leap5操作说明书

Tutorial1SealedHighpassEnclosure教程1高通密闭箱的设计重点单元（转换器）模型介绍箱体模型介绍系统曲线和指引曲线介绍参数曲线介绍单元模型的差异ES程序共同特征本例子介绍ES程序的一些共有特征，能解答许多初次使用箱体设计程序中的问题。本例子的焦点在于介绍针对同一单元而使用3种不同类型参数建立的单元模型（分别是STD、TSL、LTD，LEAP5支持这3种类型的单元模型），并指出它们的仿真能力和差异。目标本设计从最基础开始，箱体为简单的使用15英寸低音单元的高通密闭箱。本例不注重怎么选择特定的低频响应------但当然要按已知情况指定箱体尺寸。主要任务是设置仿真必须的程序参数。初始数据如下-箱体：高通密闭箱-形状：长方形-宽度：23英寸-高度：24.75英寸-深度：13.5英寸-内壁：0.75英寸-填充材料:无-单元:TL1603-单元位置:前障板中心虽然这是非常简单的箱体，也反映了ES程序能进行广泛的分析并提供大量的数据，同时会与真实的测量结果做对比。EnclosureShop1ApplicationManualSealedHighpassEnclosureTutorial1单元在对设计进行仿真前，单元模型必须放在单元库文件中，否则我们应先建立该单元的条目。本例需要使用的几个单元模型已经在Tutorial.Ltd库文件中。开始新设计打开EnclosureShop程序，跟着下文中的步骤一步一步来做。以下操作假定软件安装在C:\盘。首先我们新建一个设计，然后保存到Tutorial－1文件夹中。选择File|New菜单.现在可以输入作者名字等信息选择Graph|Notes菜单.在Person域中输入名字,Company中输入公司名,Project中输入设计名称.-点OK关闭对话框.选择File|SaveAs菜单.现在我们将保存设计在文件夹Projects-Enclosures\Tutorial-1下，文件名为Tutor-1，按上述路径定位后，输入文件名，按Save进行保存。2EnclosureShopApplicationManualTutorial1SealedHighpassEnclosure现在最大化任一个图表窗口。在任一图表窗口的最大化按钮上单击屏幕将会如下图中下方所示，当图表窗口最大化时，在工具栏处会出现一个图表按钮选择栏，通过点击图表的按钮（名字），即可在不同曲线之间切换。EnclosureShop3ApplicationManualSealedHighpassEnclosureTutorial1TransducerParametersEnclosureParametersAnalysisParametersCalculate3DLayoutParametersEdit菜单Edit菜单是程序的控制中枢，该菜单包括五个子项（也可以用上图的工具按钮来访问），该五项提供任何设计中定义参数的核心功能。最初的参数定义通常会按从左至右的顺序来进行。选择Edit|TransducerParametersTransducerParameters（单元参数）对话框将如下页图所示，该对话框提供单元的建立、编辑和库管理的功能，分左右两个窗口，左窗口显示库文件，同时右窗口显示当前选择的库中的可用单元。对话框下方的Graph按钮可查看某一选定的单元图表，这些图表是根据模型中各种参数计算出来的，左边的小按钮可以切换各种类型（如SPL、IMP等。本例中所用到的三个单元模型都可以在Tutorial库中找到，它们是TL1603/LTD、TL1603/TSL和TL1603/STD.这是同一15寸单元的三种类型的单元模型。注意：如果你安装程序的目录不是C盘，则应指定单元库的文件夹。4EnclosureShopApplicationManualTutorial1SealedHighpassEnclosureEnclosureShop5ApplicationManualSealedHighpassEnclosureTutorial1-在TL1603.LTD模型条目上双击，则出现明细参数的对话框，这里进入单元参数编辑模式，单元可以在这里被建立、引入、编辑，根据不同的模型各编辑项的可用状态会改变。-点Cancel按钮关闭编辑模式.既然单元库中已经存在本例子所用的单元，我们暂时不用新建。同时我们要注意这里选择的单元模型并不会立即使用在我们后面的箱体中，但我们在这里必须要选择包含后面设计将使用的单元的库文件。-核对目前在左窗口中已经选择Tutorial.LTD文件.-点Exit按钮关闭此对话框.6EnclosureShopApplicationManualTutorial1SealedHighpassEnclosureModel菜单模型菜单用于选择设计的箱体模型，其菜单展开后和快捷工具按钮如上，包括了8个可选类型，其中最后一个是自定义的模型用于建造随意的箱体结构。我们只能同时选择一种箱体模型，在这时候，菜单里的选中勾和工具按钮会突出显示，如上图我们选择的是高通密闭箱。稍后出现的箱体参数对话框的内容将会随箱体模型的改变而改变。-核对我们选择了SealedHighpassEnclosure即高通密闭箱模型.选择Edit|EnclosureParameters编辑|箱体参数菜单项.该对话框定义设计箱体的参数，我们可以看到该对话框分为几个方框组：Shell/Chamber（外壳、内腔）,Domain（放置区域）,Chamber（内腔填充）,Transducer（单元）.不同的箱体模型对话框将会有不同的组和内容。单元的组方框用于指定我们使用的单元，这里允许定义多个单元并可定义他们的安装方式（物理耦合）和电气接线方式（电耦合）。.EnclosureShop7ApplicationManualSealedHighpassEnclosureTutorial1-点黄色的文件夹图标.出现单元选择对话框。-在左边窗口选择Tutorial.LTD文件.-在右边窗口选择名称为TL1603,LTDModel的单元.-点Ok关闭.单元名称和其库文件名会出现在箱体参数对话框中的Transducer（单元）方框组中。已选择的单元其参数会全部引入并包含到箱体参数内，因此就算原库文件或单元条目删除掉，该已选择的单元参数还是包含在箱体参数内。因此如果你以后更新库文件的单元参数，你或许需要更新你的箱体设计。Transducer方框组中其余参数不变，在Chamber方框组中，我们可定义箱体内部填充的吸音材料等，在本例中假设不填充任何材料。-在Vfill(VolumeFill，填充体积)百分比域中填入0.0.8EnclosureShopApplicationManualTutorial1SealedHighpassEnclosure外壳/内腔方框组用于调整箱体的内外尺寸，因为本箱体很简单只存在一个内腔，因此它们的规格是相同的。我们可以看到该域的数字为灰色表示不能直接输入体积，旁边有一个小立体方块，我们可点它来选择箱体的物理形状和尺寸。-点击小立体方块.出现体积参数对话框如左图，.-在shape（形状）部分选择box（长方体）-勾选Externaldimensions（外部尺寸）-点击Length（长度）按钮使其单位为In（英寸）-点击Volume（体积）按钮令单位为Ft³（立方英尺）-在WallThickness（板厚）中输入0.75-Depth（深度）为13.5-Width（宽度）为23-Height（高度）为26.5-右方Occupied（体积占用）中输入0.2可以看到内部净容积为3.53Ft³。-点Ok关闭.此时回到箱体参数对话框，最后我们在Domain（放置区域）中定义该箱体的外部环境，这里我们可以指定特定的环境空间体积。本例子我们选择InfiniteBaffle（无限大障板）类型和Infinite（无限大）的体积-核对已选择InfiniteBaffle.-点Volume域中的小立体方块.-选择Infinite形状，点OK关闭.-点Ok关闭箱体参数对话框.EnclosureShop9ApplicationManualSealedHighpassEnclosureTutorial1选择Edit|AnalysisParameters菜单项.该对话框控制设计中的分析参数，许多参数已经设为合理的值，但这里我们更改输入功率为1W。-在Power/Spk域中输入1。-点OK关闭.现在准备定义箱体的3D布局，ES能精确模拟整个包围箱体的三维空间，因此单元和倒相孔的位置、方向和主目标仿真点必须先定义好，这些功能可在3D布局参数对话框中完成。选择Edit|LayoutParameters（布局参数）菜单(或按F5).会出现如下图的大窗口对话框，并模拟出一个三维的空间，其中灰色的大平面象征无限大障板（我们在前面箱体参数设定放置区域为无限大障板），箱体嵌入障板中心，两个圆环状箭头分别表示水平和垂直极指向的路径，主目标位于两圆环的交点上。按下鼠标左键在3D图内拖动，我们可以旋转、移动观看角度和方位。在本例子中假设默认的位置已经正确，因此不用做任何的改动。-点OK关闭。10EnclosureShopApplicationManualTutorial1SealedHighpassEnclosureEnclosureShop11ApplicationManualSealedHighpassEnclosureTutorial1现在已经定义好分析所需要的所有参数，使用Edit|Calculate菜单项我们可以分析并获得需要的结果和曲线.选择Edit|Calculate菜单项(或按F9).分析的过程在右下角的状态栏中显示，根据仿真的复杂程度一般分几个过程。本例中我们将箱体前障板嵌入无限大平面中，因此前障板边角的衍射变不用进行分析了，因此速度会很快。分析完毕后，系统曲线并不会立刻显示（指新设计中），我们需要将其展示。选择Graph|SystemCurves图表|系统曲线菜单(或按F4).系统分析产生的图表称为系统曲线，本例子中将产生34条曲线（其中有许多是极响应曲线），我们展示所有的曲线。-点ShowAll按钮,点OK关闭.12EnclosureShopApplicationManualTutorial1SealedHighpassEnclosure点SPL图表选择按钮.选择Scale|Auto（刻度|自动）或Up/Dn上/下菜单来观看，屏幕将会类似下图，该图表中将显示4条曲线，2条大概位于95DB附近而另两条高出很多。低的两条中，其中一条砖红色的是主仿真点（即虚拟的测量MIC）处的频率响应，另一条则是功率响应。本例子中主仿真点为单元轴响，距离为1米-------其实该点可以放置在空间任一点上，功率响应反映辐射在半场空间中的总声功率。我们可以看到由于单元的指向性，在频率趋向变高时总辐射功率变小，而在低频时由于辐射无指向的因此它跟轴响响应一样。同样我们在这两条曲线中可以看到，中高频部分由于箱体内腔的反射引起了响应的波动。SPL0H,0VSPLPwrEnclosureShop13ApplicationManualSealedHighpassEnclosureTutorial1使用刻度上移可以看到较高的两条曲线，绿色的那条曲线（接近130db）为内腔响应而接近117DB的那条为单元近场响应。注意内腔引起的急剧的首次反射（550HZ附近）影响了其余所有的响应曲线。ES会提供每一个腔体的响应和每一个单元、倒相孔的近场响应并将它们按规则进行叠加得到主目标和功率响应。通常为了避免混乱我们还会根据需要关闭一些曲线。分别点Impedance（阻抗）,Excursion（位移）,Velocity（速度）,Acceleration（加速度）图表按钮.同样会提供针对每一个单元或倒相孔的曲线，下几页的图是分析的一些结果。InternalChamberSpkrNear14EnclosureShopApp