SEPIC电路分析

SEPIC电路分析主要内容1、理想情况下的电路分析2、实际情况下的电路分析3、器件的选择4、损耗的计算5、电路效率的计算1、理想情况下电路分析gV1QDSvov2L1CD2C1LR1iDi2i1ci图1理想情况下SEPIC电路1、理想情况下电路分析图2当MOSFET导通时电路gV2L1C2C1LR1i2ciov1ci2i回路方程：RViIiVVVVOCCCLgL221121MOSFET开通时电路1、理想情况下电路分析图3MOSFET关断时电路图gVov2L1CD2C1LR1i2i1i1ci回路方程：RVIIiIiVVVVVVOCCOLOCgL212112101MOSFET关断时电路电感伏秒平衡方程0)(1'CoggVVVDDV0)('1oCVDDVgCVV1gOVDDV1电容充放电平衡方程01'2IDDI0)((21'RVIIDRVDOORVDDIO11RVIo21、理想情况下电路分析2、实际情况下的电路分析图4实际情况下的电路1QDSvov2L2CR1iDi2i2LR2CiMOSFET导通时实际电路图5当MOSFET导通时实际电路ov2L2CR1iDi2i2LR2CiDSRgVQLgLRIIRIVV)(21111122212)(CLQLVRIRIIV21IiCRViC2回路方程：2、实际情况下的电路分析图6MOSFET关断时电路图gVov2L2CR1i2i2LR2CiODDLgLVVRIIVRIVV)(21111122212)(LDDLRIRIIVVV11IiCRVIIiC212MOSFET关断时实际电路2、实际情况下的电路分析回路方程：电感伏秒平衡方程电容充放电平衡方程01'2IDDI0)((21'RVIIDRVDOORVDDIO11RVIo22、实际情况下电路分析'111211112()()0gLQgLcDDODVIRIIRDVIRVIIRVV'1222112221()()0LCDDLDIIRIRVDVVIIRIRc))()(()()(2'2'''2'1''DDDDRRDRRDRRDDRDDRDDRVVDDDDVVVDMLQDLgDggO3、器件的选择1）电感的选择确定电感的规则是，在最小输入电压时使得纹波电流的大小约为稳定值得30%。电感L1的纹波电流：dtdVLVLg11sgLDTLVi112得%3011Ii)1(3.021DITVLOSg同理可得L2的值DITVLLoS3.020123、器件的选择2）电容的选择确定电容的规则是，在最小输入电压时使得纹波电压的大小约为稳定值得5%。211IdtdUCCsCTDCIUmax121电容C1的纹波电压：%511CCUUgSVDTIC1.021同理可得C2的值oSoVDTIC1.013、器件的选择3）功率MOSFET的选择流过开关管的最大电流值)(2)(1)(peakpeakpeakQIII11)(1LpeakiII22)(2LpeakiII其中承受到最大反向峰峰值电压为ogRDVVV4）电力二极管的选择流过二极管的最大电流值)(peakQI承受到最大反向电压为ogQVVV4、损耗的算a）MOSFET的关断损耗21IIogVV)(tiOgVV)(tDV21II0t1t2t)(2)(1)(peakpeakpeakQIII0221)(21ttVVIIPogoff3421)(21ttVVIIPogonQRIIP2111PPPPonoffQ1）MOSFET的开关损耗b）MOSFET的开通损耗d）一个周期内MOSFET总的损耗图7MOSFET关断时的波形图c）MOSFET的导通损耗4、损耗的算2）电力二极管的损耗rogoffQVVP)(DonRIIP221)(onoffDPPP3）电感的的损耗1211LLRIP2222LLRIP5、效率的计算1211)(IVPPPPIVgLLDg