区别，一般认为稳压管在5V以下属于齐纳击穿，7V以上属于雪崩击穿，5-6V两者兼而有之。小于5伏时，具有负温度系数，大于7伏时，具有正温度系数，在5-6伏时，温度系数则接近0。2CW76功率：0.25W工作电流：20ma结温：150C漏电流：0.1u电压：11.5-12.5V动态电阻18ohm(5ma)压降：1V温度系数：9*10（-4/C2DW60功率：1W工作电流：6ma结温：150C漏电流：0.5u电压135-155V动态电阻700ohm(3ma)压降1V温度系数：12*10（-4/C瞬变电压抑制二极管：瞬变电压抑制二极管简称为TVP管（transient-voltage-suppressor）他是在稳压管的工艺基础上发展起来的，主要应用于对电压的快速过压保护，TVP管按照其峰值脉冲功率可以分为四类：500W，1000W,1500W,5000W。每类按照其标称电压分为35种，最小击穿电压为8.2V，最大为200V.TVP管在瞬间高能量冲击时，能以极高的速度从高阻改变为低阻，从而吸收一个极大的电流，将管子的电压钳位在一个预定的数值上，钳位时间仅仅10（-12）秒。例：TVP500-534,峰值功率：500W击穿电压：8.2-200V测试电流：1ma最大钳位电压：12.5-287V最大峰值脉冲电流：40A反向变位电压：6.63-162.0V反向电流：200-5ua温度系数：0.065-0.108%/C注：反向变位电压的含义为：TVP管在不击穿的条件下所能承受的最大反向电压，即当TVP管加上该电压后，反向漏电流不大于其允许值。变容二极管：变容二极管是利用PN结电容随外加反向偏压变化的特性制成。在零偏压时，结电容最大，临近击穿时，结电容最小。两者之比则为其结电容变化比。从导通曲线可以看出，结电容变化呈现非线性。变容二极管一般总是接在谐振回路使用，以取代传统的可变电容，因此必须要有足够的Q值，显然，随着频率的升高，Q降低，因此定义为Q=1时为截止频率。使用时必须低于截止频率。常用变容二极管因其结构的独特性，参数离散性较大，使用应逐个挑选。例：2CC120最高反向工作电压：30V反向电流：0.1ua给定偏压下的结电容3v,18-20pf10v,7-8.5pf电容比6击穿电压35v优值Q120串联电阻1.5ohm电容温度系数5*10(-4)最高结温：125C双基极二极管：双基极二极管是具有两个基极和一个发射极的三端负阻半导体器件。他只有一个PN结，所以又称为单结晶体管。双基极二极管主要应用于各种张驰震荡器，定时电压读出电路，具有频率易调，温度特性好的优点。分压比：当发射极开路时，基极B1,B2之间相当于一个电阻,其值为RB1,RB2之和，若加一个电压，则俩电阻间相当于一个分压器。例：BT33A分压比：0.3-0.55基极间电阻：3-6kohmE-B间反向电流：1ua饱和压降：5v峰点电流：2UA谷点电流：1.5UA谷点电压：3.5V调制电流：8-40ma耗屏功率：400mw最高结温：150C