原子层沉积技术发展现状

原子层沉积技术发展现状作者：《电子工业专用设备》编辑部，EditorialOfficeofEPE作者单位：刊名：电子工业专用设备英文刊名：EQUIPMENTFORELECTRONICPRODUCTSMANUFACTURING年，卷(期)：2010,39(1)被引用次数：1次参考文献(5条)1.HKimAtomiclayerdepositionofmetalandnitridethin?Ims:Currentresearcheffortsandapplicationsforsemiconductordeviceprocessing20032.GaneshMStmdaram;EricWDeguns;RitwikBhatia;MarkJ.Dalberth,MarkJ.Sowa,JillS.BecketALD用于非平面性3D形貌结构的薄膜沉积2009(8/9)3.ChenYuhHerng;KevinLin原子层沉积制程真空系统2007(4/5)4.SANTACLARAAppliedMaterials'High-k/MetalGateTechnologySelectedbySTMicroelectronicsfor28nmChipProduction5.UniqueIntegeatedALDandCVDTungstenSystemfor≤65nm/70nm本文读者也读过(10条)1.刘雄英.黄光周.范艺.于继荣.LiuXiongying.HuangGuangzhou.FanYi.YuJirong原子层沉积技术及应用发展概况[期刊论文]-真空科学与技术学报2006,26(z1)2.吴宜勇.李邦盛.王春青.WUYi-yong.LIBang-sheng.WANGChun-qing单原子层沉积原理及其应用[期刊论文]-电子工业专用设备2005,34(6)3.何俊鹏.章岳光.沈伟东.刘旭.顾培夫.HeJunpeng.ZhangYueguang.ShenWeidong.LiuXu.CuPeifu原子层沉积技术及其在光学薄膜中的应用[期刊论文]-真空科学与技术学报2009,29(2)4.刘雄英.黄光周.于继荣原子层镀膜技术的新近发展及其在工业中的应用[会议论文]-20055.申灿.刘雄英.黄光周.SHENCan.LIUXiong-ying.HUANGGuang-zhou原子层沉积技术及其在半导体中的应用[期刊论文]-真空2006,43(4)6.卢红亮.徐敏.张剑云.陈玮.任杰.张卫.王季陶.LUHong-Liang.XUMin.ZHANGJian-yun.CHENWei.RENJie.ZHANGWei.WANGJi-tao原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展[期刊论文]-功能材料2005,36(6)7.袁军平.李卫.郭文显.YUANJun-ping.LIWei.GUOWen-xian原子层沉积前驱体材料的研究进展[期刊论文]-表面技术2010,39(4)8.卢红亮.徐敏.丁士进.任杰.张卫.LUHong-Liang.XUMin.DINGShi-Jin.RENJie.ZHANGWei原子层淀积Al2O3薄膜的热稳定性研究[期刊论文]-无机材料学报2006,21(5)9.卫耀伟.刘志超.陈松林.WEIYao-wei.LIUZhi-chao.CHENSong-linTiO2/Al2O3薄膜的原子层沉积和光学性能分析[期刊论文]-中国光学2011,04(2)10.王志育.焦岗成.樊慧庆.WANGZhiyu.JIAOGangcheng.FANHuiqing原子层沉积技术及其在铁电薄膜制备中的应用[期刊论文]-材料导报2007,21(z1)引证文献(1条)1.张志民.郭长友.马波.凌凤香.苗升.沈智奇.翁蕾原子层沉积技术在钛改性多孔氧化铝上的应用[期刊论文]-工业催化2012(6)本文链接：