低正向压降整流器的设计与工艺研究

1抗高温低正向压降大功率整流器的设计与工艺研究TheNewGenerationNano-LevelIntegratedCircuitVirtualManufacturingSystem-SentaurusWorkbench作者作者英文海湾电子（山东）有限公司山东济南250100Gulfsemiconductor（shandong）Co.,LtdJinanShandong250100摘要:：首先介绍了SynopsysInc.新近推出的新一代纳米级TCAD仿真平台－SentaurusWorkbench（SWB）的功能和特点，重点对SWB的优化机制和典型纳米NMOS的工艺参数在SWB环境下优化进行了较为详细的介绍。关键词：集成电路；纳米层次；虚拟工厂；工艺优化；可制造性设计Abstract：ThearticleintroducesthestructureandcharacteristicofthenewgenerationTCADsimulationplatformSentaurusWorkbench,andemphaticallyintroducesoptimizationmechanismandoptimizesthekeyprocessparameterundertheSWBsimulationsystem.Keywords：Integratedcircuit;Nanolevel;Virtualfactory;Processoptimization;TCADforManufacturing引言近几年来随技术的进步，大功率的整流器使用越来越广泛，大功率的整流器向抗高温能力强、稳定性强、低功耗方向发展，技术成为了制约国内整流芯片生产的一个瓶颈，需要大功率整流器能够适应在不同环境温度下的正常工作，以充分满足电子产品长期工作的可靠性、稳定性和耐高温性。如何能够减少整流芯片在工作时的自身发热量，降低芯片工作时的功耗，并且有效提高整流芯片的抗高温能力，成为目前芯片的研究发展方向。在当下“低碳经济”的前景下，如何能够保证大功率整流器在抗高温能力强的同时并能够降低芯片功耗，也是国内产业正在科技攻关的一个发展方向。我公司积极响应政策，从“低碳”出发，提出了“低正向压降芯片”项目，力争最大限度的将功耗降到最低，实现节能。同时在国内同行业中我公司技术已经走在了前面，在节能方面我公司采用的技术、工艺生产的产品节能性比同行业水平提高了7%。1抗高温低正向压降大功率整流器的设计1.1提高抗高温能力方案目前台面二极管芯片通常采用绝缘性钝化膜来钝化PN结，绝缘性钝化膜不能有效防止器件表面电荷积累或离子沾污，这些电荷能在靠近硅衬底表面处感生出相反极性的电荷，从而改变表面电导率；另外载流子注入到绝缘膜中能长期停留形成存储，也会使器件表面2电导率发生改变，这些都会导致PN结反向击穿电压降低，在高温时材料失效。为提高抗高温能力，我们首先LPCVD一层SIPOS膜，然后再采用二氧化硅钝化，SIPOS膜除了半绝缘性，还具有其他特点：电中性、与硅接触在界面不存在高能势垒、膜内有高密度陷阱。SIPOS钝化层表面被离子沾污后，会在表面附近感应出相反极性的电荷，这些电荷漂移到钝化层内将和外表面电荷中和，或被钝化层内的陷阱捕获，从而形成一个空间电荷区，这层空间电荷区对外加电场具有屏蔽作用。热载流子不能在SIPOS中长时间停留，因而注入到钝化层中的载流子不会因P-N结雪崩击穿而发生存贮效应。SIPOS不仅可以防止外界有害杂质离子沾污，而且能缓和已经沾污在表面的离子引起的电场对硅表面的影响。当采用SIPOS钝化PN结时，PN结反向耐压可以做得很高，SIPOS膜本身不带固定电荷，因而不产生带电现象，在没有电场作用的情况下，SIPOS呈电中性，因而PN结表面不会形成电场集中，避免了表面击穿，提高了抗高温能力。1.2降低正向压降设计①高温长时间扩散为了提高结的平整度，采用filmtronics特殊的纸源，在高温下长时间扩散，扩散后测量结的平整度在3um之内，保证了整个耐压区宽度的同时，将耐压区的宽度做到最小，降低了耐压区的压降。②表面蒸发金属电极降低欧姆接触电阻③提高晶片表面掺杂浓度，根据公式，电阻率和掺杂浓度成反比的关系，提高表面掺杂浓度则可以降低电阻率。④普通的晶片是镀Ni-Au金属作为焊接金属，其欧姆接触电阻较大，低正向压降芯片是在晶片表面蒸发Ti-Ni-Ag三层金属来降低欧姆接触电阻。1.3设计目标：1．反向电压：600V2．正向压降@12.5A：0.9V3．IR@25℃10uA4．IR@125℃300uA2抗高温低正向压降大功率整流器的工艺实现2.1图1是低正向压降整流芯片的工艺流程，选用ρ=20-30Ω·cm，厚度为280um的硅片，使用filmtronics的纸源进行长时间高温扩散，形成表面平整的PN结，采用先进的四次光刻技术，切割沟道中留出切割道，经过玻璃熔融和金属化后形成低正向压降芯片。3图1低正向压降整流芯片的工艺流程2.2测试将产出的低正向压降芯片封装为GSIB-5S本体，采用冠魁科技生产的TK268测试仪对产品进行电参数测试，采用ESPEC生产的HTR-802N评估高温反偏能力。这样，正常压降的测试电流为12.5A，击穿电压的测试电流10uA。3结果与讨论3.1推进时间t与Xj和VF的影响图2是推进时间t对Xj的影响。晶片在1260度下分别扩散30h，40h，50h，60h和70H，由图可见．随着时间的增加，xj逐渐增大。根据扩散理论可知，xj与√Dt成正比。两步法扩散之后，杂质剖面呈高斯分布。高斯分布下的结深xj2√(lnNsNb)√Dt。图3是不同扩散时间下VF分布。针对不同扩散时间对VF的影响，尽量找多的数据。3.2表面蒸发金属对Vf的影响硅片准备杂质预沉积杂质再分布杂质二次扩散电参数测试四次光刻蒸发钛镍银三次光刻LPCVDSIPOSRCA清洗台面腐蚀一次光刻上光阻玻璃二次光刻玻璃熔融LPCVDSIO2划片封装测试4图3为常规镀镍金和蒸发钛镍银的VF分布。多层金属电极结构一般由三层金属组成（也有使用四种甚至五种金属材料的工艺，但使用极少，对大规模生产的生产效率和成本控制而言，不是合理的选择），这三层结构分别被称为上黏附层、过渡层和下黏附层。表硅及常用金属性能比较参照表1的各种金属性能，并综合考虑导电性和热膨胀等物理性能，我们可以知道，单一的金属材料都不可能成为理想的背面电极材料；只有采用多层金属材料，才能发挥各种金属的不同性能，得到理想的背面金属电极。（1）由于Ti和Cr都与Si具有良好的接触性，所以上黏附层以此两种材料为宜；由于蒸发Ti时对真空度要求较低，高纯Ti比较容易得到，所以一般选用Ti作为上黏附层。考虑到Ti的电阻率高，所以Ti莫不宜太厚，在三层金属中，钛膜最薄.（2）下黏附层时硅片的最外层，在封装时要通过焊料与底座焊接，因此需要选用性能稳定、不易氧化、易于焊接、导电导热性能都很好的金属，Ag和Au都具有这样的性能，但出于成本的考虑，Ag是最为普遍的选择。Ag易熔于铅锡焊料，一般取得厚度为1.2-1.6μm.（3）过渡层有三个作用：一是阻挡Ag向Ti中扩散，二是防止融解于焊料的Ag直接与Ti接触，三是实现热匹配，Ni的膨胀系数介于Ag和Ti之间，其导电性和导热性适中，是理想的过渡层材料层，以防止器件工作时的热效应导致背面电极失效。它的厚度也选择在三者之间，起到良好的匹配和阻挡作用。三层材料的厚度一般为AgNiTi，因为Ag需要和焊料相熔融，Ni作为过渡层不易太薄或太厚，Ti电阻较高而应采用尽量小的厚度。Ti与Si具有良好的接触性，作为上黏附层，但它的电阻率高，所以不宜太厚。下黏附层时硅片的最外层，在封装时要通过焊料与底座焊接，因此需要选用性能稳定、不易氧化、易于焊接、导电导热性能都很好的金属，Ag是最为普遍的选择，Ni的膨胀系数介于Ag和Ti之间，其导电性和导热性适中，是理想的过渡层材料层。三层材料的厚度一般为AgNiTi，因为Ag需要和焊料相熔融，Ni作为过渡层不易太薄或太厚，Ti电阻较高而应采用尽量小的厚度。多层金属的制造是：制造金属层成蒸气流,入射到固体（称为衬底或基片）表面凝结成固态薄膜的方法。一般可以采用真空蒸发和溅射工艺。由于溅射设备比较复杂，成本较高。故采用多源双枪电子束蒸发台制备背面电极。该设备一次投资性大，但性能稳定，质量可靠，使用方便，并适用于大批量自动化生产。背金蒸镀工艺即采用真空蒸发镀膜法在硅片背面形成金属电极的工艺。背金蒸镀可以选择多种金属的组合作为硅片背面电极的材料53.3成品测试结果（1）低正向压降整流器和常规整流气的Vf比较结束语Synopsys新一代TCAD设计工具SentaurusWorkbench为当前纳米层次下的IC工艺流程设计和参数优化提供了便捷而有效的途径，SWB系统是集成电路虚拟化工厂技术的典型应用。随着微电子技术和计算机技术的不断发展，采用集成电路虚拟工厂技术的系统会不断涌现，将有力地推动集成电路设计与制造产业的发展。参考文献[1]王阳元，张兴.面向21世纪的微电子技术,世界科技研究与发展，1999.4,6-11.[2]D.C.Montgomery,DesignandAnalysisofExperiments,NewYork:JohnWiley&Sons,1997.[3]R.MyersandD.Montgomery,ResponseSurfaceMethodology:ProcessandProductOptimizationUsingDesignedExperiments,NewYork:JohnWiley&Sons,1995.[4]HAMMINGRW.NumericalMethodsforScientistsandEngineers[M],NewYork;DoverPublications,1986,354-356.[5]PrestonWhite,K.,Jr.;Trybula,W.J.;Athay,R.N.;Designforsemiconductormanufacturing.Perspective,Components,Packaging,andManufacturingTechnology,PartC,IEEETransactionson[seealsoComponents,Hybrids,andManufacturingTechnology,IEEETransactionsonVolume20,Issue1,Jan.1997Page(s):58-72作者简介：