SST25VF064C_cn中文数据手册

AMicrochipTechnologyCompany©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25036A_CN10/11数据手册特性•单电压读写操作–2.7-3.6V•串行接口架构–兼容SPI：模式0和模式3•双输入/输出支持–快速读取双输出指令–快速读取双I/O指令•高速时钟频率–高速读（0BH）时为80MHz–快速读取双输出（3BH）时为75MHz–快速读取双I/O（BBH）时为50MHz–读取指令（03H）时为33MHz•超高可靠性–可擦写次数：100,000次（典型值）–数据保存时间大于100年•低功耗–读操作工作电流：12mA（80MHz时的典型值），对于单个位读取–读操作工作电流：14mA（75MHz时的典型值），对于双位读取–待机电流：5µA（典型值）•灵活的擦除功能–均一4KB扇区–均一32KB覆盖块–均一64KB覆盖块•快速擦除–全片擦除时间：35ms（典型值）–扇区/块擦除时间：18ms（典型值）•页编程–每页256字节–单输入和双输入支持–1.5ms（典型值）的快速页编程时间•写操作结束检测–软件轮询状态寄存器中的BUSY位•写保护（WP#）–使能/禁止状态寄存器的锁定功能•软件写保护–通过状态寄存器中的块保护位实现写保护•安全ID–可一次性编程（One-TimeProgrammable，OTP）的256位安全ID-出厂前预编程的64位惟一标识符-192位用户可编程•温度范围–商业级：0°C至+70°C–工业级：-40°C至+85°C•可用封装–16引脚SOIC（300mil）–8触点WSON（6mmx8mm）–8引脚SOIC（200mil）•所有器件均符合RoHS标准64MbSPI串行双I/O闪存SST25VF064CSST25系列串行闪存采用四线、兼容SPI的接口，从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装，并昀终降低总系统成本。SST25VF064CSPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOSSuperFlash®技术制造。与其他方法相比，分离栅极单元设计（split-gatecelldesign）和厚氧化层隧穿注入器（thick-oxidetunnelinginjector）可实现更高的可靠性和可制造性。©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25036A_CN10/11264MbSPI串行双I/O闪存SST25VF064C数据手册AMicrochipTechnologyCompany产品描述SST25系列串行闪存采用四线、兼容SPI的接口，从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装，并昀终降低总系统成本。SST25VF064CSPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOSSuperFlash®技术制造。与其他方法相比，分离栅极单元设计（split-gatecelldesign）和厚氧化层隧穿注入器（thick-oxidetunnelinginjector）可实现更高的可靠性和可制造性。SST25VF064C可以显著提高性能和可靠性，同时降低功耗。该器件使用2.7-3.6V的单电源进行写操作（编程或擦除）。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的函数。对于任何给定的电压范围，SuperFlash®技术的编程电流更低、擦除时间更短；因此，在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。SST25VF064C器件提供16引脚SOIC（300mil）、8触点WSON（6mmx8mm）和8引脚SOIC（200mil）封装。有关引脚分配，请参见图2。©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25036A_CN10/11364MbSPI串行双I/O闪存SST25VF064C数据手册AMicrochipTechnologyCompany框图图1：功能框图1392B1.0义㓧ކऎǃI/O㓧ކ఼੠᭄᥂䫕ᄬ఼SuperFlash®ᄬټ఼X䆥ⷕ఼᥻ࠊ䘏䕥ഄഔ㓧ކऎ੠䫕ᄬ఼CE#Y䆥ⷕ఼SCKSI/SIO0SO/SIO1WP#RST#/HOLD#І㸠᥹ষ©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25036A_CN10/11464MbSPI串行双I/O闪存SST25VF064C数据手册AMicrochipTechnologyCompany引脚说明图2：16引脚SOIC、8触点WSON和8引脚SOIC的引脚分配表1：引脚说明符号引脚名称功能SCK串行时钟用于提供串行接口的时序。命令、地址或输入数据在时钟输入的上升沿进行锁存，而输出数据在时钟输入的下降沿移出。SI串行数据输入用于以串行方式将命令、地址或数据传送到器件中。输入在串行时钟的上升沿进行锁存。SO串行数据输出用于以串行方式将数据传送出器件。数据在串行时钟的下降沿移出。SIO[0:1]双I/O模式的串行数据输入/输出用于以串行方式将命令、地址或数据传送到器件中或传送出器件。输入在串行时钟的上升沿进行锁存。数据在串行时钟的下降沿移出。这些引脚用于双I/O模式。CE#芯片使能CE#上高电平到低电平的转换可使能器件。在任何命令序列的持续时间内，CE#都必须保持低电平。WP#写保护写保护（WP#）引脚用于使能/禁止状态寄存器中的BPL位。RST#/HOLD#复位用于复位器件和内部逻辑的操作。器件上电时，默认提供RST#引脚功能。保持用于在选择器件时暂时停止与SPI闪存存储器的串行通信。这通过指令序列进行选择。有关详细信息，请参见第5页的“复位/保持模式”。VDD电源用于提供电源电压：2.7-3.6VVSS地T1.025036SCKSI/SIO0NCNCNCNCVSSWP#RST#/HOLD#VDDNCNCNCNCCE#SO/SIO1139216-SOICP1.0׃㾚೒13928-WSONP1.012348765CE#SO/SIO1WP#VSS׃㾚೒VDDRST#/HOLD#SCKSI/SIO013928-soicS3AP1.012348765CE#SOWP#VSSVDDRST#/HOLD#SCKSI׃㾚೒©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25036A_CN10/11564MbSPI串行双I/O闪存SST25VF064C数据手册AMicrochipTechnologyCompany存储器构成SST25VF064CSuperFlash存储器阵列由均一4KB可擦除扇区及32KB覆盖块和64KB覆盖可擦除块组成。器件操作SST25VF064C通过兼容SPI（串行外设接口）总线的协议进行访问。SPI总线包含四条控制线；芯片使能（CE#）用于选择器件，数据通过串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）和串行时钟（SCK）进行访问。SST25VF064C支持SPI总线操作的模式0（0,0）和模式3（1,1）。如图3所示，两种模式之间的差异在于当总线主器件处于待机模式并且没有数据传送时的SCK信号状态。SCK信号在模式0时为低电平，在模式3时为高电平。对于这两种模式，串行数据输入（SI）在SCK时钟信号的上升沿被采样，串行数据输出（SO）在SCK时钟信号的下降沿之后被驱动。图3：SPI协议复位/保持模式RST#/HOLD#引脚提供硬件复位或保持引脚。上电后，RST#/HOLD#引脚默认为硬件复位引脚（RST#）。该引脚的保持模式是用户选择的选项，在该选项中通过EHLD指令使能保持模式。一旦选择为保持引脚（HOLD#），RST#/HOLD#引脚就会立即配置为HOLD#引脚，只有经过掉电和上电序列后才恢复为RST#引脚。1392F04.0῵ᓣ3SCKSISOCE#῵ᓣ3Bit7Bit6Bit5Bit4Bit3Bit2Bit1Bit0Bit7Bit6Bit5Bit4Bit3Bit2Bit1Bit0῵ᓣ0῵ᓣ0催䰏ᡫMSbMSb᮴݇ԡ©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25036A_CN10/11664MbSPI串行双I/O闪存SST25VF064C数据手册AMicrochipTechnologyCompany复位如果RST#/HOLD#引脚用作复位引脚，则RST#引脚提供了复位器件的硬件方法。将RST#引脚驱动为高电平可将器件置于正常工作模式。RST#引脚必须被驱动为低电平，并持续昀少TRST时间，才能复位器件。器件复位时，SO引脚处于高阻抗状态。成功的复位会将状态寄存器复位到上电状态（BPL、BUSY和WEL=0；BP3、BP2、BP1和BP0=1）。有关默认上电模式，请参见表2。在有效的编程或擦除操作期间复位器件将中止操作，目标地址范围内的数据可能会由于擦除或编程操作中止而发生毁坏或丢失。图4：复位时序图表2：复位时序参数符号参数昀小值昀大值单位TRST复位脉冲宽度100nsTRHZ复位到高阻态输出105nsTRECR从读取到复位恢复100nsTRECP从编程到复位恢复10µsTRECE从擦除到复位恢复1msT2.250361292F28.0CE#SOSISCKRST#TRECRTRECPTRECETRSTTRHZ©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25036A_CN10/11764MbSPI串行双I/O闪存SST25VF064C数据手册AMicrochipTechnologyCompany保持操作EHLD指令将使能RST#/HOLD#引脚的保持引脚功能。转换为保持引脚之后，RST#/HOLD#引脚将用作保持引脚，直到器件掉电再上电为止。掉电再上电后，引脚功能恢复为复位引脚（RST#）。HOLD#引脚用于暂停使用SPI闪存的串行序列，但不会复位时钟序列。要激活HOLD#模式，CE#必须处于有效低电平状态。当SCK有效低电平状态与HOLD#信号的下降沿同时发生时，HOLD#模式开始。当HOLD#信号的上升沿与SCK有效低电平状态同时发生时，保持模式结束。如果HOLD#信号的下降沿未与SCK有效低电平状态同时发生，则当SCK再次达到有效低电平状态时器件进入保持模式。同样，如果HOLD#信号的上升沿未与SCK有效低电平状态同时发生，则当SCK再次达到有效低电平状态时器件退出保持模式。有关保持条件波形，请参见图5。器件进入保持模式之后，SO将处于高阻抗状态，而SI和SCK可以为VIL或VIH。如果在保持条件期间将CE#驱动为高电平，则器件恢复到待机模式。只要HOLD#信号为低电平，存储器就会保持在保持条件下。要继续与器件进行通信，必须将HOLD#驱动为有效高电平，并将CE#驱动为有效低电平。有关保持时序，请参见图5。图5：保持条件波形写保护SST25VF064C提供了软件写保护。写保护引脚（WP#）用于使能或禁止状态寄存器的锁定功能。状态寄存器中的块保护位（BP3、BP2、BP1、BP0和BPL）提供对存储器阵列和状态寄存器的写保护。有关块保护的说明，请参见表5。写保护引脚（WP#）写保护（WP#）引脚用于使能状态寄存器的BPL位（bit7）的锁定功能。当WP#驱动为低电平时，是否执行写状态寄存器（WRSR）指令由BPL位的值（见表3）决定。当WP#为高电平时，BPL位的锁定功能被禁止。表3：执行写状态寄存器（WRSR）指令的条件WP#BPL执行WRSR指令L1不允许L0允许HX允许T3.025036᳝ᬜֱᣕ᳝ᬜֱᣕ᳝ᬜ1392F05.0SCKHOLD#©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25036A_CN10/11864MbSPI串行双I/O闪存SST25VF064C数据手册AMicrochipTechnologyCompany安全IDSST25VF064C提供256位安全ID（SecID）功能。安全ID空间分为两个部分——一个出厂前编程的64位段和一个用户可编程的192位段。出厂前编程的段在SST使用惟一数字进行编程，无法更改。用户可编程的段保留未编程，供客户根据需要进行编程。