二极管与晶闸管

二极管与晶闸管第四章4.1PN结及其单向导电性4.1.1半导体基础知识导体:自然界中很容易导电的物质.例如金属。绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电;如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质，例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等半导体的特点当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。1.本征半导体GeSi本征半导体的导电机理纯净的半导体。如：硅和锗1）最外层四个价电子。2）共价键结构+4+4+4+4共价键共用电子对+4表示除去价电子后的原子共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+43）在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。+4+4+4+44）在热或光激发下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。+4+4+4+4空穴束缚电子自由电子在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。+4+4+4+45）自由电子和空穴的运动形成电流可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。温度越高载流子的浓度越高本征半导体的导电能力越强。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。归纳2.杂质半导体杂质半导体使某种载流子浓度大大增加。在本征半导体中掺入某些微量杂质。1）N型半导体在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的五价元素磷，使自由电子浓度大大增加。+4+4+5+4N型半导体多余电子磷原子多数载流子（多子）：电子。取决于掺杂浓度；少数载流子（少子）：空穴。取决于温度。2）P型半导体在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的三价元素硼，使空穴浓度大大增加。多数载流子（多子）：空穴。取决于掺杂浓度；少数载流子（少子）：电子。取决于温度。+4+4+3+4空穴硼原子归纳3、杂质半导体中起导电作用的主要是多子。4、N型半导体中电子是多子，空穴是少子；P型半导体中空穴是多子，电子是少子。1、杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为多数载流子和少数载流子（简称多子、少子）。2、杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。◆◆◆◆杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体5.1.2PN结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。因浓度差多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区PN结处载流子的运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++空间电荷区N型区P型区1）PN结加正向电压时的导电情况外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。2.PN结加反向电压时的导电情况外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中内电场阻碍多子（P中的空穴、N中的电子）的扩散运动。P中的电子和N中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的漂移电流很小。空间电荷区中内电场推动少子（P中的电子、N中的空穴）的漂移运动。5.1.3PN结的单向导电性PN结加正向电压（正向偏置）：P区接电源的正极、N区接电源的负极。PN结加反向电压（反向偏置）：P区接电源的负极、N区接电源的正极。PN结正向偏置－－－－++++内电场外电场变薄PN+_内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。I正PN结反向偏置－－－－++++内电场外电场变厚NP+_内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。I反PN结的单向导电性正向特性反向特性归纳◆◆P（+），N（-），外电场削弱内电场，结导通，I大；I的大小与外加电压有关；P（-），N（+），外电场增强内电场，结不通，I反很小；I反的大小与少子的数量有关，与温度有关；半导体二极管基本结构PN结+管壳和引线PN阳极阴极符号：VD半导体二极管半导体二极管半导体二极管伏安特性UI【死区】开启电压硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降:硅管0.7V,锗管0.3V。反向击穿电压U(BR)正向特性：EVDI反向特性：EVDI反U死区电压，不通；U死区电压，导通；UII反很小，与温度有关；U击穿电压，击穿导通；I5.2.3主要参数1.最大整流电流IFM2.最大反向工作电压URM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。二极管正常工作时允许承受的最大反向工作电压。它通常为反向击穿电压的1/3~1/2。3.反向饱和电流IR指二极管在规定的最大反向工作电压和环境温度下的反向电流值。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。1.理想二极管U0，VD导通；UD=0，I取决于外电路；相当于一个闭合的开关EVDIUDEIUU0，VD截止；I=0，UD（负值）取决于外电路；相当于一个断开的开关EVDI反UDEI反U5.2.4应用举例二极管的简易判别常用二极管类型1．整流二极管整流二极管实物图整流电路波形图2．稳压二极管稳压二极管是利用二极管反向击穿特性工作的半导体器件。a）常见外形b）电路图形符号稳压二极管稳压二极管的正向特性与普通硅二极管相似，但它的反向击穿特性很陡。稳压二极管的伏安特性曲线最简单的串联稳压电路3．发光二极管a)内部结构图b)普通发光二极管c)贴片式发光二极管d)图形符号发光二极管发光二极管常用作照明或显示器件，除单个使用外，也可制成七段式或点阵显示器，显示数字或图形文字，甚至用成千上万个发光二极管点阵制成超大面积的户外电视屏幕。a）汽车尾灯b）交通信号灯c）点阵显示屏LED灯应用示例4．光敏二极管光敏二极管也称光电二极管，是一种将光信号变成电信号的半导体器件。a）外形b）内部结构c）图形符号光敏二极管5．开关二极管开关二极管一般用于接通或切断电路，它是利用PN结的正向偏置导电、反向偏置截止的特性完成工作的。开关二极管6．变容二极管变容二极管是利用PN结电容效应的一种特殊二极管。a)外形b)图形符号c)C-u关系曲线变容二极管当调节电位器RP时，加在变容二极管上的电压发生变化，其电容量相应改变，从而使振荡回路的谐振频率也随之改变。变容二极管应用电路汽车光电式点火信号发生器汽车光电式点火信号发生器示意图