CMOS集成电路制造工艺介绍

CMOS集成电路制造工艺介绍TopicsIntroduction.SemiconductorManufacturingconcept.RC01SProcessflowexample.半导体产生流程半导体固体材料的电导率位于导体与不导体之间，并且其电导率对温度光照杂质及磁场都敏感的材料称之为半导体材料。由单一原子组成的，如锗(Ge)硅(Si)等。由两种及两种以上元素组成的化合物半导体。基于硅工艺在半导体界的统治地位，以下讨论都基于硅工艺。关于n型p型的解释实际上纯净的Si是不导电的或者说导电性很差。对纯净的Si之中掺入P或As等可以提供自由运动电子的杂质的Si称为ntypeSi.相应的提供自由运动电子的杂质被称为施主杂质。对纯净的Si之中掺入Br等可以提供供自由运动电子占据的空位的杂质的Si称为ptypeSi。相应地该杂质被称为受主杂质。新材料:铜•金属连接导线:铜代替铝和钨–低电阻系数–改善元件的速度–电迁移抵抗能力较高–更高的电流密度•减少金属层数可以减少制成步骤–较低的生产成本–改善整体良率新材料:低-k•低-k介电质取代硅玻璃作为連接导线的应用•CVD:碳硅玻璃(CSG)和a-FC•SOD:HSQ和多孔性的二氧化硅.•铜和低-k的组合來改善IC芯片的速度新材料:高-k•MOS栅极电容器的电容必須大到足以维持足够的电荷•圆形尺寸的缩减，栅极电容也缩小。•高-k,将栅极电介质维持足够的厚度以防止漏电流和崩溃•候选材料:TiO2(k~60),Ta2O5(k~25),以及HfO2也有可能•BST(Ba½Sr½TiO3,k值可高达600)•将会被用来作为DRAM电容的介电材料。FeatureSizeandWaferSize•晶圓尺寸越大，可以容納更多的晶片•現在300mm(12吋)屬於過渡階段•未來將變成主流•建造製造工廠成本需要超過二十億•2010年以後第一個400mm的晶圓工廠可能出現150mm200mm300mmChipmadewith0.35mmtechnologyWith0.25umtechnologyWith0.18umtechnologyWith0.13umtechnologyWith90nmtechnologyWith65nmtechnologyWafersizeSamedesigndiesizewithdifferentfeaturesize单晶Si多晶Si的概念&特点单晶si各向同性，如wafer多晶si各向异性，如polygateSemiconductorManufacturingbasicconcept制造工艺中可能在晶片表面产生污染，所以在进行下一步工艺前会对其进行表面清洗工作。湿法清洗技术，用溶液清洁硅片表面。干法清洁技术，利用等离子体，超生波，蒸气压等物理手段。表面清洗初次氧化生成SiO2缓冲层，减少后续工艺中Si3N4对晶圆的应力。干法氧化：速度慢，质量好，用于要求高的栅氧等场合。湿法氧化：速度快，氧化层质量一般。水气氧化：速度很快，氧化层质量很差，一般只用于暂时的隔离层等。薄膜生长技术CVD（chemicalvapordeposition）常压CVD，低压CVD，热CVD，电浆增强CVD，MOCVD外延生长法一般指气相外延，用来生长单晶薄膜。物理气相淀积主要包括蒸发和溅射两种。光刻光刻技术是集成电路中最重要的的工艺技术，即用光学光源在致抗蚀剂上印刷出所需图形。光刻技术直接反映集成电路的技术水平。集成电路越复杂，其所需要的光刻次数越多。光刻得越精细，集成电路的特征尺寸越小。集成电路的发展过程也就是光刻技术的发展过程。光刻从接触式——接近式——投影式到现在的步进式，一步步前进。曝光光线从光源出发，经过按照电路版图设计制作的Mask，到达涂有光刻胶的晶片表面，使光刻胶发生化学反应，这一过程称为曝光。整个暴光过程类似于普通照相过程。根据光刻胶对光线反应的不同特性，光刻胶分为正胶和负胶两种。正胶被暴光的部分被显影掉，而负胶恰好相反。正负胶的区别刻蚀把经过暴光显影后光刻胶下的材料除去的过程称之为刻蚀湿法刻蚀：利用材料的化学特性，将之在特定的溶液中溶解掉。速度快，成本低，但是图形的各向异性差，加工精度不高。干法刻蚀：利用等离子体轰击硅表面，得到需要的图形。精度高，各向异性好。掺杂技术掺杂就是人为地将所需要的杂质以一定的方式掺入到硅片中的区域，并达到规定的数量和一定的分布掺杂的种类有P型（硼，铟）和N型（磷，砷，锑）两种。热扩散：在高温下，杂质原子从源运动到硅表面并再分布的过程。有气相扩散和固体源扩散两种。一般是从表面到内部浓度逐渐降低。离子注入：将高能量离子打入硅表面，随后在高温退火下激活。可以精确控制杂质浓度和注入深度。器件隔离局部氧化隔离（LOCOS）传统的隔离技术，缺点是存在所谓的“鸟嘴”效应，对集成不利，抑制Latch-up能力差。浅沟槽隔离（STI）180nm以后时代普遍使用的器件隔离方法，它可以在全平坦化条件下使鸟嘴宽度为零。抑制Latch-up效应能力强。薄栅氧化栅氧层是构成MOS器件的关键层，它对控制器件的驱动能力，抑制短沟道效应，提高可靠性等方面有着重要的作用。250nm时代以后，一般采用超薄氮化氧化技术，一般只有几个nm厚，可以提高器件可靠性。例如瑞萨90纳米工艺coreNMOStox=2.6nm金属化器件与器件之间通过金属连接起来，并且这种相连是欧姆接触连接。以前的连接使用的金属是金属铝，现在大部分已经开始使用金属铜作为互连材料。金属铜的好处是电阻率更低。硅化物（Silicide）是硅和难熔金属形成的化合物，能有效降低接触电阻和搀杂多晶硅上的串联电阻。自对准：淀积在硅片上的一薄层金属经过退火等处理后形成硅化物，金属不与SiO2反应，所以使用具有选择性腐蚀溶液除去金属，这样便在硅上选择性地形成了硅化物，这就是自对准。源漏工程与浅结MOS器件中理想的源漏区是理想的pn结，但实际上源漏区结构比较复杂。LDD技术：在MOS源漏端靠近表面的地方形成轻搀杂的区域，以达到削弱热载流子效应。源漏延伸区结构：随着沟道尺寸的近一步缩小，热电子效应已经不是主要效应，这时候由于源漏区的扩散运动会使源漏区距离更短甚至短接起来，所以为了避免这一种窄沟道效应，在LDD技术的基础上发展起来的具有更浅的结深的一种结构。WELL晶片上的用于制造晶体管等元件的衬底称为WELL(即阱）WELL按照参杂杂质的不同分为NWELL和PWELL。NWELL有深N阱(deepnwell)和浅N阱两种，为了在N阱中再形成P阱，必须形成深N阱，即deepNWELL(NISO)NWELL的方块电阻一般为1KΩ/□DiffusionDiffusion即扩散层，在衬底上生成n型或p型有源区域.用于形成MOS管或二极管三极管电阻等元器件。用于形成用于隔离目的的guard-ring.方块电阻一般为几十欧姆到100欧姆左右，温度系数比较大。Poly多晶硅简称为Poly，一般分为单层多晶工艺和双层多晶工艺两种。多晶硅最主要的用途就是做晶体管的栅极。1.用于器件之间的连线，不过由于单位电阻较大，一般会避免使用多晶硅进行连线。2.用于形成电阻，面积，电学性能等综合考虑，多晶硅电阻是我们在CMOS工艺中能够得到的最好的电阻。3.用于形成电容，有MOS电容和双层Poly电容两种。Poly电容精度比较高，可以得到相对精度很高的电容，在模拟电路设计中被大量使用。Poly的单位电阻一般为100欧姆左右，不过为了降低Poly的电阻，往往在其上面生成一层硅化物，如钛化硅等，以降低其电阻值，这时单位电阻大概可以降到10~20欧姆左右CONTPoly与金属之间或者扩散与金属之间的连接孔称为CONT每个CONT的导通电阻大概是20欧姆左右，相对来说比较大，因此如果用于输出端连接，都会尽量地多打一些CONT，一般是要AsmoreaspossibleVIAVIA即通孔，是用于连接金属与金属之间的连接孔。工艺上为了降低通孔的连接电阻，用钨栓作为连接介质。每个通孔的导通电阻大概为5欧姆左右。(RC01S)Metal•一般为AL工艺或铜工艺。•RC01S-HND为5层金属铝铜工艺，第一层金属方块电阻为0.145欧姆，第2~第4层方块电阻为0.115欧姆，第5层方块电阻为0.035欧姆•瑞萨90nmprocess---Cu工艺Atypical0.13umCMOSprocessflowRC01SHND130nmProcess工艺流程示意图演示instruction：P+：highdensityofPionimplantP-：lowerdensityofPionimplantP：twoimplants,onceP-,onceP+Sodid：As+，As-，B+，B-……P-Sub1.1Substrate:P-Si(Axis:100)1.2OxidegrowthP-SubSiO2Method:1)Dryoxidation2)WetoxidationAxis:1001)LowinterfacetrapdensityNit(111)/Nit(100)~102)Highersurfacecarriermobilityμ(100)μ(111)P-Sub1.3Si3N4deposition1.4photoresistcoveringP-SubCVDdepositionPhotoresisit:positive&negativeP-SubP+1.5deepn-wellformationmask1P-SubDNWUV1.6deepn-wellimplantmaskDNW:1)Improvesubstratenoise1)Digital-analogseparate3)BackbiasadjustP-SubDNW1.7SelectDNWregionasoperationalobjectP-SubDNWP-SubDNWN-wellP+1.9N-wellimplantP-SubDNWUV1.8N-wellformationmask21)Etch2)Implant3)photoresist,Si3N4remove1.10P-wellformationmask3P-SubDNWN-wellP-wellB+1.11Vthadjustimplantmask4P-SubDNWN-wellP-wellAsN-wellVthimplantusedoubleimplants:1)Punch-throughimplant,As+2)Vthimplant,As-3)SodoesP-wellP-SubDNWN-wellP-well1.12Vthadjustimplantmask5BDoubleimplantsforbetterdeviceperformance:1)TopreventS/Dpunch-through2)Suppressoff-stateleakageofFETsP-SubDNWN-wellP-well1.13Si3N4deposition1)Photoresist,Si3N4remove2)Si3N4depositonetchN-wellP-wellDNWP-SubP-SubDNWN-wellP-well1.14STIformationmask6UVmaskphotoresist(posi)Si3N4SiO2Vthadjust1)Photoresistremove2)SiO2deposition1)CMP(Chemicalmechanicalpolish)2)Addphotoresist(Nega)3)Usemask6RSTIN-wellP-wellDNWP-SubN-wellP-wellDNWP-SubDNWP-SubN-wellP-well1)Etch2)Photoresist,Si3N4,SiO2remove2.1GateSiO2formationmask7DNWP-SubN-wellP-wellSTISTISTISTIS