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浙江大学硕士学位论文MOCVD法生长硅基六方相GaN薄膜及其性质研究姓名:洪炜申请学位级别:硕士专业:材料物理与化学指导教师:叶志镇20050601MOCVD法生长硅基六方相GaN薄膜及其性质研究作者:洪炜学位授予单位:浙江大学本文链接:
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本文标题:MOCVD法生长硅基六方相GaN薄膜及其性质研究
链接地址:https://www.777doc.com/doc-4328589 .html
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格式: pdf
大小: 2.6 MB
时间: 2020-03-13
本文标题:MOCVD法生长硅基六方相GaN薄膜及其性质研究
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