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2010年代CMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——浅槽隔离7732nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——浅槽隔离(续)7832nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——双阱形成7932nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——栅极、NMOSSDE、侧壁间隔层形成8032nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——栅极、NMOSSDE、侧壁间隔层形成(续)8132nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——源/漏极SEG8232nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——源/漏极SEG(续)8332nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——后栅HKMG8432nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——后栅HKMG(续)8532nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——接触8632nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——接触(续)8732nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——金属18832nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——金属1(续)8932nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——通孔1、金属2铜/低𝑘互连9032nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——通孔1、金属2铜/低𝑘互连(续)9132nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——通孔1、金属2铜/低𝑘互连(续)9232nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——金属3至金属9铜/低𝑘互连9332nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——金属3至金属9铜/低𝑘互连(续)9432nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——金属3至金属9铜/低𝑘互连(续)9532nm/28nmCMOS工艺流程32nm/28nmCMOS工艺流程——无铅焊料凸点形成9632nm/28nmCMOS芯片具有高𝑘金属栅(HKMG)、应力记忆技术(SMT)、选择性外延生长(SEG)SiGe源/漏、铜和超低k互连、无铅焊料凸点的CMOS芯片横截面示意图97
本文标题:++28nmHK工艺流程
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