联芯科技产品简介pptdeflate

联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品简介联芯科技公司简介联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品路标联芯科技LTE产品研发进展及计划目录大唐集团及联芯科技总体介绍联芯科技有限公司联芯科技成立时间：2008年3月在上海设立主营业务：终端芯片与解决方案提供商单位性质：国有控股有限责任公司人员构成：公司现有员工超过1000人具有博士学位的员工约2%具有硕士学位的员工约48%联芯科技企业文化联芯科技版权所有核心价值观创新价值成就客户诚信正直注重结果企业精神乐业求精勇担当敢战善战战必胜愿景成为全球领先的移动互联网芯片及解决方案提供商使命联接信息世界用心丰富生活联芯科技发展历程1998年2002年2005年成立大唐移动,主营GSM系统设备开发及产业化2007年2008年2009年2010年进入TD领域，从事无线子系统及终端技术研发与ADI合作，发布全球首个支持自动切换的商用TD/GSM双模终端解决方案发布全球首个TD-HSDPA/GGE双模终端解决方案3月，联芯科技成立5月，发布全球首各个TD-MBMS终端解决方案4月，发布全球首个TD-HSPA/GGE终端解决方案4月，发布全球首个TD-Ophone智能手机解决方案10月，联芯L系列芯片LC1708/1808成功商用量产3月，联芯科技与MTK合作共同发布世界首个TD-HSPA＋终端解决方案4月，联芯科技推出千元TD智能手机解决方案10月，入驻大唐电信集团上海产业园国家重点实验室：无线移动通信国家重点实验室分中心国家工程实验室：新一代移动通信无线网络与芯片技术分中心上海市高新技术企业上海市小巨人企业2008年TD-SCDMA终端解决方案荣获国家信息产业重大技术发明2009年联芯科技TD-SCDMA/GSM终端高层协议栈软件V4.0荣获中国创新软件产品2009年被授予国家重点实验室--无线移动通信国家重点实验室分中心2009年被授予国家工程实验室--新一代移动通信无线网络与芯片技术2009年上海市集成电路设计行业销售前10名2009年被国家知识产权局授予中国专利优秀奖2010年联芯科技被授予“国家高技术产业化示范工程”2010年联芯科技被TD联盟授予“TD终端创新发展贡献奖”2010年上海市创新型企业2010年上海市小巨人企业2010年度上海市集成电路设计业销售前十名2011年上海市高新技术成果转化项目……联芯科技荣誉联芯科技内部资料ConfidentialTD-SCDMA/TD-LTE核心技术INNOPOWER核心套片OMS/Android/LARENA软件平台TD-SCDMA/TD-LTE终端解决方案OMS/Android/WM智能手机解决方案LARENAPhone解决方案TD-SCDMA/TD-LTE测试终端提供商TD-SCDMA/TD-LTE融合终端解决方案TD-SCDMA/TD-LTE终端套片与解决方案提供商核心业务联芯科技发展战略及业务综述联芯科技公司简介联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品路标联芯科技LTE产品研发进展及计划目录联芯科技技术演进路线图通信制式芯片技术软件平台20112012201320142015TD-LTER8TD-HSPAR7LTER9TD-HSPA+DC-HSDPALTE-AR10TD-HSPA+DC-HSDPA+LTE–AR10TDHSPA+MIMOMCHSPA+LTE-AR1155nmARM9/11PMU2/3G双模RF合一40nmCortexA91Ghz数模混合封装CMMB28nmCortexR7/SDR低功耗音频设计数模混合设计40nm28nmCortexA15数模混合设计28nm2/3/4G多模RF合一北斗/GPS22nm64位处理器多模多频可配置小型化RF技术LARENA3.0/3.xAndroid2.2LARENA4.0Android2.3/4.0OPhone2.6LARENA5.0Android4.XOPhone3.XWIN8AndroidWIN……联芯科技TD-SCDMA功能手机解决方案功能手机入门级手机超低端手机无线固话201120122013•TD-HSPA/EDGE•2xARM9@390MHz•HVGAdisplay•Camera:5M•MP:NOW•65nmCMOS5chips•TD-HSPA/EDGE•ARM9@450MHz•CMMB@H.264QVGA•WQVGAdisplay•Camera:3M•MP:NOW•55nmLPCMOS•TD-HSPA+/EDGE,4.2MbpsDL•ARM9@520MHz•CMMB/PMU/CodecIntegrated•Camera:8M(ISP)•WVGAdisplay•LPDDR1/LPDDR2•ES:4Q,2012•MP:2Q,2013•40nmLPCMOS5chips•TD-HSPA+/EDGE•ARM9@450MHz•PMU/CodecIntegrated•LPDDR1/LPDDR2•ES:4Q,2012•MP:2Q,2013•40nmLPCMOS2chips2chips2chips•TD-HSPA/EDGE•ARM9@450MHz•PMU/CodecIntegrated•ES:Jan,2012•MP:Mar,2012•55nmLPCMOSLC1808BLC1806LC1716•TD-HSPA/EDGE•ARM9@600MHz•GPU：8MΔ/s,160Mpix/s•Multi-format,H.264D1@30fps•WVGAdisplay•LPDDR1@150Mhz•ES:Jan,2012•MP:Mar,2012•55nmLPCMOS2chipsLC1710LC1712LC1805联芯科技TD-SCDMA智能手机解决方案中高端智能普及型智能20112012•TD-HSPA/EDGE•2xARM9600MHz•HVGAdisplay•Android2.2•MP:NOW•65nmLPCMOSLC1809传统智能及无线模块LC1809G•TD-HSPA/EDGE•2xARM9600MHz•WVGA,display,GPU:2D/3D•Android2.3•ES:4Q,2011,MP:1Q,2012•55nmLPCMOSs•TD-HSPA/EDGE•ARM9@390MHz•MP:NOW•55nmLPCMOSLC1711•TD-HSPA/EDGE•PMUIntegrated•ES:1Q,2012,MP:1Q,2012•55nmLPCMOSLC1713•TD-HSPA+/EDGE,4.2Mbps,DC-HSPA,5.6Mbps•2xCortexA9@1.2GHz•1080p,WXGAdisplay,upto20Mpcamera•HDMI,USB2.0OTG/HS•Android2.3/4.0•ES:1Q,2012,MP:3Q,2012•40nmLPCMOS•TD-HSPA+/EDGE,4.2Mbps,DC-HSPA5.6Mbps•SingleCortexA9@1GHz•720p,WVGA,upto8Mpcamera•Android2.3/4.0•ES:1Q,2012,MP:3Q,2012•40nm,LPCMOSLC1810LC18112013•TD-HSPA+/EDGE,4.2Mbps•DC-HSPA+,8.4Mbps•PMUIntegrated•ES:4Q,2012,MP:2Q,2013•40nmLPCMOSLC1715联芯科技TD-LTE终端解决方案20112012无线Modem2013智能手机平板电脑•LTER9,150MbpsDL/50MbpsUL•DC-HSPA+/TD-HSPA+/EDGE•2xDualCortexA9@1.5GHz•1080P•LPDDR2/LPDDR3@533MHzPOP•WXGALCD,upto20Mp•ES:2Q,2013,MP:4Q,2013•28nmLPCMOS•LTE/TD-HSPA+/EDGE•DC-HSPA+/MIMO•QuadCortexA15@2GHz•DDR2/DDR3@533MHzPOP•WXGALCD,upto20Mp•ES:2Q,2013,MP:4Q,2013•28nmLPCMOSLC1815LC1820•TD-LTER8/TD-HSPA•ARM11@600MHz•MP:4Q,2011•65nmLPCMOSLC1760•LTER9,150MbpsDL/100MbpsUL•TD-HSPA+/DC-HSPA/EDGE•ARM11@600MHz•ES:2Q,2012,MP:1Q,2013•40nmLPCMOSLC1761•LTE-AR10•DC-HSPA+/MIMO•ES:2Q,2014,MP:2H,2015•28nmLPCMOSLC1762LC1761LC1761通用AP+通用AP+联芯科技LTE测试终端产品路标201120122013LC5160双模测试数据卡TD-S/TD-LTEUSB2.0BB:LC1760ES:4Q2011,MP:Q12012三模测试手机GSM/TD-S/TD-LTEBB:LC1810+LC1761ES:Q42012,MP:1Q2013LC6161V1.0三模测试模块GSM/TD-S/TD-LTEUSB2.0BB:LC1761ES:4Q2012,MP:2Q2013LC8161V1.0LC5161V1.0三模测试数据卡GSM/TD-S/TD-LTEUSB2.0BB:LC1761ES:4Q2012,MP:2Q2013.LC8161V2.0四模测试手机GSM/TD-S/TD-LTE/FD-LTEBB:LC1810+LC1761ES:2Q2013.7,MP:4Q2013测试模块测试手机测试数据卡LC6161V2.0四模测试模块GSM/TD-S/TD-LTE/FD-LTEBB:LC1761ES:2Q2013MP:Q42013LC5161V2.0四模测试数据卡GSM/TD-S/TD-LTE/FD-LTEBB:LC1761ES:2Q2013,MP:4Q2013联芯科技公司简介联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品路标联芯科技LTE产品研发进展及计划目录DTivy®L1760TD-LTE/TD-SCDMA双模解决方案12.30LC1760样片2010.109.30完成单模Mtnet2x2测试小批量试产101112123456789101112123456789101112122011年2012年DTivy®L17602013年2010年10.30双模重选11.30双模切换TD-LTE与TD-SCDMA两个模式可分别正常工作；与大唐移动MTnet内场测试情况如下：•协议基本功能：共103个用例（95个必选，8个可选），通过94个（90个必选，4个可选），N/A5个；•业务能力测试：共9个用例，通过8个，N/A1个；•基本性能：共17个必选用例，通过11个；射频测试：共27个必选用例，累计通过27个与大唐移动的外场预测试进行中，可在外场正常开展业务并进行切换；与上海贝尔的室内IOT测试完成75%的测试用例Mtnet2x2测试进展：计划9月底完成Mtnet2x2测试主要特性：•支持TDDBand：Band38和Band40频段•支持PS业务，支持传输分集、空间复用和单流波束赋形，支持下行2*2MIMO和下行4*2MIMO•支持LTECategory3，下行100Mbps，上行50Mbps•支持TD-SCDMAHSDPACategory15,TD-SCDMAHSUPACategory6101112123456789101112123456789101112122011年2012年DTivy®L17612013年2010年2012.12.302012.5.302013.1.30TD-LTE多模版本发布LC1761样片TD-LTE/FDDLTE多模版本发布2011.5LC1761CDCP2011.11LC1761PDCPProcess40nmPackageLFBGA10mmx10mmArc