第三章光源与光发送机2013教材

第3章光源和光发送机光纤通信用光源光发送机光源与光纤的耦合3.1光纤通信用光源光源是光发射机的关键器件，其功能是把电信号转换为光信号。目前光纤通信广泛使用的光源主要有半导体激光二极管或称激光器(LD)和发光二极管或称发光管(LED)，有些场合也使用固体激光器。本节首先介绍半导体激光器(LD)的工作原理、基本结构和主要特性，然后进一步介绍性能更优良的分布反馈激光器(DFB-LD)，最后介绍可靠性高、寿命长和价格便宜的发光管(LED)。光纤技术用光源的种类光通信半导体发光二极管（LED－LightEmittingDiode)半导体激光二极管(LD-LaserDiode)光纤传感半导体发光二极管半导体激光二极管光纤激光器光波长是否可调谐光谱宽度：窄和宽？光功率直接调制特性（强度、频率、相位，线性、噪声）：集成受环境影响（温度、振动、湿度等）工作寿命价格光源的一些重要指标半导体激光器是向半导体PN结注入电流，实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡的。3.1.1半导体激光器工作原理和基本结构有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应。在物质的原子中，存在许多能级，最低能级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2,3,4…)称为激发态。电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式：受激吸收自发辐射受激辐射(见图3.1)1.受激辐射和粒子数反转分布E2E1E2E1hv初态终态(b)自发辐射(a)受激吸收能级与电子跃迁示意图hvhvhvhv受激发射的光子与原光子具有相同的波长、相位和传播方向，相干辐射非相干辐射hv=E2-E1h=6.626x10-34Js是普朗克常数(c)受激辐射光的自发发射、受激吸收和受激发射•自发发射：大量处于高能级的粒子，各自分别发射一列一列频率为=(E2-E1)/h的光波，但各列光波之间没有固定的相位关系，可以有不同的偏振方向，沿所有可能的方向传播。各光子彼此无关。•受激吸收：处于低能级E1的粒子受到光子能量为hv的光照射时，粒子会吸收这种入射光子，并跃迁到高能级E2上。•受激发射：处于高能级E2的粒子受到光子能量为的光照射时，粒子会由于这种入射光的刺激而发射出与入射光一模一样的光子，并跃迁到低能级E1上。有相同的偏振方向和传播方向。受激辐射是受激吸收的逆过程。电子在E1和E2两个能级之间跃迁，吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件，即E2-E1=hv受激辐射和自发辐射产生的光的特点很不相同。受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光。自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光。受激辐射和受激吸收的区别与联系自发发射和受激发射的特点•自发发射的同时总伴有受激发射发生。•在热平衡情况下，自发发射占绝对优势。•当外界给系统提供能量时，如采用光照（即光泵）或电流注入（即电泵），打破热平衡状态，大量粒子处于高能级，即粒子数反转后，在发光束方向上的受激发射比自发发射的强度大几个数量级。粒子数正常分布和粒子数反转在温度为T的平衡态时，原子中的电子处于能级Ei的数目Ni为（波尔兹曼分布）kTEiiCeN/原子中处于N2和N1的电子数目之比为kTEEeNN1212处于低能级的电子数大于高能级的电子数，这种分布叫做粒子数的正常分布。k是波尔兹曼常数=1.38×10－23J/K，T是热平衡时绝对温度。为了实现光放大，必须使处于高能级上的电子数大于低能级上的电子数，这种分布与正常分布相反，故叫做粒子数布居反转分布，简称粒子数反转。高能态低能态高能态低能态粒子数正常分布和粒子数反转高能态低能态高能态低能态hvshvS发光原理！半导体的光发射能带量子力学计算表明，固体中若有N个原子，由于各原子间的相互作用，对应于原来孤立原子的每一个能级,变成了N条靠得很近的能级,称为能带。晶体中的电子能级有什么特点？能带的宽度记作E，数量级为E～eV一般能带中两能级的间距约10-23eV。一般规律：1.越是外层电子，能带越宽，E越大。2.点阵间距越小，能带越宽，E越大。3.两个能带有可能重叠。离子间距a2P2S1SE0能带重叠示意图n型半导体电子……多数载流子SiSiSiSiSiSiSiP空穴……少数载流子在n型半导体中在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体P型半导体SiSiSiSiSiSiSi+B空穴……多数载流子电子……少数载流子在p型半导体中在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型半导体Ｐ-Ｎ结在一块n型半导体基片的一侧掺入较高浓度的受主杂质，由于杂质的补偿作用，该区就成为ｐ型半导体。由于Ｎ区的电子向Ｐ区扩散，Ｐ区的空穴向Ｎ区扩散，在ｐ型半导体和Ｎ型半导体的交界面附近产生了一个电场,称为内建场。内建场大到一定程度,不再有净电荷的流动，达到了新的平衡。在p型n型交界面附近形成的这种特殊结构称为P-N结，约0.1m厚。P-N结阻En型p型内建场阻止电子和空穴进一步扩散，记作E阻+-hv+在半导体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带。能量低的能带称为价带，能量高的能带称为导带，导带底的能量Ec和价带顶的能量Ev之间的能量差Ec-Ev=Eg称为禁带宽度或带隙。电子不可能占据禁带。PN结的能带和电子分布能量价带导带EgEfEf/2Ef/2EgEfEeEvEvEeEgEf(a)本征半导体(b)N型半导体(c)P型半导体空穴电子费米能级•在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布•费米能级——用于描述半导体中各能级被电子占据的状态，在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同。在本征半导体中，•Ef位于禁带中央；N型半导体中Ef增大；在P型半导体中Ef减小，能带发生倾斜。]exp[11)(KTEEEPf势垒能量P区EfN区零偏压时P-N结的能带倾斜图EcPEcnEvpEvnhfhfEfEpcEpfEpvEncnEnv电子，空穴内部电场外加电场正向偏压下P-N结能带图获得粒子数反转分布增益区的产生：在PN结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，结果能带倾斜减小，扩散增强。电子运动方向与电场方向相反，便使N区的电子向P区运动，P区的空穴向N区运动，最后在PN结形成一个特殊的增益区。增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒子数反转分布。在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光。3.激光振荡的产生：粒子数反转分布（必要条件)+激活物质置于光学谐振腔中，对光的频率和方向进行选择=连续的光放大和激光振荡输出。基本的光学谐振腔由两个反射率分别为R1和R2(如图3.4所示)，并被称为法布里-珀罗(FabryPerot,FP)谐振腔。由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布，可以用它产生的自发辐射光作为入射光。图3.4(a)激光振荡；(b)光反馈2n反射镜光的振幅反射镜L(a)初始位置光光强输出OXL(b)式中，γth为阈值增益系数，α为谐振腔内激活物质的损耗系数，L为谐振腔的长度，R1，R21为两个反射镜的反射率激光振荡的相位条件为式中，λ为激光波长，n为激活物质的折射率，q=1,2,3…称为纵模模数。在谐振腔内开始建立稳定的激光振荡的阈值条件为γth=α+211ln21RRL(3.4)L=qqnLn22或(3.5)28可以看出不同q值，激光器谐振波长不同。两相邻谐振波长差通常称作波长间隔或自由光谱区（FSR）。22nL2cfnL例：3.1.2、3.1.3（page64）4.半导体激光器基本结构半导体激光器的结构多种多样，基本结构是图3.5示出的双异质结(DH)平面条形结构。这种结构由三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长。图中标出所用材料和近似尺寸。结构中间有一层厚0.1~0.3μm的窄带隙P型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。三层半导体置于基片(衬底)上，前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里-珀罗(FP)谐振腔。DH激光器工作原理由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后，P层的空穴和N层的电子注入有源层。P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。同理，注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.1~0.3μm的有源层内形成粒子数反转分布，这时只要很小的外加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有源区内，因而电/光转换效率很高，输出激光的阈值电流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。图3.6DH(a)双异质结构；(b)能带；(c)折射率分布；(d)光功率分布PGa1－xAlxAsPGaAsNGa1－yAlyAs复合空穴异质势垒E能量(a)(b)(c)n折射率～5%(d)P光＋－电子异质结LED发光原理的PN结是由同一种半导体材料构成的，P区、N区具有相同的带隙、接近相同的折射率（掺杂后折射率稍有变化，但很小），这种PN结称为同质结。在同质结中，光发射在结的两边都可以发生，因此，发光不集中，强度低，需要较大的注入电流。器件工作时发热非常严重，必须在低温环境下工作，不可能在室温下连续工作。为了克服同质结的缺点，需要加强结区的光波导作用及对载流子的限定作用，这时可以采用异质结结构。3.1.2半导体激光器的主要特性1.半导体激光器的发射波长等于禁带宽度Eg(eV)，由式(3.1)hf=Eg1.24()()gghcmEEeV(3.6)不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg，因而有不同的发射波长λ。镓铝砷-镓砷(GaAlAs-GaAs)材料适用于0.85μm波段铟镓砷磷-铟磷(InGaAsP-InP)材料适用于1.3~1.55μm波段式中，f=c/λ，f(Hz)和λ(μm)分别为发射光的频率和波长，c=3×108m/s为光速，h=6.628×10-34J·S为普朗克常数，1eV=1.6×10-19J，代入上式得到图3.7是GaAlAs-DH激光器的光谱特性。在直流驱动下，发射光波长只有符合激光振荡的相位条件式(3.5)的波长存在。这些波长取决于激光器纵向长度L，并称为激光器的纵模。驱动电流变大，纵模模数变小，谱线宽度变窄。这种变化是由于谐振腔对光波频率和方向的选择，使边模消失、主模增益增加而产生的。当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，这种激光器称为静态单纵模激光器。图3.7(b)是300Mb/s数字调制的光谱特性，由图可见，随着调制电流增大，纵模模数增多，谱线宽度变宽。图3.7GaAlAs-DH(a)直流驱动;(b)300Mb/s数字调制10799800801802Im/mA40353025I=100mAPo=10mWI=85mAPo=6mWI=80mAPo=4mWI=75mAPo=2.3mWL=250μmW=12μmT=300K830828832830828832830828826832830828826824836834832830828826824822820(a)(b)2.激光束的空间分布用近场和远场来描述。近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布；远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。图3.8是GaAlAs-DH激光器的近场图和远场图，近场和远场是由谐振腔(有源区)的横向尺寸，即平行于PN结平面的宽度w和垂直于结平面的厚度t所决定，并称为激光器的横模。由图3.8可以看出，平行于结平面的谐振腔宽度w由宽变窄，场图呈现出由多横模变为单横模；垂直于结平面的谐振腔厚度t很薄，这个方向的场图总是单横模。图3.8GaAlAs-DH条形激光器的近场和远场图样W＝10m20m20m30m30m50m10m近场图样0.1rad远场图样3.-9典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样(a)光强的角分布；(b