Cadence入门教程

Cadence使用初步简介在早期的ASIC设计中电路图起着更为重要的作用作为流行的CAD软件Cadence提供了一个优秀的电路图编辑工具Composer。Composer不但界面友好操作方便而且功能非常强大电路图设计好后其功能是否正确性能是否优越必须通过电路模拟才能进行验证Cadence同样提供了一个优秀的电路模拟软件AnalogArtist由于AnalogArtist通过Cadence与Hspice的接口调用Hspice对电路进行模拟。但是我们的虚拟机中并没有安装Hspice软件，所以我们使用Cadence自带的仿真软件进行仿真。本章将介绍电路图设计工具Composer和电路模拟软件AnalogArtist的设置启动界面及使用方法简单的示例以及相关的辅助文件以便大家能对这两种工具有一个初步的理解。一、Cadence平台的启动：①右击桌面，在弹出菜单中单击openTerminal②在弹出的终端中输入icfb&然后按回车启动Cadence③Cadence启动过程④Cadence启动完成后，关闭提示信息二、设计项目的建立①点击Tools—LibraryManager…启动设计库管理软件②启动设计库管理软件③点击File—New--Library新建设计库文件④在弹出的菜单项中输入你的设计的库的名称，比如MyDesign，点击OK⑤选择关联的工艺库文件，我们选择关联已有的工艺库文件，点击OK⑥在弹出菜单中的TechnologyLibrary下拉菜单中选择我们需要的TSMC35mm工艺库，然后点击OK。⑦设计的项目库文件建立完成，然后我们在这个项目库的基础上建立其子项目。点击选择mydesign,然后点击File-New-CellView…⑧输入子项目的名称及子项目的类型，多种类型，目前课程设计中用到的主要是电路图编辑和版图编辑。在设计版图之前我们假定先设计原理图：所以我们选择，然后点击OK。⑨进入原理图编辑平台三、原理图设计①输入器件：点击Instance按键或快捷键I插入器件：②查找所需要的器件类型-点击Browse-tsmc35mm-pch5--③点击Close④更改器件参数，主要是宽和长，输入长为1um,宽为4um⑤点击Hide，在编辑作业面上点击插入刚才设定的器件⑥如果想更改器件参数，点击选择该器件，然后按q，可以修改器件参数⑦使用同样的方法输入Nmos工艺库中叫nch5⑧点击Wire（narrow）手动连线⑨连接完成后，输入电源标志和地标志：在analogLib库中选择vdd(gnd相同方法)输入电源线标示符。⑩接输入输出标示脚：按快捷键p，输入引脚名称in，Direction选择input，点击Hide，并且和输入线连接起来。同理按快捷键p，输入引脚名称out，Direction选择output，点击Hide，并且和输出连接起来。四、电路模拟仿真I直流参数扫描①按I插入器件，选择在analogLib库中选择直流电源vdc的symbol，完成后点击close②设置直流电源电压，这一步也可以在放置电源后进行，修改直流电源参数方法同修改器件参数，也是选择器件后按q键。③输入信号及电源电压信号④仿真环境设置点击tools,下拉选择AnalogEnvironment⑤仿真环境设定选择Analyses–Choose…做直流参数扫描，选择DC-ComponentParameter-SelectComponent，然后回原理图去选择做参数扫描的电源信号。在原理图中选择V1在弹出菜单中选择DC,双击回到扫描范围取0-5V，设置完成后选择OK⑥输出节点图形显示：OUTPUTs下拉菜单选择ToBePlotted--SelectonSchematic单击选择所需要显示输出结果的连线⑦仿真开始运行：点击netlistandrun开始运行⑧输出结果点击SwitchAxisMode分坐标显示单击CrosshairMarkerA或B或快捷键A或B用十字坐标标示所需标注的点II瞬态分析①画出原理图②在AnalogDesignEnvironment中选择Setup–Stimuli…在SetupAnalogStimuli中设置脉冲信号源，设置的脉冲源信号为:Function选择pulse低电平0V高电平5V延迟时间10us，上升沿宽度1us，下降沿宽度1us，脉宽10us，脉冲周期25us(脉冲激励信号可以根据自己需要自己设定)点击Enable使激励信号有效(不选择则激励不起作用)，③选择瞬态分析Analyses-choose-tran:仿真结束时间根据实际需要设定，比如我们周期为25us，那么我们仿真结束时间可以设定为100us，conservative可选可不选，选择的话仿真精度较高，但是仿真时间相应较长。点击OK④点击netlistandrun进行仿真，查看输出波形⑤仿真结束后点击Quit退出可点击NO退出，不保存仿真环境设定，也可点YES，进入保存环境设定五、版图初步①建立新的Cell，点击File-NEW-CellView还是建立名称为inv的版图编辑文件，Tool选择Virtuoso版图编辑软件点击OK，关闭信息提示框②进入版图编辑环境③插入pmos和nmos器件设置器件参数点击Hide，然后放置pch5(TSMC.35工艺库中pch5表示5V工艺的PMOS管)版图。使用同样的方法放置Nch5管的版图。然后按”Shift+f”显示具体器件每层图形(再按Ctrl+f隐藏)④编辑几何图形进行连线—多晶硅选择POLY1，多晶硅选择Polygon编辑几何图形，把NMOS的栅和PMOS的栅相连⑤选择Polygon编辑几何图形，把NMOS的栅和PMOS的栅相连⑥使用同样的方法连接器件的漏端和源端。六、软件的退出①退出软件②退出虚拟机③选择Shutdown关机