X射线与物质相互作用

121.概述X射线与物质相互作用的宏观效应：（波）相干散射、衍射，界面的反射、折射，衰减（粒子）不相干散射，光电吸收及其二次效应(荧光,俄歇)电子对的产生(Ex1.022MeV)物质的变化：热效应改性辐射损伤(结构变化)微观本质：X射线与物质中电子的相互作用理论处理方法：经典电磁理论，量子力学32.X射线的相干散射相干散射(λ不变,远场光学)弹性散射(Ex不变)Ryleigh散射不相干散射（λ改变）非弹性散射(Ex改变)Compton散射Raman散射41)自由电子的相干散射电子在入射X射线的交变电场作用下作受迫振动，成为具有交变电矩的电偶极子。电偶极子辐射出次级辐射，即散射X射线。电子受迫振动的频率与入射波的振动频率一致（不考虑阻尼），故散射波的频率与入射波一致，也即散射波的波长与入射波相同。即相干散射，对入射X射线（原级）来说，这种散射只是改变方向而波长不变的一种次级辐射。5由电动力学，一个电子作加速运动时，电磁辐射为式中为辐射方向，R为观察点与电子之间的距离，20(,)(())4eeERtnnatcRnRttc6(1)入射X射线为线偏振光令电场为，则，设α为与的夹角，则0iwtEe0()iwteEatem0En2()0020(,)sin4RiwtceEERtecRme7式中负号表示在入射波前进方向上，散射波与入射波位相差180度，散射波的强度为为电子经典半径，2242200222420sinsin16eereIIIRcRmer152.810erm8图6单个电子的X射线相干散射OppxEpzE(2)入射波为非偏振情况9(2)入射波为非偏振情况令入射方向为，P为观察点，散射方向与确定的平面为散射面,令散射方向与入射方向夹角为θ。可将任一偏振方向的的入射波，分解为、OY()nOPOYYOZ0EoxEozE0cosoxEE0sinozEE10分别计算它们的散射波电场、，然后矢量相加求出散射波总的电场及散射强度。计算可得散射波强度为（2.4）pxEpzE2222002(cossincos)erIIRe11如入射X射线为完全非偏振光（例X射线管发射的X射线），则对求平均，得（2.5）式中是偏振因子由入射波的偏振情况确定。偏振情况不同时，偏振因子相应变化。(02)2222222000022011cos(cossincos)22errIIdIRR21(1cos)2()P()Pee122）单个原子的X射线相干散射原子对X射线的散射，主要由电子贡献，原子核的作用一般情况下是微不足道的，因为散射波强度与带电粒子的质量平方成反比。设原子半径为a，电子分布在这球体中，入射X射线波长为λ，原子散射波强度为。aI13⑴长波原子内不同处的电子的散射波到达远处的观察点P时没有显著的位相差。a2aeIZI14⑵短波λ～这时原子内各处电子发出的散射波有很大的位相差，散射波的强度由相互间干涉来决定。结构分析中常用的X射线波长λ～À，正是这种情况定义原子结构因子（原子散射因子）一个原子相干散射波的振幅（电场强度）一个电子相干散射波的振幅（电场强度）a2aeIfIfaeAfAaAeA15计算可得出式中为原子中径向电子密度分布函数，为电子波函数。，散射角为2θf与Z，，有关各元素原子、离子的结构因子可查InternationalTablesforX-raycrystallography0sin()krfurdrkr22()4urr4sin/k162aeIfIfSinf与Z，，关系173）凝聚态物质的相干散射所有原子相干散射的叠加晶体、准晶体、液晶——X射线衍射非晶体、液体——相干散射图形→干涉函数→相关函数184）介质的X射线光学特性界面的反射、折射、全反射原子→电偶极子→可以得出折射率n为式中N为单位体积内的电子数，ω为X射线频率，在X射线频率的范围内δ的数值为。由光学在界面上的折射、反射的菲涅耳公式，在掠入射角为大角度时，X射线在界面的反射率是很小的，可以忽略不计，折射引起的角度变化也很小，一般情况可以不考虑。1/20,1,PEn220112Nenm63101019图7X射线的折射与反射i2i1i1θ1θ2θ1空气介质掠入射20但当X射线从真空（空气）以小角度掠入射至介质，当掠入射角小于临界角将发生全反射。由折射定律，1221sin1sininin1122,22ii2cos/cos121当10时，2更快地趋近于0。当时，即折射光束消失，发生全反射。此时的掠入射角为全反射临界角对X射线，的数值为mrad量级，它随X射线波长（频率）与介质的电子密度变化。20c21cos112cc2cc22X射线全反射的重要应用X射线反射镜用于改变X射线方向、聚焦、滤去高能X射线X射线“透镜”毛细管束X射线透镜－－－用于聚焦23X射线毛细管透镜1931年提出原理，80年代有实用报道Tu6-23X光在毛细管内反射的情形24单毛细管X射线聚焦/准直Cornell毛细管束X射线聚焦/准直Kumakhov差异：长度、焦点大小/位置25毛细管束X射线透镜263．X射线的不相干散射1)Compton散射，1923实验：靶（各种不同材料）入射光子能量，波长λ散射光子，波长反冲电子（动量、能量）hh0()0.0243(1cos)()(1cos)Ak2728图3.散射光波长与散射角的关系0()0.0243(1cos)()(1cos)Ak2930Compton散射证实X射线的粒子性，它是奠定量子力学理论的重要实验基础之一。Compton散射可用于研究固体中电子的能量、动量关系。（Compton轮廓）312)Raman散射本质上与可见光的Raman散射一样，为原子从基态到一激发态跃迁所需方程RhhEE323)Plasmon散射X射线在金属薄膜中激发等离子体振荡产生的不相干散射。p为某等离子体振荡效率。20,,(/)2pppppeffhhhEENem33(a)(b)C对CuK的散射Be对CuK的散射344.光电吸收及其二次效应1)光电效应的实验规律X射线波长为λ：对某一元素Z，当λ下降，达到时，产生光电吸收。最大λ下降减少光电子数（光电流）∝入射X射线强度光电子速度：与光强无关，与λ，电子在原子中的结合能有关。P为界面逸出能。光电子的方向性，光电流的强度,为光电子发射方向与X射线入射方向的夹角。qqqEEqhPEqhEk2sin35采用偶极跃迁近似，原子吸收X射线光子的几率为初态，X射线的光电吸收中，一般为1S，2S，2P态，终态，自由电子的连续态，终态处的未占有的能态密度，2222()4fsfehPMEmfsMfPssf()fE2）光电效应的量子力学的解释36以X射线波矢为轴，计算得出的结果为：当时，光电子能量为光电子波矢为动量，方向原子的微分吸收截面（即吸收光子后在方向上发射光电子的几率）与实验规律完全一致。0kqEkqfEE1/21[2()]fqkmEfPk,,f2f7102225.1emceCosSin)Z(8dd5.3f225CosSin)Z(如入射X射线为单色平面波，，初态为K层电子，终态为平面波（,方向），0ksffk,373)光电子吸收的二次效应：荧光与俄歇电子光电吸收——光电子发射，原子处于激发态（内壳层，例K层，出现空位）原子退激发过程——二次效应：荧光与俄歇电子Auger38⑴荧光：由光子激发的光辐射称为荧光辐射，因而荧光谱也称为次级光谱。荧光辐射的本质及其产生的机制，与原级（由高速电子来激发）特征光谱是完全一样的：发射机制：原子内电子能级跃迁方向：各向同性波长：由原子能级确定，与特征谱波长相同。强度：入射X射线强度，物质对X射线的吸收系数，为q系荧光产额。q能级受原级X射线激发的原子数发生q级次级光辐射的原子数0fqfII0IqNqfNqfqqfqfNN/39荧光产额由物质的原子能级决定。随着原子序数Z和不同谱线的变化，轻重元素及不同谱线的荧光产额相差是很大的。对K系谱线，另，，，对（时，),随Z呈指数下降，例Mg，Al仅为0.01。X射线荧光元素成分分析：可检测浓度很小的元素含量50Z1qf20Z20Z6(10)21qf1.0qf30Z4041(2)俄歇（Auger）效应X射线激发的原子存在着另外一种退激发过程，当次外层的一个电子跃入内层填空时所释放的能量在该原子内部被吸收而逐出次外层的另一个电子，这个被迸出的次外层电子称为俄歇电子。这种效应也称为次级光电效应，内转换或无辐射跃迁。在这种过程中，次级光电子（俄歇电子）的发射代替了荧光辐射。42图10俄歇电子的产生机制43俄歇电子的能量由原子的能级结构决定，是元素的特征表征，与入射光子能量无关。俄歇电子能谱是表面元素分析的重要手段。在X射线是光电子吸收的二次效应中，荧光辐射与俄歇电子相互竞争，为俄歇电子产额，对K层来说，时，俄歇电子发射占优势。30Z1qaqfqa445.X射线的衰减和吸收，吸收系数1)X射线强度的线性衰减定律一束X射线通过均匀介质时，其强度衰减服从线性衰减定律：称为线性衰减系数。IdxdIxd0txeIIx4546X射线的衰减由吸收、散射，电子对的产生三种原因造成。一般情况下，主要由光电吸收造成，散射可以忽略，电子对则在时才产生。τ为吸收系数，σ为散射系数。因σ相对于τ而言，一般很小，可忽略。因而实际工作中，常将μ、τ视为相同的，因而μ也称为吸收系数。MeVEx002.1472)单质的吸收系数质量吸收系数，原子吸收系数X射线通过由单质组成的均匀介质时称为线性吸收（衰减）系数。显然，它与介质的密度ρ有关。madxIdIxxxeII0x48实际工作中，常用另外二种表达形式，称为质量吸收系数，它描述了（单位面积上）单位质量介质时的吸收。，，它与物质的密度无关只与元素（Z）和波长有关。，，，n为单位体积内的原子数目。称为原子吸收系数与一样，它是Z，λ的函数。，的具体数值可从InternationalTablesforX-raycrystallogaphy查找。dmIdImxmmmeIeII00mdxdmxmxmdNIdIanxNaaeIeII00ndxdNnxNnxa/amma493)吸收系数与Z、λ的关系，吸收边单质的吸收系数由Z、λ确定对一给定元素，例Pt（Z=78）,与λ的关系如图所示，随增大，至发生吸收陡变。，随增大，直至出现新陡变。随着λ的增大，在图中还有LII，LIII…等吸收陡变。)(am)(am)(am0158.0A0158.0Amm0158.0A0893.0ALI83.266.250Ex51吸收曲线的这些陡变，对应着原子各壳层或支壳层的吸收限（激发限）的波长，在吸收线发生的吸收陡变，是由强烈的光电吸收造成的，这种吸收陡变，常称为吸收边，图中的各吸收边，相应地称为K吸收边、LI吸收边，…在二吸收边之间，考虑到散射，在实际工作中常用Victoreen半经验公式式中C，D给定的Z，给定的区间，为常数，可InternationalTablesforX-raycrystallogaphy查找，为电子散射系数，为单位质量的电子数目。对凝聚态物质，在吸收边附近，吸收曲线还有振荡34kZm)(043ANZDCemeAZN/0524)复杂物质的