先进电子封装技术与材料

　1416Vol.14,No.16　2006821FineandSpecialtyChemicals黄文迎*1,3　周洪涛2(1.北京波米科技有限公司,北京100085;2.北京科化新技术科技有限公司,北京102206;3.清华大学信息技术研究院电子封装技术研究中心,北京100084)　:、,;、、;、。:;;;;AdvancedElectronicEncapsulatingTechnologyandMaterialsHUANGWen-ying1,3,ZHOUHong-tao2(1.POMESci-techCo.,Ltd.Beijing,Beijing100085,China;2.BeijingKehuaNewMaterialScienceTechnologyCo.,Ltd.,Beijing102206,China;3.ResearchInstituteofInformationTechnology,TsinghuaUniversity,Beijing100084,China)Abstract:Themainadvancedelectronicencapsulatingtechnology,itsdevelopmenttrend,thedevelopmentcourseofelectronicencapsulatingmaterialanditsheadingdirectionalongwiththecontinualupdateofmethodsandtechnologyweresummarized.Theperformanceofepoxymoldingcompound,itsrelationshipbetweenthepropertyandcomponent,modifica-tionmethodsanditsdevelopmenttrendswerenarratedindetai.lTheresearchstatusofadvancedelectronicmaterialssuchasliquidepoxymoldingcompoundsandpolyimideusedinencapsulationwerebriefed.Keywords:electronicencapsulatingtechnology;electronicencapsulatingmaterial;epoxymoldingcompound;epoxyresin;polyimide　　———,、。,。、(IC)。,IC、,。IC、、、,,,IC、、、。TO、SIP、DIPSOP、QFP、BGA,CSP、MCM、SIP,、、。,、、、,、、,。1　1.1　,(“”),〔1〕。1*收稿日期:2006-07-12　作者简介:(1969-),,,,,18。1416、。、、,、、。:①;②,;③;④〔2〕。:,2070,。(TO),(SIP)(DIP)。(PDIP),、、。,2080,。,(PLCC)、(PQFP)、(PSOP),。、、。,2090,。IC,、。,(BGA),。(CSP)。,,(MCM)、(3D)(SIP)。,BGA,,、、,,、。CSPBGA,、。,120%CSP。(WLP),。,、、、,,。3D“”,。SIP,(CMOS、GaAs、SiGe)、MEMS(、),。,。、,,、。MQFP、SOIC、SOJ、PLCC、PGAPDIP,TSSOP、T/FQFP、SSOP。,,,;,。,,。1.2　,(FCBGA),、、(BT)、、、。FCBGA:①:Au、Pb/SnAu/Sn;②:Al/Ni/Cu、Ti/Ni/CuTiW//Au;③:Pb/Sn、;④:、、BT;⑤:(Underfill);⑥:;⑦:。:、BT、,,。,。2　,。、、、,2　2006821,:。:①,:(W-Cu、Mo-Cu)、、、Kovar(Fe-29Ni-17Co)、;②,:、、AlN、SiC;③,:,,-,-,、、,,,,,,UV,(PSPI、BCB),BT。2.1　2050,、,、、。,,。、,(EMC),,。:2060-,(Tg),,,;70,,,;-,;-,;1982,;1995,、。207080,。,,PDIPPLCC;DRAM、、α;、。、、、,;EMC0.35～0.18μm,0.10～0.09μm,QFP/TQFP、PB-GACSP。、、,,、,,、、。、。,、;、、。1,,。1。,,,,;,〔3〕。1　/%　　5～305～15360～90、1～521、11～511　31416,、,,,。、、、、、、,、,。97%,8～11t,2～3t。2.2　,,。。2.2.1　降低粘度,提高流动性,,、、、。,,,。,,、。,(:,),〔4〕。2.2.2　降低吸水率,提高耐热性,。,200℃,。,,。(Tg),、Tg。,,、,。,,,、。,,,。,,。2.2.3　降低污染,绿色环保,Sb2O3,,,。,,、〔5〕。,,,,〔6〕。,,。,,、、Tg、、。、,、。2.3　、、,,。2.3.1　聚酰亚胺树脂。IC、,MCM。,、、。,,,IC,。2.3.2　液体环氧封装材料,,、4　2006821,:、,〔7〕。、,,FCBGA/CSP,、、。,(、、),。2.3.3　高性能粘接材料、、、、。,,,。,、。,IC、、、。3　、、、,,。,、。,、BCB、BT、、、。,、、;20,,,。□〔1〕.〔M〕.:,2003〔2〕.〔M〕.:,2001〔3〕KimW-G,LeeJ-Y.Curingcharacteristicsofepoxyresinsystemsthatincludeabiphenylmoiety〔J〕.JournalofAppliedPolymerSci-ence,2002,86:1942～1952〔4〕OguraI.Relationbetweenchemicalstructuresandcharacteristicsonepoxyresins〔J〕.DICTechnicalReview,2001,7:1～11〔5〕HoroldS.Phosphorusflameretardantsinthermosetresins〔J〕.Poly-merDegradationandStability,1999,64:427～431〔6〕MasatoshiI,YukihiroK.Flame-retardantepoxyresincompoundscontainingnovolacderivativeswitharomaticcompounds〔J〕.Polym.Adv.Technol,2001,12:393～406〔7〕BaeJ-W,KimK,ParkS-W,etal.Advancedunderfillforhighthermalreliability〔J〕.JournalofAppliedPolymerScience,2002,83:2617～2624《》、,、、、、、、。21,GDP,。,,。,、《》“”,。,。,。16,184,300()。。　:53《》　　:100029:　　/:010-64444086　　E-MAIL:[e-mail]5