Nand flash介绍

Nandflash应用介绍2004年02月21日深圳凌耀：徐永强一些名词：MLC:MLC是Intel在1997年9月最先开发成功的，旨在将两个位的信息存入一个浮动栅（FloatingGate，闪存存储单元中存放电荷的部分）。它类似于Rambus的QRSL技术，即通过精确控制浮动栅上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值（从00到11）。采用这种对浮动栅的电量进行分级技术制成的存储单元，就叫做MLC（MultiLevelCell，多级单元）。MirrorBit:AMD使用的技术，它通过在浮动栅上划分出两块独立的存储区，并配合可相互转变的“源/漏极”设计，可在一个浮动栅存储两个bit的数据。目前除了AMD之外，主要采用MirrorBit的厂商是AMD的合作伙伴富士通公司。MCP：MultiChipPackageing，多芯片封装，其具体的实现方式就是Stacked，即堆叠装配——将多枚闪存或RAM核心（Die）堆叠在一起，然后统一封装。NROM:(NitridedReadOnlyMemory)，是由以色列IC设计公司Saifun所发展的闪存结构技术。目前授权给了Infineon（英飞凌）和台湾旺宏电子。1。FLASH概述2。NANDFLASH市场状况及应用领域3。NANDFLASH电气规格(以16MB为基础介绍)4。NANDFLASH的应用及程序编写1。FLASH概述闪存有许多种类型，从结构上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR（DivideNOR）等，其中NAND和NOR是目前最为常见的类型NOR和DiNOR的特点为相对电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高，NOR型适合应用在数据/程序存储应用中而NAND和AND则容量大、读写速度快、芯片面积小，NAND型的FlashMemory适合用在大容量的多媒体应用中还回点击这里1。NANDFLASH市场状况2003年第三季度NANDFlash市场排名（调查机构iSuppli）排名厂商销售额（亿美元）市场占有率1三星6.455.6%2东芝4.236.5%3瑞萨0.675.8%4SanDisk0.232.0%2。NANDFLASH应用领域a.儲存卡(Udisk,SMC,MMC,SD,CF,MS…)b.数位相机c.数字播放器d.数字录音机，答录机e.手机f.PDA…还回点击这里1。NANDflashFeatures:Voltagesupply:2.7V—3.6VOrganization:Dataregister:512+16byteAutomaticprogramanderase:Pageprogram:512+16byteBlockerase:16K+512byteCommand/Address/DataMultiplexedI/OportReliableCMOSfloating-GateTechnology:-Endurance:1MProgram/EraseCycles-Dataretention:10years2。NANDflashpinconfigurationanddescription3。NANDflashfunctionblockdiagram4。NANDflasharrayorganization5。NANDflashcommandset6。NANDflash与MCU连接方块图还回点击这里1。NANDflash的擦除操作首先写建立擦除命令(0x60)写块地址，对于16M来说，地址是下A9－A23，两个字节的地址（A9－A16，A17－A23），因为每个块大小为16K，所以A9－A13将忽略写擦除命令(0xd0)写读状态命令(0x70)等待擦除完毕，可以从忙信号和读到状态字节的bit6来判断，0为忙，1为擦除完成。从读到状态字节的bit0来判断是否擦除成功。2。NANDflash写操作写数据输入命令(0x80)写地址，对于16M来说，地址是下A0－A23，三个字节的地址（A0－A7，A9－A16，A17－A23），为什么没有A8？在开始之前要下一个块区选择命令连续写入你的数据到flash的dataregister写入编程命令(0x10)写读状态命令(0x70)等待擦除完毕，可以从忙信号和读到状态字节的bit6来判断，0为忙，1为擦除完成。从读到状态字节的bit0来判断是否编程成功。如果没有ECC检测，就必要把刚写入的数据读出来校验是否有误如果编程有误，要把此块标注成坏块，另找一新块重新编程3。NANDflash的读操作写读操作命令(0x00,0x01,0x50)写地址，对于16M来说，地址是下A0－A23，三个字节的地址（A0－A7，A9－A16，A17－A23），连续读取写入相应地址开始的数据同时永软件或硬件方式产生ECC码校验读取到的ECC和MCU产生的ECC是否对应。4。MCU怎样知道NANDflash的容量？写读ID命令(0x90)写读ID地址，地址始终为0x00。读两字节ID，第一字节为生产厂家的ID，第二字节为表示flash型号的ID。5。使用NANDflash的一些注意点。A。写任何字节前都要确认此字节之前没写入过数据，否则必须擦除整块再写入。B。对于数据安全要求较高的系统，要有坏块检测和处理机制，因为NANDflash允许有坏块存在。同时还应该对数据进行ECC检测。C。使用NANDflash的R/B引脚作为忙信号检测时，此引脚要有上拉电阻。因为R/B引脚为open-drainoutput。谢谢大家！