电子行业术语

1.电容器/capacitor电容器是由两个金属电极，中间夹一层电介质构成。在两个电极之间加上电压时，电极上就贮存电荷。所以，电容器实际上就是贮存电能的元件。电容器具有阻止直流电通过，而允许交流电通过的特征。是电子设备中不可缺少的重要元件之一。电容器根据电容量是否可以调整，可分为三大类：（1）固定电容器——电容量不能改变；（2）可变电容器——电容量可以在一定范围内进行调整；（3）微调电容器——又称半可变电容器或补偿电容器，电容量可以调整，但在每次调整好以后，就固定在一定的数值。根据电容器使用在直流电场和交流电场的不同，又可分为直流电容器和交流电容器两种。实际上，电容器的电性能、结构和用途在很大程度上取决于所用的电介质，因此电容器常按电介质分类。电容器按所用电介质可概分为以下几类。（1）固体有机介质电容器——如纸介质电容器、有机薄膜介质电容器、纸膜复合介质电容器等。（2）固体无机介质电容器——如云母电容器、陶瓷电容器、玻璃电容器、玻璃釉电容器等。（3）电解电容器——如铝电解电容器、钽电解电容器、铌电解电容器等。（4）气体介质电容器——如空气电容器、充气电容器、真空电容器等。（5）液体介质电容器——介质采用矿物油或合成液体。这种电容器应用不多。2.电解电容器/electrolyticcapacitor电解电容器以各种阀金属为正极，以其表面上形成的一层氧化膜为介质，介质与正极是不可分离的整体。负极是非固体电解质或固体电解质。电解电容器的比体积电容量特别大，体积小，重量轻，电容量大；但工作电压低，频率特性较差，损耗角正切较大，温度特性也较差。3.有机介质电容器/organicdielectriccapacitor用电容器纸或合成有机薄膜为介质材料制成的电容器称有机介质电容器。这类电容器多是卷绕式结构，其电极有金属箔电极和金属化电极两种。有机介质电容器的主要特点是：由于膜的厚度可以做得很薄，易于卷绕，所以这种电容器的电容量和工作电压范围很宽。有机介质材料大多是合成的高分子聚合物，原料丰富，品种繁多，有利于有机介质电容器的发展。4.薄膜电容器/thinfilmcapacitor按一定方式在基片上交替淀积电极薄膜和介质薄膜而制成的层状电容器称为薄膜电容器。电极膜和介质膜是用真空蒸发或溅射等方法制作的，厚度一般在一微米以下。电极薄膜常用铝、金、钽等金属制作；介质薄膜常用一氧化硅、二氧化硅、五氧化二钽、三氧化二钇、五氧化二钽-二氧化硅和有机材料制作。薄膜电容器是薄膜集成电路的重要元件之一。5.电容器的损耗/capacitorloss电容器在使用过程中消耗的电能称为电容器的损耗。电容器的能量损耗是由介质损耗和金属部分的损耗所组成的。其中介质损耗与电容器的介质特性、使用频率、温度等有关。而金属部分的损耗则与电容器中采用的引出线，极板等所用的材料以及芯子结构等因素有关。电容器中能量损耗是以哪一部分为主，这要根据具体电容器及其使用条件而定。6.电感器/inductor凡能产生电感作用的器件统称电感器。一般的电感器由线圈构成，所以又称电感线圈。为了增加电感量和Q值并缩小体积，通常在线圈中都有软磁性材料的磁芯。7.电感因数/inductionfactor线圈的自感量L与线圈匝数N的平方之比，即称为电感因数。它与磁芯的形状、尺寸、磁导率、线圈绕法以及线圈与磁芯的相对位置等有关。8.阻流圈（扼流圈）/choke；reactor是具有一定电感量的线圈。它的基本用途是阻止高频率的电流通过。用在电源平滑滤波器中的叫滤波阻流圈；用在音频电路中的叫音频阻流圈，用在高频电路中的叫高频阻流圈。阻流圈的结构形式及使用的材料随其用途，亦即随其工作频率而不同。电源供给系统中用的阻流圈的工作频率一般不高于电源频率的6倍，常使用硅钢片做成的铁芯。音频电路中用的阻流圈的频率为20～20000赫。其铁芯材料种类较多，硅钢片、铁氧体、坡莫合金等均被广泛采用。音频扼流圈要求分布电容小。高频电路中用的阻流圈（或叫高频电感线圈），大部分采用空气芯，也有采用磁导率较稳定的铁粉芯的。各种阻流圈在结构上及电绝缘方面的要求与同频率的变压器相似。9.微调电感器/trimminginductor它的电感量调节范围较小，在使用中实际上为一固定电感器，微调的目的在于满足器件和整机调试时的需要以及补偿电感器生产中的不一致性。微调电感器按磁芯结构的不同有多种型式，如螺纹磁芯微调电感器、罐形磁芯微调电感器以及中频变压器等。螺纹磁芯微调电感器，是靠用螺钉、起子将螺纹磁芯旋入旋出以改变螺纹磁芯与线圈的相对位置来调节电感量的。罐形磁芯微调电感器，靠调节杆上下移动以改变有效空气隙来改变电感量，调节范围可达40%。它主要用作载波机的滤波线圈。中频变压器，是靠磁帽上下移动以改变有效空气隙来调节电感量的。10.电阻器/resistor具有一定阻值、一定几何形状、一定技术性能的，在电路中专起电阻作用的元件，称为电阻器。通常简称电阻。电阻器的结构多数由电阻体、基体（骨架）、引出端等构成（如薄膜电阻器、线绕电阻器）；也有由电阻体、引出端等构成(如实芯电阻器)。它可以制成棒形、管形、片形等各种形状。它的主要用途是：稳定和调节电路中的电流和电压，作为分流器和分压器，以及作为消耗电能的负载电阻器。11.薄膜电阻器/thinfilmresistor用真空蒸发或溅射等方法在基片上形成电阻薄膜，在两端接触区上蒸发铬－金等薄膜导体而构成的元件叫薄膜电阻器。薄膜电阻所用材料种类繁多，但基本要求是一样的，即：电性能好，电阻温度系数低，稳定性好，噪声系数低，电阻范围宽，工艺性好，制造工艺简单，淀积过程中材料不分解，不易与加热器起反应。常用的薄膜电阻器是金属及其氧化物薄膜电阻器、合金膜电阻器、金属-陶瓷薄膜电阻器。12.通用电阻器/generalpurposeresistor通用电阻器是指一般用途的电阻器。线绕电阻器和非线绕电阻器均可作为通用电阻器使用。这种电阻器的应用范围很广，取值范围一般为5.1欧～10兆欧；功率0.l25～2瓦．少数为5瓦和10瓦，在线绕电阻器中功率还可以更高一些；工作电压一般不超过1千伏；其精度有±5%、±10%和±20%三级。13.光敏电阻器/photoresistor光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种元件。它是一种电阻值随着入射光强弱而改变的半导体电阻器。一般说来，入射光增强，电导增大，电阻减少。通常，光敏电阻体都制成薄片结构，以便吸收更多的光能。当它受到光线的照射时，半导体内部就激发出电子-空穴对，参与导电，使电路中的电流增大。根据光敏电阻器的光敏层所用的材料可以分为多晶光敏电阻器和单晶光敏电阻器。所谓光，通常是指频谱从无线电波到Ｘ射线的电磁波。根据光敏电阻的光谱特性，可分为三种光敏电阻器。（1）紫外光敏电阻器：它因对紫外光较为灵敏而得名。其中包括硫化镉、硒化镉光敏电阻器等。可用于探测紫外线。（2）可见光敏电阻器：其中包括硒、硫化镉、硒化镉、硫硒化镉和碲化镉、砷化镓，硅、锗、硫化锌光敏电阻器等。它主要用于各种光电自动控制系统，如光电自动开关门户，航标灯、路灯和其他照明系统的自动点灭，自动给水和自动停水装置，机械上的自动保护装置和“位置检测器”，极薄零件的厚度检测器，照相机自动曝光装置，电视机亮度自动调整电路，电子计算机的输入设备，光电计数器，光电斩波器，烟雾报警器，光电跟踪系统等方面。（3）红外光敏电阻：主要有硫化铅、碲化铅、硒化铅、锑化铟、碲镉汞、碲锡铅、锗掺汞、锗掺金等光敏电阻器。它广泛地用于导弹制导、卫星姿态监视、天文探测、非接触测量、气体分析、无损探伤、人体病变探测、红外光谱、红外通信等国防、科学研究和工农业生产中。此外，硫化镉光敏电阻器还对X射线、γ射线、α射线和β射线都很敏感，可用来做α射线和γ射线的剂量计，以及α射线和β射线的晶体计数管，来探测和量度各种射线的强度。14.阻值允许误差/resistancetolerancce指电阻器或电位器的实际阻值对于标称阻值的允许最大偏差范围，它标示产品精度。例如通用电阻器规定有三级精度，其中I级阻值允许误差是±5%，II级是±10%，III级是±20%。15.集成电路(IC)/integratedcircuit使用半导体工艺或薄、厚膜工艺(或者这些工艺的结合)将电路的有源元件、无源元件及其互连布线一起制作在半导体或绝缘基片上，结构上形成紧密联系的整体电路，称为集成电路。与散装电路相比，集成电路大大减小了体积、重量、引出线和焊点数目，提高了电路性能和可靠性，同时降低了成本，便于批量生产。从分立元件到集成电路，是半导体电子技术发展的一个飞跃。整机集成化是微小型化发展方向，集成电路在民用电子设备、工业电子学、军事电子设备等方面具有广泛而重要的用途。大规模集成电路和微波集成电路是集成电路技术的重要发展方向。16.集成度/integratedlevel在单块晶片(单片)上或单个封装中构成的集成电路所包含的最大元件数(包括有源及无源元件数)，称为集成度。单片上的集成电路所包含的最大元件数，称为单片集成度；当陶瓷基片上或单个封装中由多个芯片构成集成电路时，其所包含的总元件数称为混合集成度。集成度衡量集成电路规模的大小，同样芯片面积下的集成度则表征集成密度的大小。17.薄膜混合集成电路/thinfilmhybridIC薄膜混合集成电路一般称为薄膜集成电路。这种电路采用薄膜工艺制作薄膜电阻器、电容器、电感器、互连线、焊接端，另把分立的或片状的有源器件外贴到薄膜无源电路基片上。为了提高电路功能，降低成本和使电路设计灵活，除外贴有源器件外，还可以外贴无源元件（电阻器、电容器和调谐元件）和单片集成电路。薄膜混合集成电路的精度高，性能好，抗辐射，与硅的相容性好，因而适用于高精度、高稳定、高可靠、低噪声和高频的线性集成电路和数字集成电路。18.大规模混合集成电路/largescalehybridIC用多层布线和细线工艺制造厚、薄膜集成电路的无源元件和导体，然后与中规模或大规模半导体集成电路芯片组装起来，就构成大规模混合集成电路。它可大大提高厚、薄膜电路的集成度，扩展电路功能，缩小电路体积，提高电路可靠性，并使设计更为灵活，因此是厚、薄膜集成电路的主要发展方向之一。大规模混合集成电路既适合于数字电路，也适合于线性电路，用途较广泛。19.全薄膜化集成电路/all-thin-filmIC构成一个完整电路所需的晶体管、二极管、电阻、电容、电感和互连导体等，全部用薄膜工艺在绝缘基片上制成膜厚在1微米以下的薄膜，这种电路称为全薄膜化集成电路。这种集成电路耐辐射性好，可靠性高。20.半导体/semiconductor物质按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。具有良好导电能力的物质叫做导体，金属就是导体的例子，它的电阻率在10-1～10-6欧姆·厘米的范围内。导电能力很差或不能导电的物质叫做绝缘体，其电阻率一般大于1015欧姆·厘米。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质叫做半导体。半导体的主要特点不仅在于其电阻率在数值上与导体和绝缘体的差别，而且在于它的导电性具有两个显著的特点：(1)电阻率的变化受杂质含量的影响极大。例如，硅中只含有亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的千分之一。如果所含杂质的类型不同，导电类型也不同。由此可见，半导体的导电性与所含的微量杂质有着非常密切的关系。(2)电阻率受外界条件(如热、光等)的影响很大。温度升高或受光照射时均可使电阻率迅速下降。一些特殊的半导体在电场或磁场的作用下，电阻率也会发生改变。半导体材料的种类很多，按其化学成分可以分为元素半导体和化合物半导体；按其是否含有杂质，可以分为本征半导体和杂质半导体；按其导电类型，可以分为N型半导体和P型半导体。此外，还有磁性半导体、压电半导体、铁电半导体、有机半导体、玻璃半导体、气敏半导体等。目前广泛应用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、锑化铟等．其中以锗、硅材料的生产技术较成熟，用的也较多。用半导体材料制成的部件、集成电路等是电子工业的重要基础产品，在电子技术的各个方面已大量使用。半导体材料、器件、集成