电磁场与电磁波(第4版)勘误表

《电磁场与电磁波（第4版）》勘误表序号页码行数误正12倒3矢量的点积服从交互律和分配律矢量的点积服从交换律和分配律228倒2ddnVSV∇=∫∫iiFFeSddnVSSV∇=∫∫iiFFe3291()d()dVSVSϕψϕψ∇∇=∇∫∫ii()d()dVSVϕψϕψ∇∇=∇∫∫iiS44814利用散度定理ddSSV∇=∫∫iiFFS，…利用散度定理ddVSV∇=∫∫iiFFS，…549100()()d'()4VVμπδμ=−=∫Jr'rr'Jr00()()d'()VVμδμ=−=∫Jr'rr'Jr6493()uuu××∇∇×=+∇FFF()uuu∇=∇ii+∇iFFF52倒122.电位移矢量和电介质中的高斯定律2.电位移矢量和电介质中的高斯定理52倒9将真空中的高斯定律推广到电介质中，得将真空中的高斯定理推广到电介质中，得531这就是电介质中高斯定律的微分形式。这就是电介质中高斯定理的微分形式。538这就是电介质中高斯定律的积分形式。这就是电介质中高斯定理的积分形式。54倒11解：由高斯定律的微分形式解：由高斯定理的微分形式75511200krεερεεεε=∇=∇−=−−iiDP200krεερεεεε=∇=∇=−−iiDP86141zMzzMMMρφρφρρφρ∂∂∂=∇×==∂∂∂eeeJM1zMzzMMMρφρφρρφρρ∂∂∂=∇×==∂∂∂eeeJM9618()220002zJbabμμμ−=−e()220002zJbabμμμ−−=−e10654x=vevxv=ve11661266倒9304()sin2dnybxBtxωω⎡⎤+−×⎢⎥⎣⎦∫ieee304()s2()innydbxBtxωω−⎡⎤+−×⎢⎥⎣⎦∫ieee1369倒4139.5810f−=×199.5810f−=×1472倒7ddcUiCt==ddcuiCt==15808，在分界z=0处，有，在分界面z=0处，有1680981(0,)20cos(1510)xt⎡⎤=+×⎣⎦Ee81(0,)20cos(1510)xtt⎡⎤=+×⎣⎦EexyzabxyzabααBBωn图2.5.3时变场中的矩形线圈ωn图2.5.3时变场中的矩形线圈123411781倒2535300111===εεεzzDE10110005|zz335zzDEεεε=====()50Hzf=60Hzf1887倒13工频=下的金属导体中，频率时的金属导体中，1987倒13()2sin377117.1MA/m0.1xtz=×−Je()2sin377117.1MA/mxtz=×−Je2091倒5()dd(l)ϕϕ∂=−=−∂r()dd(lϕ∂lrl)ϕ=−=−∂rr2110014111221122CCCC12CC+=+；11221122CCCC+112CC+=；22109812ρσπσρ==JEe2Iρσπσρ==JEe2311312112H211()nSμμ×∇×−∇×=HeJ112211()nSμμ×∇×−∇×=AeJA2411325121803[()ln(1)]2ΨbMIbdbIdμπ==++−])1ln()[(230bdbdbIM−++==πμΨ261243例如，当N=1时，211111;12mMLWLI==例如，当N=1时，21111112mMLWLI==、；2712452111222212mLWLIMIII=++222211121212mWLIILIMI=++28126倒32111222212mLWLIMIII=++222211121212mWLIILIMI=++29141倒72()()hbhda−+=2()()hbhba−+=301752(()tϕμεμ∂−∇∇⋅+=−∂AJJAμϕμε−=∂∂+⋅∇∇−)(t311778因此SEH、、、、因此SEH32181倒6根据式（4.5.3）,根据式（4.5.4）,33181倒1=),(zxmH=),(zxmH34189倒9(,)cos()V100mxzttkzω=−Ee1000(,)cos()Vmxzttkzω=−Ee35195倒401cos()yxEtkzωφη=−He+1cos()yxxmEtkzωφη=−He+Iθrr'dIldφ''φax(),,0rPθyzo图3.3.1小圆环电流zIθrr'dIldφ''φax(),,0rPθyo图3.3.1小圆环电流236196倒5212zη=e212zEη=eEm371975例5.1.1频率为100Mz的均匀电磁波，例5.1.1频率为100Mz的均匀平面波，381990EmE391990HmH40201倒5，但方向却随时变化，，但方向却随时间变化，4120512在4.4.4小节中已指出，在4.5.4小节中已指出，422116794110π1086π03−==⎛⎞×××⎜⎟⎝⎠794110π1086π13−==⎛⎞×××⎜⎟⎝⎠43230711e1()iyzimzE111()eiymjzizEη=He−βη=He−β44231倒6211141Re[sincos]02zimEjzzββη==211141Re[sincos]02imEjzzββηe=z=−e4524712eetxjkxzttmα−−=EE212/kαεεeetxzjkxttm−−=EE46248图1n2n47248图2n1n48250图x492558垂直入射到一无损耗介质表面，垂直入射到一无损耗介质表面（2.1rε=），502552在cm处遇到理想导体，试求：0.280.82z=在z=cm处遇到理想导体，试求：51259倒1得到解析解就很困难，这时如果得到解析解就很困难。如果iErEiHxrHrkiθrθ11,μεikz理想导体图6.4.1垂直极化波对理想导体平面的斜入射iErErkiiHθrθ11,μεikz理想导体图6.4.1垂直极化波对理想导体平面的斜入射352283图53308倒6（1）当负载阻抗()L4030Zj+=Ω时，（1）当负载阻抗时，()L4030Zj−=Ω54309图02Z02jZ553195eemm↔−↔EHEH、、mmee↔↔−EHEH、、563457()22457.53/m10Ad−=×J()122457.53m10A/d−=×J57349122.5m2ynλ−=±22.5m2ynλ=±58350683.94.1(82,)yzyte−=Ee83.94.1(56,)yzyte−=Ee593508f=100kHz时：1.26Np/mαπ=，f=100kHz时：1.26Np/mα=，60350倒731210sixj−−×e12()n()V/m3xxπ=E12()sin(m320yj−e)V/xxπ=E61350倒6410xπ−e12()cos()A/m3xxπ=H12()cos(361zπe/m)Axxπ=H62351173110.04(1,)10A/myt−−=×He3110.4(1,)10A/myt−−=×He63351倒1095.4%raviavSS=97.7%raviavSS=643521421.91102(,)10.510zxzte−−×=−×He421.91102(,)10.530zxzte−−×=−×He65352倒72213cos(3)W/m2.4avxzππ=Se2213cos(3)W/m1.2avxzππ=Se211倒9710t710πtcos(8.89)V/mz−V/mz−cos(8.89)21752p20mNeωεω=2p0mNeωε=3333()sin12sin2NfNNψψψ=()sin12sin2NFNNψψψ=33413上的磁场xH可等效为一电流元，而电场SJyE可等效为一磁流元，且msJ上的磁场xH可等效为一电流密度，而电场SJyE可等效为一磁流密度，且msJTE11TM01TE21TE01TM11TE21TM21TE12TM02cλⅢⅡⅠ图7.3.2圆柱形波导中模式分布图2.61a3.41a4334倒3()()jmjmdsincoscose2djcoscossinej2krkIxrIyrθφθφφθφλθφφηλ−−⎧=+⎪⎪⎨⎪=−−−⎪⎩EeeHee()()jmjmdsincoscose2djcoscossinej2krkrIxrIyrθφθφφθφλθφφηλ−−⎧=+⎪⎪⎨⎪=−−⎪⎩EeeHee3386对于E面，取，此时0=0φ对于H面，取，此时0=0φ338倒8()2πjsinsin'00ed2πsinkJkθφρρρθ−′=∫θ′ρφ()2πjsinsin'00ed2πsinkJkφρθ−′=∫′′5