武汉理工大学-2013-2014学年-第2学期-模拟电子技术基础C期末试卷

1…………试卷装订线………………装订线内不要答题，不要填写考生信息………………试卷装订线…………姓名学号专业班级学院武汉理工大学考试试卷（A卷）2013~2014学年2学期模拟电子技术基础C课程闭卷时间120分钟，48学时，3学分，总分100分，占总评成绩70%2014年6月3日题号一二三四五六七八九十合计满分10101020201515100得分一、填空题（各1分，共10分）1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的（）浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。2、如果某放大电路中的三极管集电结反偏，发射结也反偏，则该管工作于（）区，输出信号产生（）失真。3、有两个电压放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻（）（大、小）。4、由于BJT晶体三极管是电子、空穴两种载流子同时参与导电，所以将它称为双极型的，而场效应管只有多数载流子参与导电，所以将其称为（）的。5、三种单级BJT管基本组态放大电路中，最适合做多级放大电路的输出级的是（），主要原因是该电路的（）电阻小。6、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将增大电路的（）参数值。7、为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入（）负反馈。8、耗尽型绝缘栅场效应管MOSFET，可以在（）（正、负、或正负）栅源电压vGS下工作。得分2二、（10分）电路如题图2所示，已知vi＝8sinωt(v)，R大小合适，利用恒压降模型（VD＝0.7V），在vi作用下求解：1、D的导通条件及此时的输出电压vo；（3分）2、D的截止条件及此时的vo；（3分）3、画出电路的vo波形。（4分）三、（10分）题图3所示为简化集成运算放大器内部原理图，运放电路由输入级、中间级、输出级和偏置电路组成，试分析：1、输入级由何种电路构成，其作用是什么？（3分）2、中间级由何种电路构成，其作用是什么？（2分）3、输出级由何种电路构成，其作用是什么？（3分）4、T3与T4组成什么电路？其作用是什么？（2分）得分图2得分图33四、（20分）题图4所示电路中所有元器件的参数都已知，试分析计算：1、画出直流通路，求静态Q点；（6分）2、画出小信号等效电路，求电压增益Av；（6分）3、求解Ri和Ro；（4分）4、在不改变元器件参数的前提下，要提高电压增益，电路可以怎样改进？（2分）5、为了使电路具有稳定静态工作点的作用，电路应该怎样改变？改变后的电路是什么电路（2分）得分RL图4Re4五、（20分）电路如题图5。1、利用瞬时极性法分别判断图（a）、（b）引入的级间反馈是正反馈还是负反馈；(6分）2、若引入的是负反馈，则判断是哪种组态的负反馈；（4分）3、说明图中负反馈放大电路的功能；（2分）4、说明图中负反馈组态对放大电路性能的改善；（4分）5、如果图中存在正反馈，请改为能稳定输出电压增大输入电阻的负反馈电路。（3分）…………试卷装订线………………装订线内不要答题，不要填写考生信息………………试卷装订线…………得分图5（a）5六、（15分）题图6中的运算放大器为理想运放，R1--R4为已知电阻。1、试分析Vo与V1、V2的运算关系；（10分）2、在什么条件下电路可以实现Vo=3V2-4V1的运算？（2分）3、电阻R、R5有什么作用，取值应该为多少？（用已知电阻表示）（3分）图7得分图656七、（15分）电路如题图7所示，T1和T2的参数完全对称，β1＝β2＝50，rbb´1=rbb´2=200Ω，VBE1=VBE2=0.7V。1、试求静态时IB1和VCE1和IC1；（6分）2、试求差模电压放大倍数AVd、差模输入电阻Rid和输出电阻Ro。（6分）3、试求共模电压放大倍数AVd和共模抑制比KCMR。（3分）得分T1T2＋－ovRcIRLRbRcRb＋VCC－VEEi1vi2v图题6.2.3(－12V)(＋12V)(2mA)5KΩ5KΩ200Ω200Ω10KΩ