SC8205(封装片)中文技术资料

SC8205(文件编号：S&CIC0706)20VN沟道增强型MOS场效应管第1页共3页86-755-8254382120VN-ChannelEnhancement-ModeMOSFETRDS(ON),Vgs@1.8V,Ids@2.0A=75mΩRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@3.5A=38mΩRDS(ON),Vgs@4.0V,Ids@4.5A=30mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4.5A=28mΩRDS(ON),Vgs@10V,Ids@5.0A=25mΩ特点专有的先进平面技术高密度超低电阻设计大功率、大电流应用理想的锂电池应用封装形式：TSSOP-8/SOT-23-68205A/TSSOP-88205S/SOT-23-6123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:16-Apr-2013SheetofFile:E:\E盘\规格书\规格图\规格图-0\ZBO\SC8205.ddbDrawnBy:D1/D2S1S1G1G2S2S2D1/D212345678123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:13-Jul-2013SheetofFile:E:\E盘\规格书\规格图\规格图-0\ZBO\SC8205.ddbDrawnBy:123456S1S2G1G2NCD123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:16-Apr-2013SheetofFile:E:\E盘\规格书\规格图\规格图-0\ZBO\SC8205.ddbDrawnBy:Gate1Source1DrainGate2Source2N-ChannelMOSFETSC8205(文件编号：S&CIC0706)20VN沟道增强型MOS场效应管第2页共3页86-755-82543821最大额定值和热特性(Ta=25℃，除非另有说明。)参数符号值单位漏源电压VDS20V栅源电压VGS±12漏极电流ID6A漏极脉冲电流IDM20最大功耗TA=25℃PD2WTA=75℃1.3工作结温和存储温度范围TJ,Tstg-55to150℃结环热阻（PCB安装）RθJA62.5℃/W注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。电特性参数符号测试条件最小典型最大单位静电漏源击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=250uA20----V漏源电阻RDS(on)VGS=1.8V,ID=2.0A--53.075.0mΩVGS=2.5V,ID=3.5A--30.038.0VGS=4.0V,ID=4.5A23.030.0VGS=4.5V,ID=4.5A22.028.0VGS=10V,ID=5.0A20.025.0栅极阈值电压VGS(th)VDS=VGS,ID=250uA0.5--1.5V栅源短路时漏极电流IDSSVDS=20V,VGS=0V----1uA漏极短路时截止栅电流IGSSVGS=±12V,ID=0uA----±100nA跨导gfsVDS=15V,ID=6.0A--29--SSC8205(文件编号：S&CIC0706)20VN沟道增强型MOS场效应管第3页共3页86-755-82543821动态总栅极电荷QgVDS=10V,ID=6AVGS=4.5V6.248.11nC栅源电荷Qgs1.642.13栅漏电荷Qgd1.341.74延迟时间（On）td(on)VDD=10V,ID=6AID=1A,VGS=4.5V10.420.8ns上升时间（On）tr4.48.8延迟时间（Off）td(off)27.3654.72下降时间（Off）tf4.168.32输入电容CissVDS=8V,VGS=0Vf=1.0MHz--522.3--pF输出电容Coss--98.48--反向传输电容Crss--74.69--漏源二极管二极管最大正向电流IS------1.7A二极管正向电压VSDIS=1.7A,VGS=0V----1.2V注：脉冲测试：脉冲宽度=300us，占空比=2%