MOSFET工作原理NEW

MOSFET一、MOSFET的種類1.N通道空乏型與增強型MOSFET2.P通道空乏型與增強型MOSFETN通道空乏型及增強型MOSFET空乏型:汲極D及源極S之間以通道連接增強型:汲極D及源極S之間沒有通道N通道空乏型MOSFET(1)結構(2)符號於低摻雜量的P型基體內擴散成兩個高雜量之區域，分別當作源、汲極。上層覆蓋二氧化矽（）層。閘極未加偏壓時，本身已有通道。中間的垂直線代表通道。P型基體：箭頭朝內。N型通道：源極的箭頭朝外。其符號是模仿NPN。+N2SiON通道空乏型MOSFET(1)操作情形DSVGSV0GSV0，適當的加入電壓，則產生有效的電流（此與JFET相同）。，通道感應正電荷，並減少通道多數載子，使得汲極電流減少（空乏模式）。，通道感應負電荷，並增加通道的載子，使得汲極電流增加（增強模式）。GSV0N通道增強型MOSFET的結構與符號P型基體（箭頭朝內）、N型通道（源極箭頭朝外）。中間的垂直虛線表示無通道存在。(1)結構增強型MOSFET的結構與空乏型MOSFET非常類似。汲、源極間沒有實質的通道。(2)符號N通道增強型MOSFET(1)基本動作原理操作情形當時，MOSFET處於截止狀態。當時，在閘極下方形成一個空乏區。當（稱為臨界電壓）時，電子就被引進入這一空乏區，汲、源極間有了N型通道，產生電流。GSV0GSV0GSthVVthVP通道空乏型及增強型MOSFETP通道空乏型MOSFET的結構與符號(1)結構：N型基體為製造MOSFET元件的基礎層，整個元件是製作在一塊基體上的。(2)符號N型基體：箭頭朝外。P型通道：源極的箭頭朝內。其符號是模仿PNP。P通道增強型MOSFET的結構與符號與空乏型MOSFET類似。汲、源極間沒有實質的通道。N型基體（箭頭朝外）、P型通道（源極箭頭朝內）。中間的垂直虛線表示無通道存在。(1)結構(2)符號N、P通道增強型MOSFET工作原理N通道:利用感應少數載體形成的通到，增加汲極的電流量P通道:以P+區為汲極及源極，以電洞為電荷載子，除了vGS、vDS及臨界電壓Vt為負外，元件的操作方式與N通道相同，電流iD是由源極流向汲極二、工作原理1.電路符號2.MOSFET特性曲線3.MOSFET工作特性曲線4.MOSFET次導通區1.2.3.4.