电磁场前三章模拟试题及答案---

桂林电子科技大学电磁场模拟试题一、填空题：（每空2分，总36分）1、设某区域内电流密度为J，电荷密度为。写出该区域内的麦克斯韦方程的微分形式：HJDt，BEt，0B，D。2、在两种理想介质分界面上（无源），电场强度的切向分量连续；磁通密度的法向分量连续。3、静电场中，理想导体中的电场强度为零；理想导体中的电位相等；电场矢量的方向与导体表面垂直。4、电场强度E在两种介质的分界面上的边界条件是0nE而磁场强度H在空气与理想导体交界面上的边界条件是1snHJ。5、静电场中，有0E,这说明静电场是无旋场，由此可定义一个电位函数来表示静电场。则静电场E和的关系式为E，电位满足的拉普拉斯方程为20。6、电磁场中的本构关系：DE、HuB、JE。7、电荷守恒定律的微分数学表达式为0Jt。二、简答题（16）1、请写出麦克斯韦方程组的积分及微分式，并解释其物理意义。（10）2、请分别写出恒定电场和恒定磁场的基本方程微分形式和边界条件（6）三、有一半径为1米的均匀带电的圆形线圈（线圈导线半径可忽略不计），线上电荷线密度为1C/m。求过该线圈中心并与线圈所围平面垂直的直线上任一点的电场强度。（13）解：设圆形线圈的半径为a,电流元为''IdleIad,其位置矢量为'rea，场点0,0,Pz的位置矢量为zrez，则'zzrrezeaeze11'222221rrzaz轴线上任一点0,0,Pz的电场强度为：'''3'023002233000014114111144llzzzzzrrErdlrrezedezeeezddezeeze由于cossinxyeee，则有2200cosos0xyedeesd所以233022220014121zzezezEdzz四、电荷均匀分布于半径为a和b的同心球体之间ab，其介电常数为，体密度为，其他区域为真空。求：空间各区域的电位移矢量和电场强度。（15）五、两块无限大接地导体平板分别置于0x和xa处，在两板之间的xb处有一面密度为S的均匀电荷分布，如图所示。求两导体平板之间的电位和电场。（20）