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Rev.1.2012014-11-19Rev.1.00PBNovember19,2014BS812A-1/BS813A-1/BS814A-1/BS814A-2BS816A-1/BS818A-2/BS8112A-3/BS8116A-3触摸按键特性•工作电压:2.2V~5.5V•低待机电流•自动校准功能•可靠的触摸按键检测•自动切换待机/工作模式•最长按键输出时间检测•具备抗电压波动功能•LevelHold,可选高有效或低有效•NMOS输出内建上拉电阻/CMOS直接输出•支持串行和并行输出•外接电容调整感度•极少的外围组件概述BS81x系列芯片具有2~16个触摸按键,可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该系列的芯片具有较高的集成度,仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。BS81x系列提供了串行及并行输出功能,可方便与外部MCU之间的通讯,实现设备安装及触摸引脚监测目的。芯片内部采用特殊的集成电路,具有高电源电压抑制比,可减少按键检测错误的发生,此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。此系列的触摸芯片具有自动校准功能,低待机电流,抗电压波动等特性,为各种触摸按键的应用提供了一种简单而又有效的实现方法。选型表该系列芯片特性大多都相同,BS8112A-3/BS8116A-3具有IIC功能,BS814A-2/BS818A-2具SPI串口功能,BS812A-1/BS813A-1/BS814A-1/BS816A-1具并行输出功能。同时BS8112A-3/BS8116A-3可通过IIC设置Option和感度,BS816A-1/BS818A-2则提供两个硬件Option,增加应用上的弹性。以下表格概述了各个芯片的主要特征。型号触摸按键个数Option待机电流(VDD=3V)并行输出串行接口功率模式自动校准封装形式BS812A-12×2.0μANMOS(内建上拉)×工作/待机模式√SOT23-6BS813A-13×4.5μA×√8SOPBS814A-14×5.0μA×√10MSOPBS814A-24×5.0μA×√√8SOPBS816A-16OMS/LSC注112μA/6μANMOS(内建上拉)/CMOS-Direct×√16NSOPBS818A-28OMS/LSC注112μA/6μA二进制√√16NSOPBS8112A-312注213μA/3μA×IIC√16NSOPBS8116A-316注217μA/3.5μA×IIC√20SOP/SSOP注:1.参考OMS/LSC选项表2.参考IIC选项表Rev.1.2022014-11-19BS812A-1/BS813A-1/BS814A-1/BS814A-2BS816A-1/BS818A-2/BS8112A-3/BS8116A-3引脚图Key1Key2Key3Kout3VDDVSSKout1Kout2BS813A-18SOP-ABS814A-110MSOP-AVDDKey1Key2Key3Key4VSSKout1Kout2Kout3Kout4Key1Key2Key3Key4Key5Key6Key7Key8BIN3/DataBIN2/ClcokBIN1BIN0OMSLSCVDDVSSBS818A-216NSOP-ABS814A-28SOP-AKey1Key2Key3Key4VDDVSSDataClockKey3Key4Key5Key6Key7Key8Key9Key10Key2Key1SDASCLVDDVSSKey12/IRQKey11BS8112A-316NSOP-AKey2Key1SDASCLVDDVSSKey16/IRQKey15Key14Key13BS8116A-320SOP-A/SSOP-AKey1Key2Key3Key4Key5Key6OMSLSCKout1Kout2Kout3Kout4Kout5Kout6VDDVSSBS816A-116NSOP-AKey3Key4Key5Key6Key7Key8Key9Key10Key11Key12TopViewSOT23-612A-16543211234876512348765161514131211109123456782019181716151413121112345678910109876123451615141312111091234567816151413121110912345678Kout1VSSVDDKout2Key2Key1Rev.1.2032014-11-19BS812A-1/BS813A-1/BS814A-1/BS814A-2BS816A-1/BS818A-2/BS8112A-3/BS8116A-3引脚说明BS812A-1引脚名称输入/输出说明Key1~Key2输入触摸按键输入口(未使用的触摸按键需接地)Kout1~Kout2NMOS输出输出型式为NMOS(内建上拉)输出VSS—地VDD—电源电压BS813A-1引脚名称输入/输出说明Key1~Key3输入触摸按键输入口(未使用的触摸按键需接地)Kout1~Kout3NMOS输出输出型式为NMOS(内建上拉)输出VSS—地VDD—电源电压BS814A-1引脚名称输入/输出说明Key1~Key4输入触摸按键输入口(未使用的触摸按键需接地)Kout1~Kout4NMOS输出输出型式为NMOS(内建上拉)输出VSS—地VDD—电源电压BS814A-2引脚名称输入/输出说明Key1~Key4输入触摸按键输入口(未使用的触摸按键需接地)Clock输入2线串行时钟输入(内建上拉)型式DataNMOS输出2线串行数据NMOS输出(内建上拉)VSS—地VDD—电源电压BS816A-1引脚名称输入/输出说明Key1~Key6输入触摸按键输入口(未使用的触摸按键需接地)OMS输入输出模式选择开路=NMOS输出(低有效)接地=CMOS直接输出(高有效)LSC输入省电模式选择开路=一般省电接地=更省电Kout1~Kout6NMOS输出CMOS输出OMS开路则输出型式为NMOS(内建上拉)输出OMS接地则输出型式为CMOS直接输出VSS—地VDD—电源电压Rev.1.2042014-11-19BS812A-1/BS813A-1/BS814A-1/BS814A-2BS816A-1/BS818A-2/BS8112A-3/BS8116A-3BS818A-2引脚名称输入/输出说明Key1~Key8输入触摸按键输入口(未使用的触摸按键需接地)OMS输入输出模式选择开路=2线串行输出;接地=4线二进制并行输出LSC输入省电模式选择开路=一般省电接地=更省电Clock输入OMS开路,2线串口时钟输入(内建上拉)DataNMOS输出串行数据NMOS输出(内建上拉)BIN3~BIN0CMOS输出二进制输出VSS—地VDD—电源电压BS8112A-3引脚名称输入/输出说明Key1~Key12输入触摸按键输入口(未使用的触摸按键需接地)IRQ输出中断请求或唤醒功能,NMOS输出(内建上拉)SCL输入/输出IIC时钟输入/输出SDA输入/输出IIC数据输入/输出VSS—地VDD—电源电压BS8116A-3引脚名称输入/输出说明Key1~Key16输入触摸按键输入口(未使用的触摸按键需接地)IRQ输出中断请求或唤醒功能,NMOS输出(内建上拉)SCL输入/输出IIC时钟输入/输出SDA输入/输出IIC数据输入/输出VSS—地VDD—电源电压极限参数电源供应电压................VSS-0.3V~VSS+6.5V储存温度...................................-50˚C~125˚C端口输入电压..............VSS-0.3V~VDD+0.3V工作温度......................................-40˚C~85˚CIOL总电流.............................................80mAIOH总电流............................................-80mA总功耗..................................................500mW注:这里只强调额定功率,超过极限参数所规定的范围将对芯片造成损害,无法预期芯片在上述标示范围外的工作状态,而且若长期在标示范围外的条件下工作,可能影响芯片的可靠性。Rev.1.2052014-11-19BS812A-1/BS813A-1/BS814A-1/BS814A-2BS816A-1/BS818A-2/BS8112A-3/BS8116A-3直流电气特性符号参数测试条件最小典型最大单位VDD条件VDD工作电压——2.2—5.5VIDD工作电流(BS812A-1)3V无负载—0.60.9mA5V—1.21.8mA工作电流(BS813A-1/BS814A-1/BS814A-2)3V无负载—1.21.8mA5V—2.23.3mA工作电流(BS816A-1/BS818A-2)3V无负载—1.21.8mA5V—2.23.3mA工作电流(BS8112A-3/BS8116A-3)3V无负载—1.21.8mA5V—2.23.3mAISTB待机电流(BS812A-1)注13V无负载—2—µA5V—4—µA待机电流(BS813A-1)注13V无负载—4.5—µA5V—9—µA待机电流(BS814A-1/BS814A-2)注13V无负载—5.0—µA5V—10—µA待机电流(BS816A-1/BS818A-2)注1LSC=Vss注23V无负载—6.0—µA5V—12—µA待机电流(BS816A-1/BS818A-2)注1LSC=Open注23V无负载—12—µA5V—25—µA待机电流(BS8112A-3)注1LSC使能注3任一单按键唤醒3V无负载—3—µA5V—6—µA所有按键唤醒3V—6.5—µA5V—13—µA待机电流(BS8112A-3)注1LSC除能注3任一单按键唤醒3V无负载—6—µA5V—12—µA所有按键唤醒3V—13—µA5V—27—µA待机电流(BS8116A-3)注1LSC使能注3任一单按键唤醒3V无负载—3.5—µA5V—7—µA所有按键唤醒3V—9—µA5V—18—µA待机电流(BS8116A-3)注1LSC除能注3任一单按键唤醒3V无负载—7—µA5V—14—µA所有按键唤醒3V—17—µA5V—34—µAVILClock/SCL/SDA引脚低电平输入电压5V—0—1.5V——0—0.2VDDVVIHClock/SCL/SDA引脚高电平输入电压5V—3.5—5.0V——0.8VDD—VDDVRev.1.2062014-11-19BS812A-1/BS813A-1/BS814A-1/BS814A-2BS816A-1/BS818A-2/BS8112A-3/BS8116A-3符号参数测试条件最小典型最大单位VDD条件IOLKout/Data/SDA/SCL灌电流(NMOS)3VVOL=0.1VDD48—mA5VVOL=0.1VDD1020—mAIOHBIN0~BIN3源电流(CMOS)3VVOH=0.9VDD-2-4—mA5VVOH=0.9VDD-5-10—mARPHClock/Kout/SDA/SCL/IRQ引脚上拉电阻3V—2060100kΩ5V—103050kΩ注:1.ISTB指的是平均待机电流2.参考OMS/LSC选项表3.参考IIC选项表交流电气特性Ta=25˚C符号参数测试条件最小典型最大单位VDD条件tKRT按键响应时间–正常模式——100125150ms按键响应时间–待机模式BS812A-1/BS813A-1BS814A-1/BS814A-2——100150250ms按键响应时间–待机模式BS816A-1/BS818A-2—LSC开路(除能)100150250ms—LSC接地(使能)4006001000ms按键响应时间–待机模式BS8112A-3/BS8116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