半导体功率器件解读

第1章电力半导体器件1.1电力半导体器件种类与特点1.2功率二极管1.3功率晶体管1.4功率场效应管1.5绝缘栅极双极型晶体管1.6晶闸管1.7晶闸管的派生器件1.8主要电力半导体器件特性比较1.1电力半导体器件种类与特点1.1.1半导体器件分类从功率等级来分类有微功率器件、小功率器件、大功率器件等等制造材料分类有锗管、硅管等等从导电机理分类有双极型器件、单极型器件、混合型器件等等从控制方式来分类可分为不可控器件、半可控器件和全可控器件三类器件1.1.2电力半导体器件使用特点•电力半导体器件稳态时通常工作在饱和导通与截止两种工作状态。•饱和导通时，器件压降很小，而截止时它的漏电流小得可以忽略，这样在饱和导通与截止两种工作状态下的损耗都很小，器件近似于理想的开关•但需要指出的是，电力半导体器件在开关状态转换过程时并不是瞬时完成的（所需时间称开关时间），而是要经过一个转换过程（称开关过程）图1-1：简单的bjt电路RbBCEUCEIcRLT1UCC•例如，图1-1所示电路中，当工作在饱和导通状态时管压降，，的管耗，截止的漏电流，即截止时的管耗。如果工作在线性放大状态时，设，则的管耗。，VUCC505LRVUCE3.01TCECTUIP1WURUCELCC33.010)/(1T0CI01TP1TAIC51T)(LCCCCCECRIUIUIW75)5550(5从使用角度出发，主要可从以下五个方面考查电力半导体器件的性能特点：导通压降运行频率器件容量耐冲击能力可靠性此外，诸如控制功率、可串并联运行的难易程度、价格等等也是选择电力半导体器件应考虑的因数。1.1.3电力半导体器件发展水平•在整流管类中，快速恢复二极管将有较大的发展•在高压直流输电中，晶闸管（光控晶闸管）将有很好的发展机遇。•在功率晶体管类中，以IGBT发展最为迅速A2800,V4500:IGBTA28,kV2.1;A60,V800:SITA100,V500:MOSFETA600,V1200:BJTA600,kV2:SITHkA5.2,kV4:MCTkA1,kV8;kA3,kV5.4:GTOkA1,kV2.1:sμ30,kA1,kV5.2:kA1,kV12,kA4,kV5:KA3,V100:sμ25.0,A450,KV2.1:KA6,KV3:功率功率晶体管自关断型双向晶闸管快速晶闸管普通晶闸管换流关断型晶闸管肖特基二极管快速恢复二极管普通整流管整流管电力半导体器件1.2功率二极管•1.2.1二极管工作原理与伏安特性•它具单向导电性•当外加正向电压（P区加正、N区加负）时，PN结导通，形成电流•二极管外加反向偏压（P区加负、N区加正）时,所以反向电流非常小.•二极管的伏安特性如图1-3所示。图1-2二极管耗尽层与少数载流子浓度分布图1-3二极管伏安特性1.2.2功率二极管开关特性•关断过程的三个时间段。•反相恢复时间，反相恢复电流。研究二极管关断过程的电路二极管关断过程的波形功率二极管开通时间很短，一般可以忽略不计，但二极管的关断过程较复杂，对电路的影响不能忽视。1.3功率晶体管图1-6BJT内部结构与元件符号（a）BJT内部结构；（b）元件符号BJT是一种双极型半导体器件，即其内部电流由电子和空穴两种载流子形成。基本结构有NPN和PNP两种。为了提高BJT耐压，一般采用NPvN三重扩散结构（图1-6）。图1-7集电极耐压与单位发射面积电流密度关系功率晶体管BJT一般是指壳温为25℃时功耗大于1W的晶体管1.3.2工作原理及输出特性RBBCEUCEIcRLT1UCCUBEUBBUCCRBBCEUCERLT1UBBUEBUCBUCCRBBCEUCEIcRLT1UBB图1-8BJT三种基本电路（a）共发射极电路（b）共基极电路（c）共集电极电路EIα/IC系数是共基极电路的电流放大倍数，亦称电流传输比11ECECCECBCI/II/IIIIIIβ称为共射极电路的电流放大倍数。若接近于1，则β的数值会很大,它反映了BJT的放大能力，就是用较小的基极电流IB可以控制大的集电极电流ICαBJT共发射极电路的输出特性图1-10BJT共发射极电路的输出特性◤该图表示集电极电流IC与集射极电压UCE的关系，其参变量为IB，特性上的四个区域反映了BJT的四种工作状态。◢◤在晶体管关断状态时，基极电流IB＝0，集电极发射极间电压即使很高，但发射结与集电结均处于反向偏置，即UBE≤0，UBC0，发射结不注入电子，仅有很少的漏电流流过，在特性上对应于截止区（I区），相当于处于关断状态的开关。◢◤当发射结处于正向偏置而集电结仍为反向偏置时，即UBE0，UBC0，随着IB增加，集电极电流IC线性增大，晶体管呈放大状态，特性上对应线性放大区（II区）。◢◤当基极电流IB（IC/β）时，晶体管就充分饱和了。这时发射结和集电结都是正向偏置，即UBE0，UBC0，电流增益和导通压降UCE均达到最小值，BJT进入饱和区（IV区）。BJT工作在饱和区，相当于处于导通状态的开关。◢BJT的开关特性图1-11BJT的开关特性◤当基极回路输入一幅值为UP（UPUBB）的正脉冲信号时，基极电流立即上升到，在IB的作用下，发射结逐渐由反偏变为正偏，BJT由截止状态变为导通状态，集电极电流IC上升到负载电阻压降。集电极电流IC上升到负载电阻压降，集电结变为零偏甚至正偏，集电极与发射极之间的压降UCE≈0，BJT工作在饱和状态，BJT相当于闭合的开关。◢BBEBBPBRUUUI)(BECCLCUURI◤当基极输入脉冲为负或零时，BJT的发时结和集电结都处于反向偏置，集电极电流逐渐下降到IC＝ICEO≈0，因此负载电阻RL上的压降可以忽略不计，集电极与发射极之间的压降UCE≈UCC，即BJT工作在截止状态，BJT相当于一断开的开关◢BJT的开关特性图1-11BJT的开关特性◤图1-11b）中的ton叫开通时间，它表示BJT由截止状态过渡到导通状态所需要的时间。它由延迟时间td和上升时间tr两部分组成，ton=td+tr。◢◤td为延迟时间，表示从加入驱动脉冲，到集电极电流上升到0.1ICsa所需要的时间tr为上升时间，表示集电极电流从0.1ICsa上升到0.9ICsa所需要的时间。◢◤toff叫关断时间，表示BJT由导通状态过渡到截止状态所需要的时间。它由存贮时间ts和下降时间tf组成，toff=ts+tf。◢◤ts为存贮时间，表示输入脉冲由正跳变到零时刻开始，直到集电极电流下降到0.9ICsa所需要的时间。◢◤tf为下降时间，表示集电极电流从0.9ICsa下降到0.1ICsa所需要的时间。◢图1-12功率晶体管的开关损耗ccuiP1.3.4BJT的二次击穿图1-13二次击穿实验曲线图1-14二次击穿临界线反偏二次击穿触发功率零偏二次击穿触发功率正偏二次击穿触发功率SBRSBRSBRUIP000SBSBSBUIPSBFSBFSBFUIP◤在二次击穿现象中，当第一次雪崩击穿后，从电流上升到ISB，再到触发产生二次击穿的时间延迟，称为触发时间。意味着BJT工作点进入一次击穿区时，并不立即产生二次击穿，而要有一个触发时间。当加在BJT上的能量超过临界值（触发能量）时，才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。◢（二）BJT的安全工作区（SOA）◤BJT工作的安全范围由图1-15所示的几条曲线限定：①集电极最大允许直流电流线ICM，由集电极允许承受的最大电流决定；②集电极允许最高电压UCE0，由雪崩击穿决定；③集电极直流功率耗散线PCM，由热阻决定；④二次击穿临界线PSB，由二次击穿触发功率决定。◢图1-15BJT的安全工作区图1-16不同工作状态下BJT的安全工作区（a）正向偏置安全工作区；（b）反向偏置安全工作区◤从图1-16可以看出BJT的反向偏置安全工作区比正偏时大得多◢◤可以在元件关断瞬间，想办法使元件真正置于反偏工作状态，即对BJT基极驱动电路，在元件截止时，施加负的基射极电压。来利用反偏安全工作区的特性◢1.3.5达林顿BJT与BJT模块T1T2CBT1T2ECBR1R2图1-17达林顿BJT的等效电路T1T2ECBR1R2D1DF达林顿BJT有以下特点：1共射极电流增益值大)1()1(122221BBEIRUββββ图1-18BJT模块的等效电路BJT模块除了有上述达林顿BJT的特点外，还有如下优点：1）它是能量高度集中的组合器件，大大缩小了变换器的体积；2）有电绝缘且传热好的固定底座，安装使用很方便；3）内含续流二极管减少了线路电感，降低了器件关断时电流变化率造成的过电压。2饱和压降UCEsa较高3关断速度减慢ts=ts1+ts21.4功率场效应管1.4.1概述◤功率场效应管，即功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)是一种单极型的电压控制器件，有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿、安全工作区宽等显著优点。◢◤在中小功率的高性能开关电源、斩波器、逆变器中，功率场效应管成为双极型晶体管的竞争对手，并得到了越来越广泛的应用。◢图1-19功率场效应管结构图（a）“T”MOSFET；（b）“V”－MOSFET1.4.2MOSFET的基本特性1；转移特性图1-20N沟道型MOSFET的转移特性◤只有UGS大于门槛电压UGS（th）才有漏极电流ID流过，在ID较大时，ID和UGS近似为线性关系，亦即跨导gFS为常数：GSDFSdUdIg/◤UGS＝10V之后，MOSFET的ID由外电路限制了。因此工作在开关状态的MOSFET正向驱动电压Ug≈10V。◢（二）输出特性◤输出特性可以分为三个区域:可调电阻区I，饱和区II和雪崩区III◢图1-21功率MOSFET输出特性1.4.2MOSFET的基本特性（三）MOSFET的电容图1-22MOSFET各端点之间的电容◤MOSFET各极之间的结电容由其物理结构所决定，金属氧化膜的栅极结构决定了栅漏之间的结电容Cgd和栅源之间的结电容Cgs，MOSFET的PN结形成了漏源间的结电容Cds。◢◤图1-22表示了MOSFET的输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss与结电容之间的关系。◢（四）开关特性90%UDSUGStrtd(on)td(off)tf10%图1-23开关特性测试电路与波形td(on)：开通延迟时间tr：上升时间td(off)：关断延迟时间，tf：下降时间rondonttt)(foffdoffttt)(1.4.3MOSFET安全工作区图1-24MTM4N50的安全工作区（a）最大额定开关安全工作区；（b）最大额定正偏安全工作区◤由于电流具有随温度上升而下降的负反馈效应，因而MOSFET中不存在电流集中和二次击穿的限制问题，它有较好的安全工作区（SOA）◢◤图1-24是型号为MTM4N50(500V,4A)的MOSFET的安全工作区，它分最大额定开关安全工作区和最大额定正向偏置安全工作区两种。◢◤最大额定开关安全工作区是负载线可跨越而不会招致MOSFET损坏的界限，基本的限制是峰值电流IDM和击穿电压U(BR)DSS，这个安全工作区只适用于器件开关时间小于1μs的开通和关断过程◢◤在其余工作条件下，使用正向偏置安全工作区。正向偏置安全工作区受功率损耗的限制，而结温是随功率损耗的变化而变化，图1-29b）表示的是温度为25℃时的正向偏置安全工作区。◢◤在任一温度下，某一工作电压的允许电流可通过下列等式算出：CjcDCCACDATcDRPTII}{25}{1}{}{θ25()(1．4．4MOSFET的基本参数（一）漏极额定电流ID和峰值电流IDM（二）通态电阻rDS(ON（三）阀值电压UGS(th)（四）漏源击穿电压U(