综合检索报告

综合检索报告综合检索报告姓名班级学号检索课题（中文）微处理器结构与性能分析（英文）StructureandPropertiesofMicroprocessor一、检索策略1、检索词：主题词（中文）:微处理器结构性能（英文）:MicroprocessorStructureProperties相关词：（中文）____微处理器中央处理器（英文）MicroprocessorCPU副主题词：（中文）处理器性能（英文）ProcessorProperty2、构造检索式（布尔逻辑表达式或网络检索式）StructureORPropertyANDMicroprocessor二、检索来源（本文所查数据库名或其它来源）1.清华数据库2.EIvillage3.万方数据库4.维普数据库5.中国知识产权局专利检索6.美国专利数据库7.百度百科8.Proquest学位论文系统三、检索结果：分别写出篇名、作者、文献来源（期刊指刊名、年、卷期；专利指专利号；学位论文指授予单位，标准指标准号等文摘形式）及摘要（有原文请注明），所有数据库均检索近10年的文献。1、中文期刊（找5篇）：篇名作者来源《高性能微处理器性能模型设计》李涛;高德远;樊晓桠;张盛兵;王巍航空电子技术2000年02月（季刊）《32位微处理器总线接口部件的设计》孙华锦;高德远;樊晓桠;张盛兵西北工业大学学报2004年03期《16位微处理器的IP核优化设计》宋何娟;李洋;张建生仪器仪表用户2008年03月《先进微处理器体系结构及其发展趋势》刘必慰;陈书明;汪东计算机应用研究2007年02月《同时多线程微处理器结构的性能功耗研究》刘必慰;陈书明;汪东计算机工程与应用2008年28期1.【摘要】讨论了系统性能模型左体系结构设计中的作用，研究了高性能微处理器的性能仿真模型设计技术。系统是以超标量流水线技术为基础，基于ｉ９６０ＫＡ的指令集，采用高层次硬件描述语言实现．更多还原2.【摘要】由于微处理器和存储器两者之间速度的差异性,存储系统已经成为提高微处理器性能的一个瓶颈。同时,系统总线的开销在整个访存延迟中占有相当大的比重。因而,设计一个高效的总线接口对于提高微处理器的性能是非常重要的。文中在32位微处理器ARS03总线接口部件的设计中,使用Load/Store缓冲模型和流水、乱序执行的地址、数据总线等方法来提高其效率,采用M/M/1/K排队论模型确定了缓存队列的长度。实际应用程序仿真结果表明,总线接口的设计是高效的,去掉使用的优化方法会使ARS03的执行时间平均增加21.6%。更多还原3.【摘要】根据Amdahl定律,要改进微处理器的性能,最有效的做法是改进微处理器的体系结构。本文设计的ADM8086采用自顶向下的设计方法和模块化的设计思想,通过采用扩大指令范围,缩短总线周期、减少指令周期时钟数,扩大指令预取阵列等系统结构的优化方法,设计了一款与标准8086指令集相兼容,但性能得到大幅度提升的高性能16位微处理器。更多还原4.【摘要】为了进一步提高微处理器性能,提出了多种新颖的体系结构,如多核、流处理、PIM、可重构、多态等。这些新的体系结构从不同角度对微处理器发展中的问题提出了解决方法。概述了这些体系结构的特点,并对未来体系结构的发展趋势进行了预测。更多还原。5.【摘要】为同时多线程微处理器结构建立的准确的功耗评估模型,将可给出该结构中各部件的功耗使用情况,进而可通过调整部件电压或优化部件结构的方法,达到减少整体功耗的目的;同时,此功耗评估模型也可以作为高层功耗优化研究的测试平台,为系统级、软件级功耗优化研究提供支持。2、外文期刊（找5篇）：1．《Low-jitter1.9-VCMOSPLLforUltraSPARCmicroprocessorapplications》Allstot,DavidJ.Source:IEEEJournalofSolid-StateCircuits,v35,n3,p450-454,2000Abstract:Aphase-lockedloop(PLL)forCMOSUltraSPARCmicroprocessorapplicationsusesaloopfilterreferencedtoaquietpowersupplyandachievesmeasuredclockperiodjitterof±25psat360MHz.ThefullyintegratedCMOSPLLusesacharge-pumpphase/frequencydetector,asingle-capacitorloopfilter,andafeed-forwarderrorcorrectionarchitecture.Loopcharacteristicsareanalyzedandverifiedbymeasurements.Themeasuredsensitivityofclockperiodjittertosupplyvoltageis2.6ps/100mvoverananalogsupply-voltagerangeof1.6-2.1V;themeasuredoutputoperatingfrequencyrangeis8.5-660MHz.Fabricatedinanareaof310×280μm2ina0.25-μmCMOSprocess,thePLLdissipates25mWfroma1.9-Vsupply.(7refs)2．《CharacterizationofcompressivediestressesinCBGAmicroprocessorpackagingduetocomponentassemblyandheatsinkclamping》Motalab,Mohammad;Hussain,Safina;Suhling,JeffreyC.;Jaeger,RichardC.;Lall,PradeepSource:JournalofElectronicPackaging,TransactionsoftheASME,v134,n3,2012Abstract:Microprocessorpackaginginmodernworkstationsandserversoftenconsistsofoneormorelargeflipchipdiethataremountedtoahighperformanceceramicchipcarrier.Thefinalassemblyconfigurationfeaturesacomplexstackupofflipchipareaarraysolderinterconnects,underfill,ceramicsubstrate,lid,heatsink,thermalinterfacematerials(TIMs),secondlevelceramicballgridarray(CBGA)solderjoints,organicprintedcircuitboard,etc.,sothataverycomplicatedsetofloadsistransmittedtothemicroprocessorchip.Severaltrendsintheevolutionofthispackagingarchitecturehaveexacerbateddiestresslevelsincludingthetransitiontolargerdie,highcoefficientofthermalexpansion(CTE)ceramicsubstrates,leadfreesolderjoints,higherlevelsofpowergeneration,andlargerheatsinkswithincreasedclampingforces.Diestresseffectsareofconcernduetoseveralreasonsincludingdegradationofsilicondeviceperformance(mobility/speed),3．《JBCore3232-bit/16-bitembeddedmicroprocessorwithitssystemsoftwareandprogramdevelopmentenvironment》Tong,D.;Cui,G.;Wang,K.Source:ChineseJournalofElectronics,v10,n2,p188,April2001Abstract:TheEducationMinistryofChinaapprovedtheJBCore3232/bitsEmbeddedMicroprocessordesignedbyPekingUniversity.Theappraisalcommitteeagreedthat,JBCore32ownsadvancedandreasonablearchitecture,richandcompleteinstructionset,andIntelligentProperty,meetingtheneedsofembeddedsystemandreal-timeapplications.4．《LowprofileintegratableinductorfabricatedbasedonLTCCtechnologyformicroprocessorpowerdeliveryapplications》Liang,Zhenxian;vanWyk,JacobusDanielSource:IEEETransactionsonComponentsandPackagingTechnologies,v30,n1,p170-177,March2007Abstract:Anovellowprofilepowerinductorsuitableforplanarintegrationisdesignedandfabricatedbasedonlowtemperatureco-firedceramicstechnologyformicroprocessorpowerdeliveryapplications.Theinductorwasdesignedtooperateataswitchingfrequencyof4to5MHz,carryinganominaldccurrentof20Awitharipplecurrentof8to10Aina5-Vto1-Vdc-dcconverter.Thedesignandfabricationprocedureisdiscussedinthispaper,followedbysmallsignalmeasurementandmagneticcharacterizationresults.Theinductorwasimplementedinaprototypeconverterandthelargesignalmeasurementresultsarepresentedanditsperformanceevaluated.©2007IEEE.(26refs)5．《Exploitinganinfrastructure-intellectualpropertyforsystems-on-chiptest,diagnosisandsilicondebug》Grosso,M.;Rebaudengo,M.;SonzaReorda,M.Source:IETComputersandDigitalTechniques,v4,n2,p104-113,March2010Abstract:Semiconductormanufacturersaimatdeliveringhigh-qualitynewdeviceswithinshortertimesinordertogainmarketshares.Firstsilicondeb