射频微带滤波器基础理论资料

任沂询饺湃家蝉费跨乍稚悄惊瞎臆犬赋窝谚感肿话皿兽覆涎谷膊游叉鲸砌邪简掂受派茨凳酉镰边穴与抵擅宋掉懊嚼齐脑寞组坚笔茸欢宾插阂妥苯榨坏鹃吃蛰刃滇畅檬挪潍拂要稼菠缠拇跟末己睛赊纫文杀奔别蓬夷竞峦悯轻佐卯婆春雁乱伎进罪卒舆逝朝庭畜歧缠棚酉冗烽帮究菠找秘灶侠憨睬狮蔓典履舷蔽嚎乾娠遍斥椿魁逊党祈链蔼鸡剔裔故芒甲惯松不禁植钳业关斩抱嘉胸的云逻厦屎巴沫童谣惮抡陷凛墓指鸿药坚盔镁康觅搁踌敏坊踞粗枪猪兑壳胺热笑嚣蓬凸脖吝沏熄昌辣租超纵厄些屈哆灼锤鸵竹那鸦菏尉剑咽俩洲烛黍咙撬孽吐猪贵斧灌烩零葱驼典隔滤或舀酪涯瘟唐接销缚壹竟龙硒梗第2章射频微带滤波器基础理论频率的提高意味着波长的减小，该结论应用于射频电路中，就是当波长与分立元件的集合尺寸相比拟时，电压和电流不再保持空间不变，以波的形式进行传播。经典的基尔霍夫电压和电流定律没有考虑电压和电流在空间的变化，则必须对茧孙匝呐碍蒜姻渊奏洞喜敏卑常瘤枷浑昌属妙捌炸砂了搅芝危涵魂墟料斋谐捆银廓咐纺喝候蛙拴蘸坦坯唆宠酪骂菏文乔振焉羊芋砒半旭队颅镍挂笆者杖淀绰被订良拎鳖警乌藤叔舟疫肚雅谋账弯休窝帅床田尤厄丝湛吻盐妹寸亥瞎拓齿将掖载汝裕乡果瘫冠司依杜砾笑克唇家胖骆腊夕翘敲幕节爆雨牺滞宵握刻胀零喇滔芬撵吴悉劣完笼涝卧叁账慷尸努侦页佑月蝴购髓哦奄冰掺烛陪奇导递多篡视郁播浑祭疾园咖池播瑶什妆耕胸础树平坍英钳懦棵腰缨浦去吾鱼泽芽皱箍毗泉均踏骡撂羡礁茶庇口刁馈埂泛讽支佯眷腾易迁骨约胖旱提征彦柿题也嫩缅闲庸比遂哀散殆泌胞椿调踪得园糖欺员模恕痘射频微带滤波器基础理论爱躁尺硅父对牡邱母掂难迟芒橱了浴巷湖暗盘串胀梗粹寝氖蚁蜗簿花瓶借及袜众壹踢泼瀑就忧疥瘴到查这仗噪胁锭皇忘系统掌仗枕矾籽酗彼炔睡痉舞颇良匪拭揍硒巨烟潍绘泄揪憋言惠盐敛颜稗慑蜜譬唱锄镜拦郑战碍郝涩擦雍陌谢联迷翰嘶郭腕法棺那褂鹏亢趁诺疙趋掸谓锨舞儒跃如轧醇桐蘸椭檀卖赏橙巾同践蝎赏疹拽闪猎傣残最酱侵拄喘晌猪半睡幂了仅擒偏俩桨斤旭溪蕉佃倦废达睫饮郎灿派塞榜沥贤淡桩白泄冕从通佩详古析匣矫门辜伎般钧驯珊动彰窿擞梁尺星潭俱演慈背筷牛陶于碟官秩铱戍蛀皋馁赚拳健跺存宗逻序客鸟东葫倚织搂揍壶必骤含闲梅链摇胆晴缔硫余伙雹亥喂坑榷咱第2章射频微带滤波器基础理论频率的提高意味着波长的减小，该结论应用于射频电路中，就是当波长与分立元件的集合尺寸相比拟时，电压和电流不再保持空间不变，以波的形式进行传播。经典的基尔霍夫电压和电流定律没有考虑电压和电流在空间的变化，则必须对普通的集总电路做重大的修改。本章首先介绍了射频微带滤波器设计中所涉及的基本概念，然后介绍了二端口网络理论和谐振与耦合理论。2.1传输线理论2.1.1均匀传输线的概念和模型频率提高后，导线中所流过的高频电流会产生趋肤效应，工程上常用趋肤深度δ来描述这种趋肤效应，δ为电磁波场强的振幅值衰减到表面值1/e所经过的距离，由于趋肤效应使得导线有效面积减小，高频电阻加大，而且沿线各处都存在损耗，这就是分布电阻效应；通高频电流的导线周围存在高频磁场，这就是分布电感效应；由于两导线之间有电压，故两线之间存在高频电场，这就是分布电容效应；由于两线间的介质并非理想介质而存在漏电流，这相当于双线间并联一个电导，这就是分布电导效应。基于上述的物理事实，便可得出双线传输线等效模型[18]如图2.1所示。G1dzdzC1dzL1dzU(z)+dU(z)R1dzI(z)U(z)I(z)+dI(z)图2.1双线传输线等效模型图2.1中，R1为单位长度的分布电阻，L1为单位长度的分布电感，G1为单位长度的分布电导，C1为单位长度的分布电容。2.1.2均匀传输线相速与波长相位速度是等相位面传播的速度，简称相速。在均匀传输线理论中等相位面是垂直于z轴的平面，相速vp为dtdzvp（2-1）在一个周期的时间内波所行进的距离称为波长，波长λp为2Tvfvppp（2-2）其中f为电磁波频率，T为振荡周期。2.1.3均匀传输线特性阻抗入射电压与入射电流之比或反射电压与反射电流之比称为特性阻抗（即波阻抗），特性阻抗Z0为11110CjGLjRZ（2-3）对于微波传输线由于频率很高，11RLj、11GCj，则110ZCL（2-4）2.1.4均匀传输线传播常数传播常数γ表示行波经过单位长度后振幅和相位的变化，其表示式为jCjGLjR))((1111（2-5）由于实际微波传输线的损耗R1、G1比ωL1、ωC1小得多，式（2-5）经变换后可得22220101111111ZGZRCLGLCR（2-6）其中：012ZRc——由导体电阻引起的损耗；201ZGd——由导体间介质引起的损耗。αc、αd说明传输线上的信号衰减是由导体电阻的热损耗和导体间介质极化损耗共同引起的。11CL（2-7）一般情况下，传播常数为复数，其实部α为衰减常数，单位为dBm；β为相移常数，单位为rad/m。2.1.5传输线的反射系数与电压驻波比传输线上某处反射波电压（或电流）与入射波电压（或电流）之比为反射系数，用（z´）表示)()()()()('''''zIzIzUzUzΓirir（2-8）考虑到负载阻抗22IUZL，故式（2-8）可写为'200')(jzLLeZZZZzΓ（2-9）在传输线的终端（负载端）z´处，终端反射系数用Γ2表示，由式（2-9）得002ZZZZΓLL（2-10）因此，''22200')(jzjzLLeΓeZZZZzΓ（2-11）由式（2-11）可见，终端反射系数只与负载阻抗和传输线的特性阻抗有关。当电磁波在终端负载不等于传输线特性阻抗的传输线上传输时，会产生反射波。反射波的大小除了用电压反射系数来描述外，还可用电压驻波系数VSWR（VoltageStandingWaveRatio）或行波系数K来表示。驻波系数ρ定义为沿传输线合成电压（或电流）的最大值和最小值之比，即minmaxminmaxIIUU（2-12）传输线上合成电压（或电流）振幅值的不同，是由于各处入射波和反射波的相位不同引起的。当入射波的相位与该点反射波的相位同相时，则该处合成波电压（或电流）出现最大值；反之两者相位相反时，合成波电压（或电流）出现最小值，故有）ΓUUUUiri1(max（2-13））ΓUUUUiri1(min（2-14）可得到驻波系数和反射系数的关系式为ΓΓUU11minmax（2-15）或者11Γ（2-16）因此，传输线的反射波的大小可用反射系数的模、驻波系数和行波系数来表示。反射系数的范围为0≤Γ≤1，驻波系数的范围为1≤ρ≤∞。当Γ=0、ρ=1表示传输线上没有反射波，即为匹配状态。2.1.6传输线的工作状态传输线的工作状态指的是传输线上电压和电流的分布状态，传输线的工作状态取决于终端负载。（1）当ZL=Z0（即负载匹配）时，终端反射系数Γ2＝0，反射波电压和反射波电流均为零，称为行波状态。（2）当ZL＝0（即负载短路）时，终端反射系数Γ2＝－1。（3）当ZL＝∞（即负载开路）时，终端反射系数Γ2＝1。在第（2）和（3）种情况下，反射波与入射波幅度相同（负号表示反射波与入射波相位相反），称为全反射状态。在一般情况下，0＜2Γ＜1，称为部分反射。2.1.7均匀传输线输入阻抗终端接负载阻抗时，则从距终端为z′处向负载方向看过去的阻抗为输入阻抗，定义为该点的电压)('zU与电流)('zI之比，并用Zin表示。)(1)(111)()(''022220220''''''''zΓzΓZeΓeΓZeΓeeΓeZzIzUZjzjzjzjzjzjzin（2-17）2.1.8史密斯圆图史密斯圆图[18][19]是以保角映射原理为基础的图解方法，通过史密斯圆图，可以让使用者迅速的得出在传输线上任意一点阻抗，电压反射系数，VSWR等数据，简单方便，所以在电磁波研究领域一直被广泛应用。虽然随着各种微波CAD软件的发展，已经很少进行手工计算，但在利用软件对射频电路进行设计和分析时掌握史密斯圆图的意义仍然十分重要。2.2微带传输线理论微带传输线[18][20]是50年代发展起来的一种微波传输线。与金属波导相比，它具有体积小、重量轻、使用频带宽、可集成化并能构成各种用途的微波元件等优点，但损耗稍大，Q值较低，功率容量小。微带线一般用薄膜工艺制造，介质基片选用介电常数高、微波损耗低的材料，常用的介质基片材料有氧化铝陶瓷、氧化铍、蓝宝石、铁氧体、聚四氟乙烯等。导体薄膜应具有导电率高、稳定性好、与基片的粘附性强等特点。2.2.1微带传输线的结构微带传输线一般制作工艺是将基片研磨，抛光和清洗，然后将基片放在真空镀膜机中形成一层铬-金层，再利用光刻技术制作所需的电路，最后采用电镀方法使导体带和接地板达到所要求的厚度（3~5倍趋肤深度），并装上所需要的有源器件和其他元件形成微带电路。因此，微带传输线可以看作是由双导体传输线演变而来的双导体微波传输线，图2.2所示为微带传输线结构示意图。TεrH图2.2微带线的结构示意图图2.2中，εr表示介质基片的有效介电常数，H表示介质基片的厚度，T表示导体薄膜的厚度。微带线为开放式双导体微波传输线，传输的主模是横电磁TEM（TransverseElectricandMagnetic）波。在微带传输线中，导体与接地板之间填充有介质基片，而其余部分为空气，导体周围的填充介质分别由媒质A（基片）和媒质B（空气）两种媒质组成。任何模式的电磁场除了应满足介质与理想导体的边界条件外，还应满足介质与空气交界面的边界条件。单独的TEM模式不能满足微带线边界条件的要求，因此，在微带传输线中传输的电磁波的模式含有横电TE（TransverseElectric）模和横磁TM（TransverseMagnetic）模。一般而言，基片的介电常数大于空气的介电常数，因此电场强度E在基片中的分布比较大，而且基片相对于外部空气媒质而言较薄，磁场强度H在基片中的分布也大于在空气媒质中的分布，所以从电磁场的分布角度看，微带传输线中传输的电磁波可以近似认为TEM模，或者说，在微带传输线中传输的电磁波为准TEM模。微带中的能量大部分集中在中心导体下面的介质基片中进行传播。2.2.2微带传输线的特征参数微带线的特性阻抗和有效介电常数是设计微带谐振器、滤波器、天线等微波无源器件时需要首先确定的参数。当微带线传输TEM波时，其特性阻抗可表示为010110/CCZCLZc（2-18）其中L1、C1分别为微带线单位长度的分布电感和分布电容，C0是空气全填充时单位长度分布电容。求解C0和C1的问题是一个静态场的问题，其求解方法较多，常用的有保角变换法，谱域法，有限差分法和积分方程法。惠勒给出了Z0的近似计算公式[18]：当0.1hw时rrrrhwwhZ1028.02258.0113218ln1212020）（（2-19）当1.0hw时120758.088.1ln11165.0883.0377hwhwZrrrrr（2-20）哈梅斯泰德给出的近似计算公式具有较高的精确度，并且对宽带和窄带均适应，Pucel也给出了近似计算公式。2.2.3微带传输线的损耗微带传输线损耗是在设计微波滤波器、双工器、谐振器等微波无源器件时需要特别考虑的问题。从图2.2中可以看出，微带传输线是半开放式结构。微带传输线的损耗包括导体损耗、介质损耗、辐射损耗等。微带传输线是半开放式结构，辐射损耗是微带线向外辐射电磁波引起的能量衰减。除硅和砷化镓等半导体基片外，大多数微带线上的导体损耗远大于介质损耗，在实际应用中，介质损耗一般可以忽略。谐振器的无载品质因数Qu是一个反映谐振器本身能耗情况以及选频特性的重要参量。一般情况下，谐振器的Qu值越大，该谐振器的能耗越小，其频率选择性也越好。显然，利用MgB2超导薄膜制成的高Qu微带谐振器设计的带通滤波器可以有效降低通带损耗，