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第四章(1)棍棒图减小寄生电阻的方法:分解每个独立的晶体管的栅宽只有原先晶体管的四分之一,这意味着每个栅的寄生电阻也只是原先晶体管的四分之一。又因为四个栅并联,按照基本电阻方程,四个相等的电阻并联结果等于原先电阻的的四分之一。这样的分裂产生的总效果是寄生电阻只有原先细长电阻的十六分之一。源漏共用对每个独立的晶体管采用A,B,C表示源、漏、栅。需要将所有A点连接在一起,所有B点连接在一起,所有C点连接在一起构成一个完整的器件。连接后:缺点:浪费了大量的空间。好的连接办法:源和漏互换对第二个和第四个晶体管进行左右翻转,两个B点彼此相对,两个A点彼此相对。将相对的源漏区合并,这些合并的区域既可以是一个晶体管的源,同时也可以是另一个晶体管的漏。练习题:如果是被同一根线进行连接,则可以类似源漏共用那样进行共用,如果一个是A,另一个是B则不能。如下电路图,那些可以共用,试着画出版图。答案只有一个端点可以共用:V+共用前:共用后:棒状图(棍棒图)如何才能容易的从电路图得到最有效的源漏共用版图呢?———棒状图棒状图告诉器件的布局和连线关系,之后的工作是用实际的器件和连线替代棒状图。棍棒图以倒相器为例:在设计中,P型器件通常放在一个共用的N阱中,N型器件也被放置在一个共用的P阱中。1.可以用一条水平的棒状图形来表示P型扩散区并使其位于图的顶部,以另一条水平的棒状图形表示N型扩散区并使其位于图的底部。2.在棒状图中,多晶硅、扩散区以及连线都可以用一条简单的线来表示3.一条多晶硅与一个扩散区交叉的时候就表示一个晶体管。-通常棒状图中,将p型器件放置在顶部,n型器件放置在底部。以“x”表示器件接触点连接的位置。一两条平行的竖线表示扩散区断开点的位置。实现源漏共用设计:假设,我们的晶体管有两个端点A和V+,将它们在左边第一个栅的两边分别标注。对其他的晶体管及他们的端点进行处理,看看能不能实现源漏共用。从棒状图中可以看出,设计不理想。为了构造晶体管的版图,不得不将扩散区拆成几段。改进:设法减小版图的面积。利用源漏共用,除去一些断开点,试着连接V+端。将第二个晶体管左右翻转。能达到的最好的结果:连接后的棍棒图最后的一对晶体管(连接C点的),将它们进行翻转可以去除一个线的交叉。练习题
本文标题:第四章(1)棍棒图
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