高频电子期末考试试题及答案

1《高频电子技术》科期考试题考试类型：理论考试时间：90分钟出题老师：韦艳云考试班级：考生姓名：考生学号：卷面成绩：一、填空题（每空一分，共35分）。1、通信系统的组成：、、、、。（答案：信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端）2、无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率；波长越长。（答案：越短；越低）3、LC串联谐振电路Q值下降，单位谐振曲线，回路选择性。（答案：平坦；差）4、LC串联谐振回路Q值下降，频带，选择性。（答案：增宽；变差）5、理想谐振回路Kr0.1，实际回路中Kr0.1，其值越越好。（答案：等于1；大于1；小）6、LC并联谐振回路，当f=f0即谐振时回路阻抗最且为，失谐时阻抗变，当ff0时呈，ff0是呈。（答案：大；纯电阻；小；感性；容性）7、高频放大器按照输入信号的大小可分为放大器和放大器。（答案：小信号；大信号）8、实际谐振曲线偏离理想谐振曲线的程度，用表示。（答案：距形系数）9、小信号调谐放大器当工作频率等于回路的谐振频率时，电压增益，当工作频率偏离谐振频率时，电压增益。（答案：最大；减小）10、调谐放大器主要由和组成。（答案：晶体管；调谐回路）11、双调谐回路放大器，谐振曲线在η1时，会出现现象。2（答案：谐振曲线顶部凹陷）12、高频功率放大器中谐振电路的作用是、、。（答案：传输；滤波；匹配）13、设一放大器工作状态有下述几种：甲类，乙类，丙类。效率最高。（答案：丙类）14、反馈式振荡器的自激条件是。（答案：正反馈）15、正弦波振荡器由、、组成。（答案：放大器；反馈网络；选频网络）二、选择题(每题2分，共20分)。1、下列表达式正确的是（B）。A）低频信号可直接从天线有效地辐射。B）低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射。C）高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。D）高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。2、为了有效地发射电磁波，天线尺寸必须与（A）相比拟。A）辐射信号的波长。B）辐射信号的频率。C）辐射信号的振幅。D）辐射信号的相位。3、电视、调频广播和移动通信均属（A）通信。A）超短波B）短波C）中波D）微波4、串联谐振曲线是（B）之间的关系。A）回路电流I与谐振时回路电流I0B）回路电流幅值与信号电压频率C）回路电压幅值与信号电流频率D）谐振时回路电流I0与信号电压频率5、强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷（A）。A)越大B)越小C)不出现6、LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联回路阻抗（B）。3A)最大B)最小C)无法估计7、在电路参数相同的情况下，双调谐回路放大器的最大电压增益与单调谐回路比较（C）8、为使高频功率放大器有较高的效率，应工作在（C）状态。A）甲类B）乙类C）丙类9、调制的实质是A。A）频谱搬移，把调制信号从低频搬移到高频B）频谱搬移，把调制信号从高频搬移到低频C）都不对10、检波的实质是C。A）频谱搬移，把载波信号从高频搬到低频B）频谱搬移，把边带信号从高频搬到低频C）频谱搬移，把边带信号不失真地从载波频率附近搬到零频附近三、判断题（每题1分，共10分）1、LC串联谐振回路的谐振频率除了与L、C有关外，还与回路的损耗电阻r有关。（错）2、LC串联谐振回路谐振时，谐振电流最大，失谐越严重，谐振电流越小。（对）3、谐振回路Q值越高，谐振曲线就越尖锐，选择性就越好，而通频带越宽。（错）4、选择性是指放大器从各种不同频率的信号中选出有用信号，抑制干扰信号的能力。（对）5、调谐放大器的通频带只与回路的有载品质因素有关。（错）6、小信号调谐放大器单调谐回路的选择性比双调谐回路的选择性好。（错）7、放大器的增益与通频带存在矛盾，增益越高，通频带越窄。（对）8、双调谐回路放大器有两个单调谐回路，它们各自调谐在不同的频率上（错）9、由于微变等效电路只能解决交流分量的计算问题，因此它与电路中的直流分量无关。（错）（410、在调幅波中，载频和边频中都包含信息。（错）四、问答题（15分）1、解决小信号选频放大器通频带与选择性之间矛盾的途径有哪些？（7分）答：（1）增大零频增益（如增加级数），可以在选择性保证的前提下加宽通频带（2）采用双耦合调谐放大回路。（3）采用既有较好选择性又有较宽通频带的选频网络。2、为什么低频功率放大器不能工作于丙类状态？而高频功率放大器则可以工作于丙类状态？（8分）答：是由于输入信号的性质决定的。因为高频功率放大器的负载是用调谐在信号中心频率的谐振回路来做，可以滤除放大器在丙类工作状态时产生的谐波。而对于信号的频率从几十赫至几万赫的低频功率放大器来说，相对频宽很宽，负载不能采用谐振回路，因此，如将低频功率放大器工作在丙类状态，大量谐波无法滤去，放大器将产生严重失真。五、计算题(20分)有一个高频功率管3DA1做成的谐振功率放大器，已知Ec=24V,Po=2W,工作频率f0=10MHz,导通角70°。试验证该管是否满足要求。3DA1的有关参数为：fT≧70MHz,功率增益Ap≧13Db,集电极饱和压降Uces≧1.5V，PCM=1W,ICM=750Ma,BVceo≧50V