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AB/D切换,5.5W单声道音频功率放大器概要CS8571EChipstarMicro-electronics上海智浦欣微电子有限公司CS8571E无需滤波器的PWM调制结构及增益内置方式减少了外部元件、PCB面积和系统成本,并简化了设计。高达90%的效率,快速启动时间和纤小的封装尺寸使得CS8571E成为便携式音频产品的绝佳选择。CS8571E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。CS8571E提供了带散热片的ESOP8封装形式供客户选择,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。输出功率AB类/D类工作模式切换功能独创的AERC技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力优异的噼噗-咔嗒(pop-noise)杂音抑制能力优异的低噪抑制功能工作电压范围:2.5V到5.5V无需滤波的Class-D结构高达90%的效率高电源抑制比(PSRR):在217Hz下为72dB快速的启动时间(35ms)低静态电流(3mA)低关断电流(<0.1µA)过流保护,短路保护和过热保护符合Rohs标准的无铅封装Pat10%THD+N,VDD=5VORL=4Ω3.40W(典型值)RL=2Ω5.50W(典型值)Pat10%THD+N,VDD=3.6VORL=4Ω1.70W(典型值)RL=2Ω2.42W(典型值)描述Copyright@ChipstarMicroelectronicspage1封装ESOP8CS8571E是一款FM无干扰、AB类功放D类功放两种模式可切换的5.5W单声道音频放大器。CS8571E采用独创的AERC(AdaptiveEdgeRateControl)技术,能提供优异的全带宽EMI抑制能力,在不加任何辅助设计时,在FCCPart15ClassB标准下仍然具有超过20dB的裕量.典型应用图应用USB音箱/蓝牙音箱扩音器CS8571应用电路图IN0.39uFIN4275861MODE30----AB类1----D类MODE:470uFCS8571EChipstarMicro-electronics上海智浦欣微电子有限公司Copyright@ChipstarMicroelectronicspage2引脚排列以及定义序号符号描述1AB类/D类切换选择,低电平选择AB类模式,高电平选择D类模式23反相音频输出45电源6地7音频输入端8SDBYPMODEINVO+VDDGNDVO-正相音频输出模拟参考电压12345678ESOP_8L(TopView)BYPMODEINVDDVO+VO-GNDCS8571ESD掉电控制管脚,高电平有效CS8571EChipstarMicro-electronics上海智浦欣微电子有限公司Copyright@ChipstarMicroelectronicspage3 参数描述描述数值数值单位VDD无信号输入时供电电源7VI输入电压-0.3toVDD+0.3VTJ结工作温度范围-40to150℃TTSDRSTG引脚温度(焊接10秒)260℃极限参数表12参数单位V℃℃输入电压环境温度范围25~6.5.-40~85-40~1251.2.ESD范围±4kVESD范围HBM(人体静电模式)±400VESD范围MM(机器静电模式)-----------------------------------------------------------存储温度范围-65to150推荐工作环境VDDTA结温范围上述参数仅仅是器件工作的极限值,不建议器件的工作条件超过此极限值,否则会对器件的可靠性及寿命产生影响,甚至造成永久性损坏。-----------------------------------------------------------TjPCB板放置CS8571E的地方,需要有散热设计.使得CS8571E底部的散热片和PCB板的散热区域相连,并通过过孔和地相连。热效应信息订购信息产品型号器件标识包装类型数量CS8571E100units封装形式ESOP-8L.CS8571EXXXX描述数值参数单位(ESOP8)℃/W封装热阻---芯片到环境热阻40JAV℃管装CS8571EChipstarMicro-electronics上海智浦欣微电子有限公司Copyright@ChipstarMicroelectronicspage4电气参数(D类模式)TA=25°C(除非特殊说明)描述参数测试条件 最小典型值最大单位 VOO输出失调电压VIN=0V,Av=2V/V5PSRRCMRR输入管脚短接,VDD=2.5Vto5.5VVDD=3.6V,无负载,无滤波5静态电流 mAISD 关断电流µArDS(ON)源漏导通电阻mΩV(SHUTDOWN)=0.35Vf(SW)调制频率 关断状态下输出阻抗0.1工作特性TA=25°C,RL=4Ω(除非特殊说明)PO输出功率W5.504.90 25mV-70dB-72dB210280VDD=6.5VVDD=3.6VVDD=2.7Vto5.5VDDI4VDD=5.5V,无负载,无滤波VDD=2.5Vto5.5V,217HzVDD=2.5Vto6.5V2kΩVDD=5.0V,THD=10%,f=1KHz,RL=2Ω(AB类)VDD=5.0V,THD=10%,f=1KHz,RL=2Ω(D类)VDD=5.0V,THD=10%,f=1KHz,RL=4Ω(AB类)3.50VDD=5.0V,THD=1%,f=1KHz,RL=4Ω(D类)VDD=5.0V,,f=1KHz,RL=2Po=3.0WΩVDD=5.0V,,f=1KHz,RL=4Po=1.0WΩ3.150.070.04η效率85电源纹波抑制比共模抑制比500KHzTHD+N总谐波失真+噪声%%90参数描述测试条件最小最大典型单位VDD=5.0V,,f=1KHz,RL=4Po=0.6WΩ(D类)SNR信噪比VDD=5.0V,Po=0.5W,f=1KHz,RL=2ΩdBChipstarMicro-electronics上海智浦欣微电子有限公司Copyright@ChipstarMicroelectronicspage5典型特征曲线TA=25°C,RL=4Ω(除非特殊说明)0102030405060708090Efficiency(%)OutputPower(W)00.40.81.21.62.02.42.8EFFICIENCYvsOUTPUTPOWER3.2VDD=2.5VRL=4Ω+33μHVDD=5VVDD=3.6VClassAB010203040506070809010000.61.21.82.434.8OutputPower(W)Efficiency(%)EFFICIENCYvsOUTPUTPOWER3.62.2ClassAB5.6VDD=5VVDD=3.6VVDD=2.5VRL=8Ω+33μHTHD+N(%)OutputPower(W)0.0010.010.11100.010.1110100RL=4Ω+33μHf=1kHzVDD=3.6VVDD=5VVDD=2.5VTHD+N(%)OutputPower(W)0.0010.010.52100.010.1110100THD+NvsOUTPUTPOWERRL=2Ω+33μHf=1kHzVDD=5VVDD=3.6VVDD=2.5VTHD+NvsOUTPUTPOWERTHD+NvsFREQUENCYTHD+N(%)FREQUENCY(Hz)0.012010020K0.020.050.10.20.511K10KVDD=3.6VRL=2Ω+33μHPO=500mWPO=250mWPO=125mWTHD+NvsFREQUENCYTHD+N(%)FREQUENCY(Hz)0.012010020K0.020.050.10.20.511K10KVDD=3.6VRL=4Ω+33μHPO=250mWPO=500mWPO=1WRL=4Ω+33μHf=1kHzRL=2Ω+33μHf=1kHzChipstarMicro-electronics上海智浦欣微电子有限公司Copyright@ChipstarMicroelectronicspage6典型特征曲线TA=25°C,RL=4Ω(除非特殊说明)CMRR(dB)CMRRvsFREQUENCYFREQUENCY(Hz)2010020K1K10K-75-70-65-60-55-50VIC=1VPPRL=2Ω+33μHVDD=3.6VVDD=5VVDD=2.5V5.5OUTPUTPOWERvsSUPPLYVOLTAGE00.51.01.52.02.53.03.52.53.03.54.04.5SupplyVoltage(V)OutputPower(W)RL=4Ω+33μHf=1kHz1%THD10%THD2010020K1K10K-90-80-70-60-50-40-30PSRR(dB)PSRRvsFREQUENCYFREQUENCY(Hz)RL=2Ω+33μHVDD=2.5VVDD=3.6VVDD=5V5.0OUTPUTPOWERvsSUPPLYVOLTAGE00.51.01.52.02.53.03.52.53.03.54.04.5SupplyVoltage(V)OutputPower(W)RL=4Ω+33μHf=1kHzTHD+N=10%OUTPUTPOWERvsSUPPLYVOLTAGESupplyVoltage(V)OutputPower(W)RL=2Ω+33μHf=1kHzTHD+N=10%5.53.03.54.04.55.000.61.22.43.64.24.86.01.83.05.45.5OUTPUTPOWERvsSUPPLYVOLTAGE00.61.22.43.64.24.86.03.03.54.04.55.0SupplyVoltage(V)OutputPower(W)1.83.05.410%THD1%THDRL=2Ω+33μHf=1kHzChipstarMicro-electronics上海智浦欣微电子有限公司Copyright@ChipstarMicroelectronicspage7典型特征曲线TA=25°C,Gain=2V/V,RL=4Ω(除非特殊说明)POWERDISSIPATIONvsOUTPUTPOWER00.020.040.060.080.100.120.140.1600.20.40.60.81.01.21.41.6PowerDissipation(W)OutputPower(W)RL=2Ω+33μH1.8VDD=2.5VVDD=5VVDD=3.6V00.10.20.30.40.50.60.700.40.81.21.62.02.42.8POWERDISSIPATIONvsOUTPUTPOWERPowerDissipation(W)OutputPower(W)RL=4Ω+33μH3.2VDD=2.5VVDD=3.6VVDD=5V0200400600800100012001600200000.61.82.43.03.64.24.85.4SupplyCurrent(mA)SUPPLYCURRENTvsOUTPUTPOWEROutputPower(W)RL=2Ω+33μHVDD=5VVDD=3.6VVDD=2.5VSupplyCurre
本文标题:CS8571
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