最新哈尔滨工业大学文献检索

1、检索出5本关于半导体物理发展方面的图书。检索数据库：读秀学术搜索检索词:半导体物理发展进展检索字段:书名检索策略:检索式（半导体物理+发展）检索式（半导体物理+进展)检索式（半导体物理）[作者]黄昆[书名]《半导体物理发展概况的介绍》[出版年代]1959[出版社名称]高等教育出版社[摘要]:本书目的主要在于介绍近年来国际上半导体物理的发展主要有哪些方面,其大致内容和主要成就的水平如何。[作者]裴素华[书名]《半导体物理与器件》[出版年代]2008.09[出版社名称]机械工业出版社[摘要]:本书较系统全面地阐述了半导体物理的基础知识和典型半导体器件的工作原理、工作特性。具体内容包括：半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术.[作者]何宇亮[书名]《非晶态半导体物理学》[出版年代]1989.06[出版社名称]高等教育出版社[摘要]:本书主要介绍了非晶态半导体的基本概念、电子态理论、化学键、电学性质、材料的制备与结构检测等。在内容上除注意对基本概念、原理的阐述外、还力图反映国际上最新的学术思想和实验结果及我国学者在非晶态半导体方面的主要研究成果。[作者]季振国[书名]《半导体物理》[出版年代]2005.09[出版社名称]浙江大学出版社[摘要]:新世纪高等院校精品教材:本书针对半导体材料与器件的发展趋势，介绍了新型半导体材料相关的知识和基本工作原理，以介绍基本物理概念为主。[作者]夏建白[书名]《现代半导体物理》[出版年代]2000[出版社名称]北京大学出版社[摘要]:夏建白编著页数:290出版日期:2000简介:国家科学技术学术著作出版基金资助出版:本书介绍了半导体物理基础和研究现状。既有概念、原理和理论方法又有实践方面的内容；既介绍了国际上半导体物理的研究成果，又介绍我国科研上的最新成果；2、检索出相关的综述性期刊文章。检索数据库：中国学术期刊网络出版总库检索词:半导体物理发展进展检索字段:篇名检索策略:检索式（半导体物理发展+半导体物理发展）[作者]孙连亮；李树深；张荣；何杰；[文献题目]半导体物理研究新进展[文献来源]半导体学报[年卷期]2003年10期[摘要]简要介绍了第26届国际半导体物理会议上一些受到广泛关注的课题,它们代表了半导体物理研究领域里的研究热点和前沿工作,希望能够为今后的研究工作提供一个参考方向.[作者]夏建白；黄昆；[文献题目]我国半导体物理研究进展[文献来源]物理[年卷期]1999年09期[摘要]简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展．它包括三个方面：半导体超晶格、微结构；半导体表面、界面和杂质、缺陷；以及半导体新材料、新结构．这些进展说明，半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位，它仍是一门年轻的、富有生命力的学科，预期在将来有更大的发展．[作者]黄昆[文献题目]半导体物理发展概况的介绍[文献来源]北京大学学报(自然科学)[年卷期]1959年S1期[摘要]本文目的主要在于介绍近年来国际上半导体物理的发展主要有那些方面,其大致内容和成就的水平如何;对于个别的工作,讲得此较具体一些,主要还是做为典型的例子。下面把情况归为四个方面加以介绍:(1)半导体材料;(2)半导体中电子运动规律的研究;(3)其他的主要研究课题;(4)一些基础量子理论问题的概述。[作者]谢希德；[文献题目]半导体物理的一些新进展[文献来源]固体电子学研究与进展[年卷期]1989年04期[摘要]1980年第15届国际半导体物理会议上,日本物理学家植村泰忠曾预言半导体物理研究的对象将从晶态转向非晶态,以体内转向表面,从天然存在的材料转向人工设计的材料,对半导体中缺陷的研究将从浅能级转向深能级。对稳态过程的研究逐步转向对瞬态的研究。将近十年的工作大致是沿着他的预测发展的。在异质结构、量子阱、表面和界面,半导体中的缺陷以及非晶态半导体等领域的理论和实验研究都有些饶有兴趣的结果,不仅加深了对物理现象。[作者]齐晓寰；王启明；[文献题目]从第二十一届国际半导体物理会议(ICPS—21)看半导体物理学的发展[文献来源]中国科学院院刊[年卷期]1993年01期[摘要]本文概要介绍了ICPS-21的情况,通过对近几届ICPS会议论文内容的比较研究,分析了半导体物理学的发展趋势.3、检索出10篇相关学位论文。检索数据库：中国博士学位论文全文数据库中国硕士学位论文全文数据库检索词:半导体物理半导体物理发展史探讨检索字段:篇名检索策略:检索式（半导体物理发展史探讨）检索式（半导体物理）[作者]韩燕丽；[题目]半导体物理发展史探讨[培养单位]首都师范大学[年代]2000-04-01[摘要]本论文对半导体物理发展的历史进行了探讨。半导体物理学作为凝聚态物理学的一个分支，己经蓬勃发展了半个多世纪，并成为一个庞大的、发展最为迅速的前沿学科。以此理论为依据生产出的半导体器件在人们的生产、生活、科研、国防、微电子、计算机等领域发挥着不可替代的作用，这也激起人们对半导体物理的极大关注。[作者]窦菲[题目]有机半导体共混体系的光物理特性研究[培养单位]北京工业大学[年代]2010-05-01[摘要]有机半导体具有成本低廉、制备简单、产品面积大等优势特点,可用于开发有机发光显示、太阳能电池及薄膜晶体管等器件。然而,有机光电子器件的工业化进程仍受到制约,主要原因在于相对于传统的无机材料,有机材料的电荷传输效率低,严重影响了器件的性能。[作者]杨闽南[题目]半导体物理基础在工科物理教学中应用的探索与实践[培养单位]东南大学[年代]2004-03-01[摘要]21世纪,科技飞速发展,对课程和教材的建设产生深刻的影响,实现课程内容现代化是世界各国高等教育改革极其重要的方面,也是各国讨论与关注的焦点,近年来受到人们的普遍重视和广泛研究。[作者]徐淑东[题目]物理汽相沉积并五苯半导体薄膜及其生长机理[培养单位]大连理工大学[年代]2008-05-16[摘要]本文利用氮气携带法在物理气相沉积水平生长系统中,生长了均匀的并五苯有机半导体薄膜,用SEM对薄膜表面做了形貌分析,探讨了其生长机理。[作者]张立莉[题目]在半导体制造中使用物理气相沉积代替化学气相沉积来生长氮化钛阻挡层[培养单位]天津大学[年代]2008-12-01[摘要]本文采用物理气相沉积方法,并且结合半导体相关理论,对优化半导体整体制程中的氮化钛阻挡层的生长进行了深入的研究。本文介绍了半导体芯片制造的工艺流程,以及具体介绍物理气相沉积工艺的特性和控制参数。[作者]王昭玲[题目]信息技术应用于中专“半导体物理”课堂教学的研究[培养单位]首都师范大学[年代]2005-04-01[摘要]本文从中专微电子专业的“半导体物理”课堂教学实践出发,依据建构主义学习理论,探索如何利用信息技术改革中专“半导体物理”课堂教学,激发学生主动学习的积极性;探讨如何挖掘出信息技术在半导体物理教学中应用的潜力,并有效地将信息技术应用在课堂教学中,使学生在课堂中获得较好的学习效果。[作者]陈静[题目]新型半导体材料物理特性的凝聚态光谱研究[培养单位]上海交通大学[年代]2007-01-01[摘要]本文通过对新型半导体材料的凝聚态光谱研究,对半导体材料的声子、电子及其跃迁过程等基本物理性质和材料薄膜质量等领域进行探索和分析。[作者]台国安[题目]低维半导体能量转换材料的可控组装及物理力学性能研究[培养单位]南京航空航天大学[年代]2008-06-01[摘要]热电、光电能量转换材料是构建绿色能源系统的重要基础,但目前这些材料的能量转换效率普遍较低。基于纳尺度材料结构局域场与外场间特异的多场耦合效应来实现高效能量转化是当前科技发展的重要方向。[作者]陈圣[题目]分子束外延生长Er_2O_3高k栅介质材料的物理特性研究及硅基磁性半导体材料的制备[培养单位]复旦大学[年代]2007-05-28[摘要]分子束外延（Molecularbeamepitaxy,MBE）是一种在超高真空条件下，使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜的技术。由于它能对薄膜生长进行精确的控制，并且是一种远离平衡态的生长技术，因而它具有许多独特的技术优势。[作者]邹崇文[题目]NSRL表面物理站的调试及宽禁带半导体的SRPES研究[培养单位]中国科学技术大学[年代]2006-05-01[摘要]同步辐射光电子能谱作为一种探测物质电子结构的手段，经过几十年的发展已经成为一种非常成熟的实验技术。由于这种技术能够对样品的表面和界面进行无损伤的探测，而且能够在超高真空的环境下进行原位分析，因此广泛的应用于固体材料的能带结构以及表面和界面研究。4、检索出10篇相关会议论文检索数据库:中国重要会议论文全文数据库国际会议论文全文数据库检索词:半导体物理检索字段:篇名主题检索策略:检索式（半导体物理）[作者]赵宇;谢劲松[题目]半导体器件的通用电迁移失效物理模型[会议名称]第十一届全国可靠性物理学术讨论会[会议召开地点]中国浙江温州[会议召开时间]2005-10[摘要]电迁移是半导体器件的一个主要失效机理,在国内外已积累了大量的研究成果。但在物理模型和定量的研究方面,国内尚未有研究报告给出通用的物理模型以及使用这一模型对具体半导体器件进行定量化可靠性评估的案例。[作者]张静;刘文楷;孙海燕[题目]半导体物理与器件课程体系的创新性研究[会议名称]北京高教学会实验室工作研究会2010年学术研讨会[会议召开地点]中国北京[会议召开时间]2010-12-01[摘要]微电子学是一门综合性较强的学科,包括物理、电路以及计算机基础知识。文章重点解剖了在微电子学专业开设的物理基础类课程的学习方法以及教学改革。[作者]陈军全；陈星；[题目]半导体器件和电路温度效应的多物理场协同计算[会议名称]2011年全国微波毫米波会议[会议召开地点]中国山东青岛[会议召开时间]2011-06-01[摘要]对大信号作用或环境温度变化所引起的半导体器件及其电路温度效应分析,基于物理模型的多物理场计算具有适用范围广和计算准确的优势,但存在计算复杂的缺点。[作者]杨合情；张丽惠；李丽；王新悦；刘彬；包柳；[题目]不同微结构半导体纳米材料的可控合成及其物理化学性能[会议名称]中国化学会第十三届胶体与界面化学会议[会议召开地点]中国山西太原[会议召开时间]2011-07-20[摘要]众所周知,纳米半导体材料具有不同于块体材料的物理和化学性能,这些物理化学性能在很大程度上决于材料的尺寸和形貌,同时不同形貌的纳米结构单元也是构建纳米器件的基本模块[1-2]。[作者]梁勤金；石小燕；冯仕云；[题目]高功率半导体开关DSRD的物理特性及应用[会议名称]中国工程物理研究院科技年报[会议召开地点]中国工程物理研究院[会议召开时间]2005-12[摘要]超宽带(UWB)脉冲具有反隐身和较强抗干扰能力,因其在目标识别与探测、高分辨率成像中而显出的优点成为国内外多年来研究的热门课题。[作者]袁寿财；张翼；[题目]4-氢碳化硅及硅IGBT静态与开关特性的对比研究[会议名称]2010The3rdInternationalConferenceonPowerElectronicsandIntelligentTransportationSystem(PEITS2010)[会议召开地点]中国广东深圳[会议召开时间]2010-11-20[摘要]为比较基于4-氢碳化硅宽禁带材料与传统硅材料功率IGBT性能上的差异,用半导体物理基础理论计算器件外延层迁移率与掺杂浓度、输出电流电压特性与器件设计与工艺参数、及开通关断时间与器件材料和耐压等关系曲线,使用MATLAB软件进行计算。[作者]熊焕明；[题目]光致发光的ZnO纳米材料[会议名称]11thConferenceonSolidStateChemistryandInorganicSynthesisJointwith2thDaltonTransactionsInternationalSymposium[会议召开地点]中国上海[会议召开时间]201